【課題】メモリセルの高集積化およびメモリセルのキャパシタの容量増大を図る。
【解決手段】半導体基板の活性領域４０を規定する分離トレンチ２内にはフィールドシールド電極であるＮ型導電性膜４ｎが形成される。各活性領域４０には、その両端に形成されたキャパシタと、ゲート電極１２を有する２つのトランジスタとから成る２つのＤＲＡＭセルが形成される。活性領域４０の両端のキャパシタは、分離トレンチ２の内壁（活性領域４０の側壁）の不純物拡散層をストレージ電極とし、分離トレンチ２内のＮ型導電性膜４ｎをセルプレート電極とする。活性領域４０の両端のキャパシタのセルプレート電極であるＮ型導電性膜４ｎは、互いに分離トレンチ２内で繋がっている。 （もっと読む）

【課題】インパルス信号を受信する受信装置で、妨害信号を減衰する低域通過フィルタ１３０、１３１に能動フィルタを使用する際に、または中遠距離通信にも対応するための可変利得増幅器１４０、１４１を採用する際に、増加する消費電力を補償すること。
【解決手段】インパルス信号の非受信期間に動作制御ユニット１９０により、低雑音増幅器１１０、復調器１２０、１２１、低域通過フィルタ１３０、１３１、可変利得増幅器１４０、１４１、アナログデジタル変換器１５０、１５１の各段の回路の電源スイッチＳＷ１１０・・・ＳＷ１５１をオフ状態に制御する。能動フィルタもしくは可変利得増幅器を採用による消費電力の増加を、電源スイッチＳＷ１１０・・・ＳＷ１５１のオン・オフ制御による各段の回路の間欠動作による消費電力の削減によって補償する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームのアイランドと、アイランド上に搭載されるチップとを絶縁することのできる技術を提供する。
【解決手段】リードフレーム５のアイランド５ａ上に第１絶縁ペースト材６ａを載せて、ここにｎ型の導電性を示す基板からなるダミーチップ４を貼り付け、続いてダミーチップ４上に第２絶縁ペースト材６ｂを載せた後、ここにｐ型の導電性を示す基板からなり、集積回路が形成されたチップ３を集積回路が形成された回路形成面を上にして貼り付け、続いてチップ３の回路形成面に形成されたボンディングパッド７と、リードフレーム５のアイランド５ａ及びリード５ｂとをワイヤ８で接続する。 （もっと読む）

【課題】インバータのレイアウト面積の増加を防止しながら、電源電圧などの電源変動があっても安定して動作させる。
【解決手段】ＣＭＯＳ構成からなるインバータ１は、ＰチャネルＭＯＳのトランジスタ２，３、およびＮチャネルＭＯＳのトランジスタ４からなり、これら電源電圧ＶＣＣと基準電位ＶＳＳとの間に直列接続されている。これにより、ＰチャネルＭＯＳトランジスタのＯＮ抵抗が大きくなり、電源電圧ＶＣＣに依存しないほぼ一定のロジックレベルのインバータを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】バックアップ処理を容易にするとともに、バックアップ時の消費電力を削減し、ＳＤＲＡＭを高速動作させる。
【解決手段】プロセッサＭＰＵと、セルフリフレッシュ機能を有するＳＤＲＡＭと、ＳＤＲＡＭ制御手段を内蔵するメモリコントローラとを含むメモリ制御システムにおいて、前記ＳＤＲＡＭがバックアップ状態であるか否かを検知して前記メモリコントローラに通知する電源監視手段を備え、前記メモリコントローラが、前記電源監視手段からの通知に基づいてシステムパワーオン時における前記ＳＤＲＡＭのクロック無効化期間を選択することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに形成する抵抗素子の占有面積を充分に縮小できる技術を提供する。また、抵抗値の調整を容易に行なうことができる技術を提供する。
【解決手段】ｐ型不純物を導入した半導体基板１２の内部にｎ型半導体領域よりなるウェル抵抗５を形成する。このウェル抵抗５上には、溝に絶縁膜を埋め込んだ絶縁領域４が形成されており、絶縁領域４上に複数のポリシリコン抵抗９ａ〜９ｃが形成されている。つまり、ウェル抵抗５上に絶縁領域４を介して複数のポリシリコン抵抗９ａ〜９ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】リモコンから送信された制御信号の信号処理を行う信号処理部を一元的に管理すると共に、情報処理端末の小型化を実現する。
【解決手段】プリアンプがテレビリモコンからの赤外線信号を受信すると、赤外線受信コントローラ１５は、割り込み要求信号をキーボードコントローラＣＰＵ１１に出力し、該テレビリモコンからの割り込みが発生したことを通知する。キーボードコントローラＣＰＵ１１は、割り込み優先順位設定レジスタ１１ａに設定された割り込み処理の優先順位を確認し、テレビリモコンの割り込みよりも高い優先順位の処理があるか否かを判定する。テレビリモコンの割り込みよりも高い優先順位の処理がない場合は、テレビリモコンの割り込み処理を実行し、テレビリモコンの割り込みよりも高い優先順位の割り込みがあれば、その割り込み処理を実行した後にテレビリモコンの割り込み処理を実行するように制御を行う。 （もっと読む）

