【課題】かなり低いオン状態抵抗で高いVbdを実現し、またその一方で、アクティブなデバイスセルを周辺領域から分離するエッジ終端領域を最小化する、高電圧トランジスタ構造の改良。
【解決手段】高電圧トランジスタが、ドレイン、ソース、及び、前記ドレインから前記ソースに向かって延びる一又はそれ以上のドリフト領域を含む。フィールドプレート部材は、ドリフト領域を横方向に取り囲み、誘電体層によって前記ドリフト領域から絶縁される。 （もっと読む）

【課題】入力電圧よりも出力電圧が大きい電源を提供する。
【解決手段】電源１００用の例示的なコントローラ１２４は、駆動信号生成器２１４と補償回路２１６とを含む。駆動信号生成器２１４は、検知された出力電圧に応答して、電源１００に含まれるスイッチＳ１ １１０のスイッチングを制御して、電源１００の出力電圧が電源１００の入力電圧よりも大きくなるように電源１００の出力電圧を調整するように結合されるものである。補償回路２１６は、駆動信号生成器２１４に結合され、電源１００の入力電圧に応答して、検知された出力電圧を調節するためのオフセット電流を出力するようにも結合される。 （もっと読む）

【課題】パワーシステムの入力端子間のキャパシタンスを放電するための回路を開示する。
【解決手段】例示的な回路は、パワーシステムの入力に結合された制御回路を含む。制御回路は、電気エネルギ源がパワーシステムの入力に結合されたかどうかを検出するために結合される。スイッチも含まれており、スイッチは、制御回路およびパワーシステムの入力に結合される。制御回路は、電気エネルギ源がパワーシステムの入力に結合される第１の動作モードにおいてスイッチを駆動するように結合される。制御回路は、電気エネルギ源がパワーシステムの入力から分離される第２の動作モードにおいてスイッチを駆動するように結合される。パワーシステムの入力の入力端子間に結合されたキャパシタンスは、電気エネルギ源がパワーシステムの入力端子から分離されたときから最大期間未満の期間のうちに、スイッチによってしきい電圧に放電される。 （もっと読む）

【課題】 電源入力から受けた充電量を測定することによって電源の出力を調整する制御回路を提供する。
【解決手段】 コントローラ例は定電流制御回路と定電流制御回路に含まれた積分器とを含む。定電流制御回路は入力電流検出信号、入力電圧検出信号および出力電圧検出信号を受けるように結合される。制御回路はスイッチの切換を制御する制御信号を生成することによって電源の出力電流を調整するように構成されている。積分器は制御信号のスイッチング周期中に入力電流検出信号を積分して、電源の入力電圧源から取られた充電を表わす積分された信号を生成するように結合されている。定電流制御回路は積分された信号が出力電圧検出信号と入力電圧検出信号の比に比例するようスイッチの切換を制御するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】出力電流を調整しながら高力率を維持するためのコントローラを含むＡＣ−ＤＣ電源を提供する。
【解決手段】コントローラ例は第１、第２および第３の入力と、遅延ランプ発生器と、駆動信号発生器とを含む。第１、第２および第３の入力はそれぞれ入力電圧検出信号、出力電圧検出信号および入力電流検出信号を受けるように結合されている。駆動信号発生器は入力充電制御信号発生器によって生成された入力充電制御信号と遅延ランプ発生器によって生成された遅延ランプ信号とを受けるように結合されている。入力充電制御信号は入力電圧検出信号と出力電圧検出信号の比で乗算された入力電流検出信号の積分に応答して生成され、駆動信号発生器は入力充電制御信号および遅延ランプ信号に応答して駆動信号を発生させ、駆動信号は電源のスイッチを制御して、電源の出力を調整するように結合される。 （もっと読む）

【課題】ともに高抵抗性の基板上に形成される主横型高電圧電界効果トランジスタ（ＨＶＦＥＴ）と、隣接して配置された横型センスＦＥＴとを備えるパワー集積回路デバイスを提供する。
【解決手段】センス抵抗器は、基板のうちＨＶＦＥＴとセンスＦＥＴとの間の区域に配置されたウェル領域に形成される。寄生基板抵抗器は、ＨＶＦＥＴのソース領域とセンスＦＥＴのソース領域との間においてセンス抵抗器と平行に電気接続されて形成される。これらのトランジスタデバイスはともに、共通のドレイン電極およびゲート電極を共有している。主横型ＨＶＦＥＴおよびセンスＦＥＴがオン状態である場合、横型ＨＶＦＥＴを通って流れる第１の電流に比例する電圧電位が第２のソース金属層において生成される。 （もっと読む）

【課題】ゲート信号を良好に伝達しつつ、高い電流伝導レベルで高速なスイッチングを達成する高電圧パワートランジスタ構造を提供すること。
【解決手段】絶縁したゲートがコンタクトを介して複数の場所でゲート電極に接続されるようなゲート構造を有する、横方向パワー酸化金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）が提供される。ソース電極の１セグメント(２１Ａ)が、電界効果トランジスタの細長い形状のソース領域の先端領域の周りを包み、かつソース電極の第２セグメント（２１Ｂ）に接続して、前記ゲート電極（２５)を完全に囲んでいる。 （もっと読む）

【課題】無調整の休止動作モードを用いて軽負荷または無負荷状態下で電力変換器のエネルギ消費を減らすための制御回路を実現する方法および装置を提供する。
【解決手段】制御回路は、制御回路に結合されるべき電力スイッチの切換えを制御する駆動信号を発生させて、電力変換器出力に結合されるべき１つ以上の負荷のエネルギ要件に応答して電力変換器出力へのエネルギの流れを調整するよう結合される駆動信号発生器を含む。無調整の休止モード制御回路は、１つ以上の負荷のエネルギ要件が第１の期間よりも長くしきい値を下回ると、駆動信号発生器を休止状態にすることによって、駆動信号発生器による電力変換器出力へのエネルギの流れの調整を中止するように結合される。駆動信号発生器は、休止状態時に１つ以上の負荷のエネルギ要件の変化に応答しないよう結合される。無調整の休止モード制御回路は、第２の期間の経過後に駆動信号発生器をパワーアップするよう結合される。 （もっと読む）

【課題】損失を低減した電源用コントローラを提供する。
【解決手段】電源用コントローラ１２４は、論理ブロック１３４と時間−周波数コンバータ１３７とを含む。論理ブロック１３４はクロック信号１３５に応答して駆動信号１３０を生成するものである。駆動信号１３０は、電源の出力を調整するように電源の電力スイッチの切換を制御するように結合されるものである。時間−周波数コンバータ１３７は論理ブロック１３４に結合され、駆動信号１３０の期間に応答する周波数を有するクロック信号１３５を生成する。 （もっと読む）

【課題】ある範囲の負荷条件にわたってパワーコンバータの出力電圧の調整を向上させるための方法および装置を提供する。
【解決手段】軽負荷／無負荷条件でパワーコンバータの出力電圧を調整するための例示的な装置は、ドライバ回路、フィードバック回路、および調節可能電圧基準回路を含む。ドライバ回路は、駆動信号を出力して電力スイッチをオン状態とオフ状態との間で切換えてパワーコンバータの出力を調整するように結合される。フィードバック回路はドライバ回路に結合され、さらに、出力電圧信号に応じてイネーブル信号を出力して電力スイッチをオン状態に切換えるように結合される。調節可能電圧基準回路は、パワーコンバータの出力に結合された負荷に応じてパワーコンバータのバイアス巻線電圧が非線形に調節されるように電圧基準を調節するよう結合される。 （もっと読む）