【課題】リチウムイオン二次電池の容量維持率の向上に貢献する集電体を提供する。
【解決手段】銅又は銅合金箔基材と、該銅又は銅合金箔基材表面上に直接又は間接的に設けられ、外側に向かって突出した導電性繊維を有する最外めっき層とを備えたリチウムイオン二次電池用集電体。 （もっと読む）

【課題】ターゲットのスパッタライフを通じて膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）を良好にするとともに、ターゲットの寿命が長い高使用効率ターゲット、ターゲットの製造方法及びターゲット−バッキングプレートを提供する。
【解決手段】マグネトロンスパッタリング用ターゲットバッキングプレート組立体であって、ターゲット１のエロージョン面とターゲットの背面に配置したマグネット及びターゲットに対向する基板面との距離がそれぞれ一定であり、当該ターゲットはスパッタリングによりエロージョンを受ける部位が厚くなるようにバッキングプレート面側に厚さを変化させた凹凸形状を備え、バッキングプレートと凹凸形状を有するターゲット間のターゲットの肉薄部分に導電性の材料からなるスペーサーを備えていることを特徴とするターゲットバッキングプレート組立体。 （もっと読む）

【課題】優れた強度及び曲げ加工性を有するチタン銅を提供する。
【解決手段】Ｔｉを２．０〜４．０質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物からなる電子部品用銅合金であって、圧延面の｛２２０｝結晶面からのＸ線回折強度ピークの半価幅であるβ｛２２０｝が、純銅標準粉末の｛２２０｝結晶面からのＸ線回折強度ピークの半価幅であるβ₀｛２２０｝と次式：３．０≦β｛２２０｝／β₀｛２２０｝≦６．０を満たし、且つ、圧延方向に平行な断面の組織観察において、平均結晶粒径が円相当径で表して３０μｍ以下であるである銅合金。 （もっと読む）

【課題】耐薬品性、接着性、高周波特性に優れたプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】樹脂との接着面となる銅箔の無粗化面に形成された耐熱処理層、該耐熱処理層上に形成されたクロメート皮膜層、該クロメート皮膜層上に形成されたシランカップリング剤層からなるプリント配線板用銅箔であって、シランカップリング剤層形成後の銅箔最表面のZn量が1.5Atomic%以下であり、Cr量が3.0〜12.0Atomic%とする。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適した、環境負荷が小さい環境配慮型プリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】 プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備え、被覆層には、Ｃｏが２５〜９００μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在し、ＸＰＳによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）のコバルトの原子濃度（％）をf(x)とし、銅の原子濃度（％）をg(x)とし、酸素の原子濃度（％）をh(x)とし、炭素の原子濃度（％）をｉ(x)とし、その他の金属の原子濃度の総和をj(x)とすると、区間［０、１．０］において、∫g(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx)が１０％以下で、∫f(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx)が２０％以上を満たす。 （もっと読む）

【課題】黒鉛に代わる良好なサイクル特性を有しかつ充放電容量の高い負極活物質、該活物質を用いた負極及びリチウムイオンニ次電池を提供する。
【解決手段】結晶構造がＲ−３ｍ（Ｚ＝６）であるＣａＳｉ₂を含有し、該ＣａＳｉ₂を５０質量％以上含有するリチウムイオン二次電池用負極活物質である。更に、該負極活物質は平均粒径が２〜３０μｍであり、体積基準の粒径分布が１０％累積径が１〜５μｍ、９０％累積径が５〜７０μｍであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】良質なエピタキシャル結晶を成長可能なエピタキシャル成長用のＣｄＴｅ系半導体基板の製造方法及びＣｄＴｅ系半導体基板を提供する。
【解決手段】所定の半導体をエピタキシャル成長させるためのＣｄＴｅ系半導体基板の製造方法において、基板表面を鏡面研磨した後又はエッチングした後、２４時間以内に非酸化性ガス雰囲気中で保管する。これにより、原子間力顕微鏡で基板表面を観察したときに１０μｍ×１０μｍの視野範囲内に高さ５ｎｍ以上の突起が観察されないＣｄＴｅ系半導体基板が実現される。 （もっと読む）

【課題】銅箔に更に電気抵抗膜を形成することにより、電気抵抗材の基板内蔵化を可能とし、且つその接着性を向上させ、抵抗値のばらつきが小さい金属箔及びプリント回路用基板を提供する。
【解決手段】光学的方法で測定した十点平均粗さＲｚで４．０〜６．０μｍに調整した金属箔表面に形成した銅−亜鉛合金膜、この銅−亜鉛合金層の上に形成した酸化亜鉛、酸化クロム、酸化ニッケルから選択した少なくとも１成分からなる安定化膜、さらにこの安定化層の上に形成したニッケルクロム合金からなる電気抵抗膜を備え、さらにこの電気抵抗膜上にテトラエトキシシランを吸着・乾燥させた金属箔であって、前記電気抵抗膜の抵抗値のばらつきを±１０％以内にする。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法を利用して製造可能で、隣接層へのＺｎ拡散の少ない変調ドープ構造を有するエピタキシャル結晶及び受光素子を提供する。
【解決手段】第１化合物半導体層１２と、第１化合物半導体層上に形成され、Ｚｎドープによりｐ型に制御された第２化合物半導体層１３と、この第２化合物半導体層上に形成された第３化合物半導体層１４とからなるエピタキシャル結晶において、第１化合物半導体層と第２化合物半導体層の界面、及び、第３化合物半導体層と第２化合物半導体層の界面が、タイプＩＩまたは価電子帯のみが不連続となるようなヘテロ接合構造をなすようにする。また、第２化合物半導体層の価電子帯の不連続量が、第１化合物半導体層及び第３化合物半導体層に対して、０．１ｅＶ以上となるようにする。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適した、環境負荷が小さいプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、被覆層が、銅箔基材表面から順に積層した、金属の単体又は合金からなる中間層及びＴｉ層で構成され、被覆層には、Ｔｉが１５〜１００μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在し、ＸＰＳによる表面からの深さ方向分析から得られた深さ方向（ｘ：単位ｎｍ）の金属チタンの原子濃度（％）をf₁(x)とし、酸化物チタンの原子濃度（％）をf₂(x)とし、全チタンの原子濃度（％）をf(x)とし（f(x)= f₁(x)+ f₂(x)）、ニッケルの原子濃度（％）をg(x)とし、銅の原子濃度（％）をh(x)とし、酸素の原子濃度（％）をｉ(x)とし、炭素の原子濃度（％）をj(x)とし、その他の金属の原子濃度の総和をｋ(x)とすると、区間［０、１．０］において、∫ｈ(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が１０％以下で、∫f₂(x)dx/(∫f(x)dx + ∫g(x)dx + ∫h(x)dx + ∫i(x)dx + ∫j(x)dx + ∫k(x)dx)が１５％以上で、区間［１．０、２．５］において、０．１≦∫f₁(x)dx/∫f₂(x)dx≦２．５を満たす。 （もっと読む）