【課題】疎水化処理の信頼性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】本発明の疎水化処理装置は、チャンバ１０とチャンバ１０内に設置されたステージ１１を有する。そして、ステージ１１上に半導体ウェハＷが配置される。一方、タンク１３は配管１２を介してチャンバ１０と接続されている。タンク１３内には、ＨＭＤＳ供給部１４から供給されたＨＭＤＳ１５が貯蔵されている。このＨＭＤＳ１５は、循環ポンプ１７ａによって攪拌されている。窒素ガス導入部１６からはタンク１３内に窒素ガスが導入され、導入された窒素ガスは、ＨＭＤＳ１５の液面に吹き付けられる。この窒素ガスによって、気化したＨＭＤＳ１５はチャンバ１０内に圧送される。 （もっと読む）

【課題】Ａ／Ｄ変換器を構成するサンプル／ホールド回路、コンパレータを低消費電力化すること。
【解決手段】初段のサンプル／ホールド回路ＳＨＣで、サンプルモード期間に２つの容量Ｃ２、Ｃ３の接続ノードが、スイッチＳＷ８を介して実質的に安定に維持された動作電位に接続される。サンプルモードの期間に容量Ｃ２へのアナログ入力信号Ｖｉｎの正確なサンプリングと容量Ｃ３へのオペアンプＯＰＡの入力オフセット電圧の正確なサンプリングとが可能となり、サンプルモード期間の低消費電力化と高性能化が可能なる。バイアス制御回路ＢＣＣによる制御により後段のコンパレータＣＯＰのプリアンプＡＭＰは初段のサンプル／ホールド回路ＳＨＣの出力から供給される差動入力信号Ｖｓｉｇ、Ｖｒｅｆの差電圧が小さい場合に大きな増幅率で増幅して、差電圧が十分大きくなると小さな増幅率で増幅する。後段のコンパレータＣＯＰの高速化と低消費電力化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させるとともに、小型化できるようにする。
【解決手段】配線基板３１上にペースト状の接着材８を塗布してから、配線基板３１上にペースト状の接着材８を介して半導体チップ２を配置した後、ペースト状の接着材８を硬化する。その後、配線基板３１の接続端子１５と半導体チップ２の電極２ａとをボンディングワイヤ４を介して電気的に接続する。配線基板３１上にペースト状の接着材８を塗布する前に、ペースト状の接着材８の流出を防止するための流出防止材３３を配線基板３１上に塗布しておく。流出防止材３３は、ペースト状の接着材８を弾く性質を有する材料からなる。ペースト状の接着材８は流出防止材３３を越えて流出せず、接着材８が接続端子１５上にまで広がるのを防止できる。 （もっと読む）