【課題】実施が容易で、費用がかさまず、かつ、互いに容易に接続することができ、完全に汚染を防ぐあらゆるタイプの幾何形状の小サイズ埋込み流路を得ることができる方法を提供すること。
【解決手段】積層体１２上で所定方向Ｆに光学放射を照射移動させることである、基板１５上に少なくとも１つの埋込みマイクロ流路９を作製する方法に関する。積層体１２は、変形可能な薄い吸収層１３と、光学放射によって引き起こされる加熱作用によるガスを局部的に放つことのできる材料によって形成された薄い層１４とを連続的に含む。従って、積層体１２上への光学放射の局部的放射は、薄い吸収層１３を変形させるガスの気泡を形成する。次いで、光学放射の移動は、光学放射の移動方向Ｆに薄い吸収層１３の変形部を拡張し、埋込みマイクロ流路９を形成する。本発明は、流体移送のためのマイクロ素子及びマイクロ燃料電池にも関する。 （もっと読む）

電子ペン（１）は、先端（３）が備え付けられたリード（２）と、インク容器（４）と、ユーザによってリード（２）に加えられる力を測定するように設計された３次元力センサ（６）とを備える。例えばリード（２）の先端（３）から１５ｍｍ未満の距離（Ｈ２）に配置された３次元力センサ（６）は、リード（２）の先端（３）の軸（８）上に配置された高感度検出要素（７）を備える。ペン（１）は、インク容器（４）と３次元力センサ（６）との間に配置された可撓性材料で形成される第１の要素（１０）を備えて、リード（２）に加えられる力を３次元力センサ（６）に伝達する。ペン（１）は、リード（２）内部でインク容器（４）を固定するように設計された可撓性材料で形成される第２の要素（１１、１１ａ）を備えることができる。
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【課題】補助磁場の供給源を必要とせずに高い周波数範囲における動作を可能にする。
【解決手段】集積型マイクロエレクトロニクス構成要素は、無線周波数電磁波用の伝送線路素子を形成する導体（３）を含む。この導体は、８００ｋＡ／ｍ以上の飽和磁化値（Ｍｓ）を有する強磁性材料層と、磁性材料層との重ね合わせによって形成される、好ましくは閉磁気回路（６）によって少なくとも部分的に囲まれている。その結果、磁性材料層は、隣接する強磁性材料層に一軸磁気異方性を生じさせる。その結果、高い磁化を高い異方性と組み合わせることが可能になり、したがって、例えば約５〜２０ＧＨｚの高い周波数範囲における動作を可能にする。 （もっと読む）

本発明は、濡れヒステリシスが低い自由表面を得るために、ｘが１．４〜２であり、ｙが０．８〜１．４であるＳｉＣ_ｘＯ_ｙ：Ｈ、およびｘ’が１．２〜１．４であり、ｙ’が０．６〜０．８であるＳｉＣ_ｘ’Ｎ_ｙ’：Ｈから選択された化合物からなる、少なくとも一個の上側層（６）を含んでなる、好ましくは化学蒸着により得られる、表面被覆に関する。そのような疎水性表面被覆（６）は、少なくとも一個の、電極（４）の列を備えた基材（１）を含んでなり、electrowetting-on-dielectric により液滴を移動させるのに特に好適な微細要素の自由表面上に配置することができる。
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本発明は、ポリシロキサン中で、直鎖状−Ｓｉ−Ｏ−結合数と環状−Ｓｉ−Ｏ−結合数の比が０．４以下、好ましくは０．３以下になるような、所定の構造または配置を有する、ポリシロキサン系材料に関する。そのようなポリシロキサン構造により、濡れヒステリシスが１０°未満、好ましくは５°未満になる。低濡れヒステリシス材料は、プラズマにより強化された前駆物質を注入する化学蒸着により製造することができる。前駆物質は、環状オルガノシロキサン、例えばオクタメチルシクロテトラシロキサンおよびそれらの誘導体、および環状オルガノシラザン、例えばオクタメチルシクロシラザン、およびそれらの誘導体、から選択される。プラズマ中に消散する電力密度と、注入される前駆物質の流量との比は１００Ｗ．ｃｍ^−２／ｍｏｌ．ｍｉｎ^−１以下である。 （もっと読む）

