【課題】スイッチング・レギュレータ方法および装置を開示する。
【解決手段】スイッチング・レギュレータの制御端子は、電源の出力部に結合される端子である。スイッチング・レギュレータは、制御端子に結合され、かつ、電源の出力に応じて帰還信号を生成する制御回路を備えている。制御回路１４７は、また、電力スイッチのスイッチングを制御するように結合される駆動信号を生成している。制御回路は、帰還信号に応じて駆動信号を生成する。駆動信号は、帰還信号値の第１の範囲に対しては固定の周波数を有し、帰還信号値の第２の範囲に対しては、サイクルをスキップすることなく可変周波数で動作する。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体デバイス構造と、高電圧トランジスタを製造するためのプロセスとを提供する。
【解決手段】パワートランジスタデバイスは基板を含み、当該基板は、上に重なっているバッファ層とのＰＮ接合を形成する。パワートランジスタデバイスはさらに、第１の領域と、バッファ層の上面に隣接するドリフト領域と、ボディ領域とを含む。ボディ領域は、ドリフト領域から第１の領域を分離する。第１および第２の誘電体領域は、それぞれ、ドリフト領域における対向する横方向側壁部分に隣接する。誘電体領域は、少なくともボディ領域の下から下方に垂直方向に延在して少なくともバッファ層に達する。第１および第２のフィールドプレートは、それぞれ、第１および第２の誘電体領域に配置される。順方向導通を制御するトレンチゲートは、ボディ領域に隣接し、当該ボディ領域から絶縁された誘電体領域の上方に配置される。 （もっと読む）

【課題】スイッチ・モード電源の障害状態保護のための方法および装置を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様には、障害状態下において電源を繰り返しオン・オフする自動再始動機能を有する電源回路が含まれる。一実施形態では、障害状態の検出に続く１つまたは複数のオフ時間は後続のオフ時間よりも短い。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体デバイス構造と、高電圧トランジスタを製造するためのプロセスを提供する。
【解決手段】エピタキシャル層１３はバッファ層１１にて分離され、バッファ層１１まで垂直方向に一定であるドーピング濃度を有する。間隔を空けて配置された１対のトレンチは、エピタキシャル層１３において、当該エピタキシャル層１３の上面から下方の少なくともバッファ層１２にまで形成される。誘電材料が、トレンチにおいて第１および第２の側壁部分の上に形成される。ソース／コレクタおよびボディ領域１４はエピタキシャル層１３の上部に形成される。ボディ領域１４は、ボディ領域１４からバッファ層１２にまで延在するエピタキシャル層１３のドリフト領域から柱のソース／コレクタ領域を分離している。ボディ領域１４に隣接し、ボディ領域１４から絶縁されたトレンチの各々において絶縁ゲート部材１７が形成される。 （もっと読む）

【課題】強制一次調節を備えたフライバックコンバータを開示する。
【解決手段】例示的なフライバックコンバータは、第１の巻線、第２の巻線および第３の巻線を含む結合インダクタを含む。第１の巻線は入力電圧に結合され、第２の巻線はパワーコンバータの出力に結合される。切換素子は、第２の巻線に結合される。二次制御回路は、切換素子および第２の巻線に結合される。二次制御回路は、所望の出力値と実際の出力値との差に応答して切換素子を切換えて、所望の出力値と実際の出力値との差を表わす電流が第３の巻線に強制的に流入するように結合される。一次スイッチは、第１の巻線に結合される。一次制御回路は、一次スイッチおよび第３の巻線に結合される。一次制御回路は、強制された電流に応答して一次スイッチを切換えてパワーコンバータの出力を調節するように結合される。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体デバイス構造と、高電圧トランジスタを製造するためのプロセスとを提供する。
【解決手段】パワートランジスタデバイスは、第１の導電型の基板を含み、当該基板は、上に重なっている第２の導電型のバッファ層とのＰＮ接合を形成する。パワートランジスタデバイスはさらに、第２の導電型の第１の領域と、バッファ層の上面に隣接する第２の導電型のドリフト領域と、第１の導電型のボディ領域とを含む。ボディ領域は、ドリフト領域から第１の領域を分離する。第１および第２の誘電体領域は、それぞれ、ドリフト領域における対向する横方向の側壁部分に隣接する。誘電体領域は、少なくともボディ領域の下から下方に垂直方向に延在して少なくともバッファ層にまで達する。順方向導通を制御するトレンチゲートは、ボディ領域に隣接し、当該ボディ領域から絶縁された誘電体領域の上方に配置される。 （もっと読む）

