反射屈折投影対物系は、複数のレンズ及び少なくとも１つの凹ミラー（ＣＭ）を有し、更に、物体視野から凹ミラーに延びる部分ビーム経路を凹ミラーから像視野に延びる部分ビーム経路から分離するための２つの偏向ミラー（ＦＭ１，ＦＭ２）を有する。偏向ミラーは、第１の方向（ｘ方向）と平行に延びる傾斜軸の回りに投影対物系の光軸（ＯＡ）に対して傾斜される。第１の偏向ミラーは、第１の視野平面に対して光学近接に配置され、第２の偏向ミラーは、第１の視野平面に対して光学的に共役な第２の視野平面に対して光学近接に配置される。これらの視野平面の間に配置された光学結像系は、第１の方向に−１に近い結像スケールを有する。第１の位置と第１の位置に対して変位距離だけオフセットされた第２の位置との間の第１の方向と平行な偏向ミラー（ＦＭ１，ＦＭ２）の同期変位のための変位デバイス（ＤＩＳＸ）が設けられる。投影対物系を通じて進む投影放射線ビームは、偏向ミラーの第１の位置において第１の反射領域内で反射され、偏向ミラーの第２の位置において、第１の方向と平行に第１の反射領域に関して上述の変位距離だけ横にオフセットされた第２の反射領域内で反射される。偏向ミラーは、第１の反射領域と第２の反射領域とで異なる局所反射特性分布を有する。それによって視野効果、例えば、視野均一性の能動的操作又は波面の能動的操作が可能になる。 （もっと読む）

作動中に第１のファセット光学要素に印加される偏光分布を生成するコレクターミラーを含み、異なる偏光を有する放射線が印加される少なくとも２つの第１のファセット要素が存在し、更に、第１のファセット光学要素が、この照明光学ユニットの作動中に物体視野の位置に第１の所定の偏光分布がもたらされるように第１のファセット要素の反射面の法線ベクトルが選択される少なくとも１つの第１の状態を有する照明光学ユニット。 （もっと読む）

本発明は、光学システムの、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学構成体であって、光学システムの動作中に熱を発する少なくとも１つの発熱サブシステム（１１０〜８１０）と、発熱サブシステム（１１０〜８１０）が発した熱を少なくとも部分的に吸収するよう配置された第１熱シールド（１２０〜８２０）と、第１熱シールドと機械的に接触し、第１熱シールドから熱を放散するよう設計された第１冷却デバイス（１３０〜８３０）と、第１熱シールド（１２０〜８２０）が発した熱を少なくとも部分的に吸収する第２熱シールド（１４０〜８４０）であり、同じく第２熱シールド（１４０〜８４０）から熱を放散する冷却デバイスと機械的に接触する第２熱シールド（１４０〜８４０）とを備える光学構成体に関する。 （もっと読む）

反射率に対するＥＵＶリソグラフィ装置内の二酸化ケイ素、炭化水素、及び／又は金属からなる汚染の悪影響を低減するために、反射面（５９）を有する極紫外波長範囲用の反射光学素子（５０）が提案され、反射面（５９）の多層コーティングは、フッ化物からなる最上層（５６）を有する。ＥＵＶリソグラフィ装置の動作中に反射光学素子（５０）に堆積する上記汚染物は、以下に述べる物質の少なくとも１つの物質の添加により揮発性化合物に変換される：原子状水素、水素分子、例えばテトラフルオロメタン等のパーフルオロアルカン、酸素、窒素、及び／又はヘリウム。 （もっと読む）

本発明は、マイクロリソグラフィ投影露光装置で使用するミラーであって、基板及び反射コーティングを備え、反射コーティング自体はさらに第１層群及び第２層群を備えるミラーに関する。この場合、第２層群は、基板と第１層群との間に配置される。さらに、第１層群及び第２層群の両方が、上下に配置された複数の交互の第１層及び第２層を備え、第１層は第１材料を含み、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線に関する第１材料の屈折率は、第２層に含まれる第２材料の屈折率よりも高い。この場合、第１層群は、２１個以上の数の層を備えるよう構成されることで、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲の波長を有する放射線の照射時に第２層群に達する放射線が２０％未満となるようにし、第２層群は、ミラーの表面形態の補正のための層厚変動を有する。これにより達成されるのは、ミラーの表面形態の補正のための層厚変動を有する第２層群が、ミラーの反射率特性に大きな影響を及ぼさないことである。 （もっと読む）

