【課題】スルーホールへのめっき性に優れる無電解めっき前処理剤を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）及び（２）で表されるイミダゾールアルコール化合物の１種又は２種以上と、パラジウム化合物とを含有する無電解めっき前処理剤。
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【課題】低温保護層の成長プロセスを省略でき、ＧａＮ系半導体基板の製造コストを低減できるとともに、低温保護層の品質のばらつきによる影響を排除できる窒化物系化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】平均表面粗さが０．２〜１０ｎｍに制御された成長用基板上に、窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長させる。例えば、成長用基板をエピタキシャル成長装置に投入した後、成長用基板の平均表面粗さが０．２〜１０ｎｍとなるようにアニール処理を施す。 （もっと読む）

【課題】良好な放電容量を有し、且つ、放電容量のばらつきが抑制されたリチウムイオン電池用正極及びその製造方法を提供する。
【解決手段】リチウムイオン電池用正極は、組成式：Ｌｉ_x（Ｎｉ_yＭ_1-y）Ｏ_z
（式中、ＭはＭｎ及びＣｏであり、ｘは０．９〜１．２であり、ｙは０．３〜０．９であり、ｚは１．８〜２．４である。）
で表される層構造を有するリチウムイオン電池用正極活物質を含む正極合剤を集電体の表面に塗布して作製されたリチウムイオン電池用正極であり、測定長さ４ｍｍで走査して測定した表面粗さ（Ｒ_zjis）が１０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】錫めっき皮膜のウィスカーの発生を防止する熱処理時間をより短縮し、製品の生産性を向上させる方法を提供する。
【解決手段】可溶性錫塩と、錯化剤と、酸を含み、クロム、マンガン、鉄、アルミニウム、バナジウム、ジルコニウム、モリブデンを含有しない無電解錫めっき液であって、前記酸の少なくとも１成分として、リンゴ酸を５〜２００ｇ／Ｌ含有し、アルカンスルホン酸とアルカノールスルホン酸のアニオン部分が共存しないことを特徴とする無電解錫めっき液。及び前記無電解錫めっき液に少なくとも表面に銅を有する被めっき物を浸漬した後、温度１１０〜１３０℃で４５〜９０分熱処理を行い、得られる錫めっき皮膜中の純錫層の厚さを０．１００〜０．２５０μｍとすることを特徴とする銅上に形成された錫めっき皮膜を有するめっき物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長用基板上に直接ＧａＮ系半導体厚膜層を成長させるＧａＮ系半導体基板の製造方法により、ＧａＮ系半導体基板を生産性よく製造できる技術を提供する。
【解決手段】９００℃〜１０５０℃の成長温度で窒化物系化合物半導体層を直接エピタキシャル成長させる際に、成長温度までの昇温プロセスにおいて表面粗さが１０ｎｍを超えて劣化しないエピタキシャル成長用基板を用いる。
具体的には、１２００℃以上１４００℃以下で５〜２０時間保持するインゴットアニール処理を施されたＮＧＯ基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】小型でコンパクト、かつ処理液による効果を維持したストリップの洗浄又は塗布装置及び方法を提供する。
【解決手段】処理液をストリップに吹き付けて洗浄又は塗布を行うストリップの洗浄又は塗布装置１０であって、多数の気体噴出孔２ｆを有し、下側に向く断面が曲面をなす搬送面２ａを備え、該気体噴出孔から噴出する気体によって搬送面と非接触状態でストリップを上下に方向転換するストリップ方向転換装置２と、搬送面に上から下に向かって導入されるストリップの両面に処理液を吹き付ける第１処理液吹付け部４と、搬送面から上に向かって退出するストリップの両面に処理液を吹き付ける第２処理液吹付け部６と、搬送面、第１処理液吹付け部、及び第２処理液吹付け部を収容する液槽８と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高品質のリチウムイオン電池用正極活物質を効率良く製造する。
【解決手段】焼成容器は、底面部と、底面部の側辺から容器開口側へ起立するように形成された側壁部とを備えた焼成容器であって、底面部は、中央部が容器開口側へ向かって突出し、且つ、中央部の高さが最大となるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】無接着剤フレキシブルラミネートのタイコート層又はタイコート層と同等の金属又は合金を金属導体層状に形成する。同時に回路配線のファインピッチ化の妨げとなるサイドエッチングを抑制する。
【解決手段】少なくとも一方の面がプラズマ処理されたポリイミドフィルムと、その上に形成されたタイコート層と、該タイコート層上に形成された金属導体層を有し、さらに該金属導体層の上に前記タイコート層と同一成分の層を有することを特徴とする無接着剤フレキシブルラミネート。 （もっと読む）

【課題】強度及び曲げ加工性のバランスが向上したチタン銅を提供する。
【解決手段】Ｔｉを２．０〜４．０質量％含有し、第３添加元素としてＭｎ、Ｆｅ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｂ、Ｐの中から１種以上を合計で０〜０．５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物からなる銅合金であって、圧延方向に平行な断面の検鏡によって観察される粒径０．０５μｍ以上１．０μｍ以下の第二相粒子の平均個数密度（Ｙ）が１０〜２０個／μｍ²であり、材料温度５５０℃で５時間の熱処理を加えたときに０．２％耐力（ＹＳ）が４００ＭＰａ以上低下する銅合金。 （もっと読む）

【課題】チタン基材表面にＡｕ層又はＡｕを含む層を強固かつ均一に形成可能で、燃料電池用セパレータに要求される密着性及び耐食性を確保できる燃料電池用セパレータ材料を提供する。
【解決手段】Ｔｉ基材２の表面に、ＣｒとＡｕとの合金層６、又はＡｕ単独層８が形成され、合金層又はＡｕ単独層とＴｉ基材との間に、Ｔｉ、Ｏ及びＣｒを含み、Ａｕ２０質量％未満の中間層２ａが存在し、最表面から１ｎｍの深さから下層に向かい、Ｔｉが５０質量％となる深さまでのＣの最大含有量が１０質量％以下である燃料電池用セパレータ材料である。 （もっと読む）