【課題】自己集合により部材を配置するための化合物を提供する。
【解決手段】式Ｉ、Ｙ’（Ｘ’）_ｎＡ’（Ｉ）の化合物類で官能化された表面の第１の部材を、式ＩＩ、Ｙ（Ｘ）_ｎ’Ａ（ＩＩ）の化合物類で官能化された第２の部材の表面に配置および固定（結合）する本発明の方法で、ただし、ＡおよびＡ’は部材の表面に少なくとも共有的に結合できる官能基であり、ＸおよびＸ’は、脂肪族で、直鎖状、分岐状または環状スペーサーで、該スペーサーは１種類以上のヘテロ、または芳香族、または複素環式芳香族原子を含んでよいか、または複数の芳香族または複素環式芳香族環より成り、および芳香族または複素環式芳香族基を有し交互に存在する脂肪族鎖から成っていてよく、ｎおよびｎ’は０または１であり、ＹおよびＹ’は１つ以上の非共有型の結合を生成するための官能基で、ただし、ＹおよびＹ’はそれらが相補的であるか、または金属原子または同一の金属化合物と錯体を形成できるように選択される。 （もっと読む）

ソース電極（３）及びドレイン電極（４）はそれぞれゲルマニウム及びシリコン化合物からなる第１の層（５）と第２の層（６）を交互にすることで形成される。第１の層（５）は０％以上１０％以下のゲルマニウム濃度を有し、第２の層（６）は１０％以上５０％以下のゲルマニウム濃度を有する。少なくとも１つのチャネル（１）はソース電極（３）及びドレイン電極（４）の各々の第２の層（６ａ、６ｂ）を接続する。方法は、層（５，６）の積層体での狭領域で接続されたソース及びドレイン領域のエッチングを含む。そして、１０％以上５０％以下のゲルマニウム濃度を有するゲルマニウム及びシリコン化合物のシリコンを酸化し、ゲルマニウムＧｅを凝縮するために、前記積層体の表面熱酸化が行われる。狭領域の酸化シリコンは除去され、狭領域の凝縮されたゲルマニウム上にゲート誘電体（７）及びゲート（２）が堆積される。
（図２）
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本発明の光学データ記録媒体は、第一基材と第二基材と（２、８）、それらの基材の間に配置された、好ましくは無機材料から製造された少なくとも一つの第一感光層（５）とを含んでなる。第一感光層（５）は、書込みおよび読取り操作の際に、第二基材を通して光学放射線（６）を受光するための前表面（５ａ）を備えている。第一の光（６）を透過する変形可能層（７）が、第一感光層（５）と第二基材（８）との間に配置されている。第一基材（２）は、好ましくはらせん形状の溝を形成することができるように構造化された前表面（２ｂ）を備えており、その溝によって、自動焦点制御および追跡機構により正確なデータ書込みおよび／または読取りを行うことができる。
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【課題】本発明は、機械部品用コーティング（１）に関する。
【解決手段】本発明のコーティングは、機械部品（２）と接触するように意図された水素含有アモルファス炭化ケイ素の第一層（３）、積層構造（４）、および水素含有アモルファスカーボンの外側層（５）を含んでなる。上記の積重構造（４）は、水素含有アモルファスカーボンと水素含有アモルファス炭化ケイ素との交互層（４ａ、４ｂ）を含んでなる。被覆の総厚は、好ましくは１０〜２０マイクロメートルである。
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本発明は、マイクロチップ(3)及び記録媒体(2)を有するデータ記録装置(1)に関する。記録媒体(2)は、好適には炭素から成る抵抗層(5)が被着された基板(4)を有し、上記抵抗層(5)、活性層(6)で被覆されている。本発明によれば、上記活性層(6)は、電圧をマイクロチップ(3)と対向電極との問に印加すると、第1の電気抵抗値から第2の電気抵抗値に移ることができる。本発明のデータ記録装置(1)は、活性層(6)とマイクロチップ(3)との間に設けられた少なくとも1つの炭素から成る抵抗素子(7)を更に有する。
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