【課題】力率改善（ＰＦＣ）コンバータにおいて使用されるコントローラを提供する。
【解決手段】ＰＦＣコンバータにおいて使用されるコントローラは、駆動信号を出力してパワースイッチをオン状態とオフ状態との間で切換え、ＰＦＣコンバータの出力にエネルギを伝達するように結合された力率改善コントローラ回路を含む。コントローラは、周波数調整信号を力率改善コントローラ回路に出力し、ＰＦＣコンバータの出力に結合された負荷を表わす負荷信号に応答してパワースイッチの平均スイッチング周波数を調整するように結合されたスイッチング周波数調整装置も含む。周波数調整信号は、負荷状態の範囲に応答する。 （もっと読む）

【課題】方法は電力供給器のエネルギ転送要素に含まれるシールド巻線の巻数を計算することを含む。
【解決手段】当該計算は、電力供給器の入力導体において低ノイズ電流を得るようになされる。この方法はさらに、シールド巻線についての巻数を増加させることと、電力供給器を動作させることと、実質的にノイズ電流を低減するようシールドインピーダンスの値を調節することとを含む。装置は、エネルギ転送要素とシールドインピーダンスとを有する電力供給器を含む。このエネルギ転送要素は、エネルギ転送要素の外側で終端する端部を有するシールド巻線を含む。シールドインピーダンスは、シールド巻線の当該外側で終端する端部と電力供給器の入力導体との間に結合される。シールドインピーダンスは、入力導体においてノイズ電流を実質的に低減するようゼロではない有限のインピーダンス値を有する。 （もっと読む）

【課題】力率改善（ＰＦＣ）コンバータで用いられるコントローラを提供する。
【解決手段】パワーコンバータ１００は、ａｃ電圧源１０６をブリッジ整流器１０８に接続し、エネルギ蓄積インダクタＬ１１１４を介してパワースイッチ１１８に結合されている。コントローラ１０２の積分器１５４は、ａｃ電圧源１０６の大きさに応答する入力電圧信号ＵＶＩＮ１３０とパワースイッチ１１８がオンであるときに流入する電流に応答する電流検知信号ＵＩＩＮ１６４を受て出力信号１５７を発生させる。オン／オフ論理１５６は、パワースイッチ１１８を駆動して、パワーコンバータ１００のエネルギ伝達素子１２８を通る電力を制御する。オン／オフ論理１５６は、出力信号１５７がしきい値に達するとパワースイッチ１１８のオン期間を終了させる。積分器１５４の利得は、負荷１２６の大きさが一定であるときに一定となるよう調整される。 （もっと読む）

【課題】縦型ＨＶＦＥＴにおいて、その延長ドレイン又はドリフト領域の高耐圧化手段を提供する。
【解決手段】縦型ＨＶＦＥＴは、ループレイアウトに配置された半導体材料からなるピラーを含む。このループレイアウトは、各々第１の幅を有する少なくとも２つの実質的に平行で実質的に線形のフィレット領域と、少なくとも２つの丸みのある領域とを有する。丸みのある領域は、第１の幅よりも狭い第２の幅を有し、ピラーの最上面にまたは最上面の近くに第１の導電型のソース領域が配置されており、ピラーの中、ソース領域の下に第２の導電型のボディ領域が配置されている。第１および第２の誘電体領域はそれぞれ、ピラーの対向する側に配置されており、第１の誘電体領域は、ピラーによって横方向に囲まれており、第２の誘電体領域は、ピラーを横方向に囲んでいる。第１および第２のフィールドプレートは、それぞれ第１および第２の誘電体領域中に配置されている。 （もっと読む）