試験対象物（１２）の光学表面（１４）の形状を測定する方法が提供される。本方法は、測定波（１８）を発生させる干渉測定デバイス（１６）を設けるステップと、干渉測定デバイス（１６）及び試験対象物（１２）を相互に対して種々の測定位置に連続して配置し、光学表面（１４）の種々の領域（２０）が測定波（１８）により照明されるようにするステップと、測定デバイス（１６）の位置座標を試験対象物（１２）に対して種々の測定位置で測定するステップと、測定位置のそれぞれで測定デバイス（１６）を用いて、光学表面（１４）の各領域（２０）との相互作用後の測定波（１８）の波面を干渉測定することにより、表面領域測定値を得るステップと、測定位置のそれぞれにおける干渉測定デバイス（１６）の測定された位置座標に基づきサブ表面測定値を計算合成することにより、光学表面（１４）の実際の形状を判定するステップとを含む。 （もっと読む）

ＥＵＶリソグラフィ投影露光システムにおいて５０ｎｍ未満の波長域の光を反射させるための高精度の幾何学的形態の第１反射面（７５０）を有する本体を備える、反射光学素子。本体は、第１非反射面（７４１）及び第２非反射面（７４２）を備える。さらに、本体は、第１非反射面に形成される単一接続区域（７３０）であり、該接続区域内に、光学素子全体を軸受要素の少なくとも１つの軸受面に直接的又は間接的に固定するための少なくとも１つの固定面を有する単一接続区域を備える。さらに、第２非反射面は第１非反射面に形成される単一接続区域とは異なり、第２非反射面は単一接続区域を少なくとも部分的に包囲する。さらに、少なくとも１つの応力除去凹部が本体内に形成され、応力除去凹部（７９３）は、第１非反射面を第２非反射面から少なくとも部分的に分離する。 （もっと読む）

【課題】マイクロリソグラフィ投影露光装置に用いられる反射屈折投影対物系又は反射投影対物系の光学要素、特に、前面ミラー又はレンズの能動的冷却が可能な装置を提供する。
【解決手段】反ストークス螢光発光を用いることにより、適切な励起光（１１）による照射時に冷却される特性を有する材料で構成された少なくとも１つの部分領域（５）を有する前面ミラー又はレンズ（３）として実施される光学要素（３）。この部分領域は、ＺＢＬＡＮ、すなわち、５３％ＺｒＦ4−２０％ＢａＦ2−４％ＬａＦ3−３％ＡｌＦ3−２０％ＮａＦ（ｍｏｌ％）という組成をを有するガラスをＹｂ3+でドープしたものである。 （もっと読む）

本発明は、ＥＵＶ波長領域に対する反射コーティングと、基板とを具えるミラーであって、基板の表面領域は反射コーティングの下側でこの反射コーティングに沿って均一に延在しているとともに、基板の表面から見て５μｍまでの深さｄを有している当該ミラーに関するものである。この場合、この表面領域はこの表面領域以外の残りの基板よりも２％だけ高い密度を有する。本発明は更に、上述した表面領域を同様に有する基板に関するものである。本発明は更に、イオン又は電子を照射することにより、上述した表面領域を有する上述したミラー及び基板を製造する方法に関するものである。
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【課題】反射屈折投影対物系、投影露光装置、及び半導体構成要素及び他の微細構造化構成要素を製造する方法を提供する。
【解決手段】物体平面の物体視野を像平面の像視野上に結像するためのマイクロリソグラフィのための反射屈折投影対物系は、物体視野を第１の実中間像上に結像する第１の部分対物系、第１の中間像を第２の実中間像上に結像する第２の部分対物系、及び第２の中間像を像視野上に結像する第３の部分対物系を含む。第２の部分対物系は、厳密に１つの凹ミラー及び少なくとも１つのレンズを有する反射屈折対物系である。第１の折り返しミラー及び第２の折り返しミラーが設けられる。第２の部分対物系のレンズの少なくとも１つの面は、０．２％よりも低い反射率を有する。代替的又は追加的に、第２の部分対物系のレンズの全ての面は、周縁光線同心からのずれが２０°よりも大きいか又はそれに等しいように構成される。 （もっと読む）