【課題】Ｎａ等の不純物の少ない高純度の炭酸リチウムを製造することを目的とする。
【解決手段】 リチウムイオン電池の有価物回収において、
溶媒抽出によりニッケルとリチウムを含有した有機相を、ニッケルを含む硫酸溶液によって洗浄し、洗浄液中にリチウムを濃縮する第1工程と、
前記リチウムを濃縮した洗浄後液から、有機溶媒を用いて残留ニッケルのみを抽出する第２工程と、
前記リチウムを含む抽出後液から、アンモニア水でｐＨ調整を行う第3工程からなる前処理工程を有する炭酸リチウムの不純物を低減する炭酸リチウムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、製造コストが良好なプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、該被覆層は、銅箔基材表面から順に積層した、ＮｉとＭｎとを含むＮｉ−Ｍｎ合金層及びＣｒ層で構成され、前記Ｃｒ層にはＣｒが１５〜２１０μｇ／ｄｍ²、前記Ｎｉ−Ｍｎ合金層にはＮｉ及びＭｎの合計が２０〜４４０μｇ／ｄｍ²の被覆量でそれぞれ存在し、前記Ｎｉ−Ｍｎ合金層中にＭｎが１５〜７５重量％存在するプリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】 絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適したプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】 銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、該被覆層は銅箔基材表面から順に積層したＣｕ−Ｎｉ合金層及びＣｒ層で構成され、該被覆層には、Ｎｉが１５〜４４０μｇ／ｄｍ²、Ｃｒが１８〜１８０μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在するプリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板との接着性及びエッチング性の両方に優れ、ファインピッチ化に適したプリント配線板用銅箔を提供する。
【解決手段】銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、該被覆層は銅箔基材表面から順に積層したＴｉ層及びＣｒ層で構成され、該被覆層にはＴｉが１５〜１４０μｇ／ｄｍ²、Ｃｒが３０〜１５０μｇ／ｄｍ²の被覆量で、且つ、ＴｉとＣｒの被覆量の比Ｔｉ／Ｃｒが１．２以下で存在するプリント配線板用銅箔 （もっと読む）

【課題】電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供する。
【解決手段】電気銅めっきを行うに際し、アノードとして含リン銅を使用し、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２以上である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を１０〜１５００μｍとし、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２未満である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を５〜１５００μｍとしたアノードを用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 （もっと読む）

【課題】活物質層との高い密着性を実現できるリチウム電池の集電体として好適な銅箔を提供する。
【解決手段】上下面の圧延平行方向における表面粗さについて、０．０１μｍ≦Ｒａ≦０．１０μｍを満たし、且つ、ＲＳｍ≦２０μｍを満たすリチウム電池集電体用圧延銅箔。 （もっと読む）

【課題】めっき液中のスラッジ等のパーティクルの発生を抑え、半導体ウエハへのパーティクルの付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供する。
【解決手段】アノード４として含リン銅を使用し、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２以上である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を１０〜１５００μｍとし、電解時の陽極電流密度が３Ａ／ｄｍ^２未満である場合に、前記含リン銅アノードの結晶粒径を５〜１５００μｍとしたアノード４を用いて電気銅めっきを行うことを特徴とする電気銅めっき方法。 （もっと読む）

【課題】薄型化されたウェハにめっき処理をする際にウェハ裏面への金属析出やウェハの反り及び損傷を抑制すると共に、ウェハのめっき処理効率が良好な半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハを薄型化する工程１、薄型化された前記ウェハの裏面をダイシングテープでリングフレーム内にマウントする工程２、及び、前記リングフレーム内にマウントされた前記ウェハの表面にめっき処理を行う工程３を備えた半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】安定した特性を有するヘテロ界面の形成、ひいては高い選択性を持ったＩｎＰエッチストッパー層の形成を実現するエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシャル成長法によりＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体のヘテロ接合を有する半導体薄膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層を形成する第１の工程と、ＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線の照射を停止し、第１のＶ族元素の供給量が第１の工程における供給量の１／１０以下となるまで成長を中断する第２の工程と、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第２のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層上に第１の化合物半導体とは異なる第２の化合物半導体層を形成する第３の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】貫通シリコンビア形成時におけるビア内側壁の銅シード層のカバレッジが良好で均一な銅配線層を有するめっき物を提供することを目的とする。
【解決手段】基材上にバリア層として形成された、タングステン及びタングステンと合金化した際に銅に対するバリア性を有する金属（Ａ）との合金薄膜、その上に無電解置換銅めっきにより銅シード層、さらに前記無電解置換銅めっきを実施したのと同一のめっき液を用いた電気銅めっきにより銅配線層がこの順番で形成されてなる、貫通シリコンビアを有するめっき物。 （もっと読む）