本発明は、少なくとも１種類の第２の流体の滴もしくは泡（５）を搬送する第１の流体の流れのための少なくとも１つのマイクロチャンネル（２）を具備するマイクロ流体回路（１）において、前記マイクロチャンネル（２）の高さ（ｈ）が、滴もしくは泡（５）を、滴もしくは泡の移動の間に押し潰すように設定されていることと、前記マイクロチャンネル（２）が、前記第１の流体の流れ（Ｆ）の方向に少なくとも部分的に延びている少なくとも１つの流路（３）、もしくは滴もしくは泡を捕らえるためのトラップ領域（２８）を有しており、前記トラップ領域（２８）もしくは前記流路（３）は、前記マイクロチャンネル中の前記第２の流体の少なくとも一定の滴もしくは泡（５）が前記流路もしくは前記トラップ領域中に引っ張られて案内されるように、前記マイクロチャンネル（２）の高さ（ｈ）より高い高さ（ｈｃ）を有していることとを特徴とする、マイクロ流体回路に関わる。 （もっと読む）

【課題】 ミクロ流体回路のドロップを処理する方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、ミクロ流体回路のドロップを処理する方法に関し、ドロップが流れる少なくとも１つのマイクロチャネル(１２)を具備し、レーザー（２６）が移送液体（Ｆ３）の前記ドロップのインターフェースに、または、前記ドロップのインターフェースに向けられ、ドロップの選別、より大きいドロップからナノドロップを形成、またはコンタクトのドロップ（６０、６４）を融合させ、および、前記ドロップに含まれる流体の間の反応を起こすことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明はマトリクス平面ディスプレイアクティブプレートを製造する方法に関するものであり、各セルが電極プレート（１）を備え、そのプレートはトランジスタ（２）により第１導電ラインに接続されており、各セルの位置にある各第１導電ラインが有している絶縁体に覆われた隆起部（１１）を形成するステップと、各隆起部の端部をエッチングまたは多孔質化するステップと、エッチングまたは多孔質化された各端部に、VLS工程を用いてp-i-pまたはn-i-n半導体構造を成長させるステップと、該半導体構造の開放端にコンタクトを設置し、前記半導体構造の中央部分にゲートを形成するステップとを有することを特徴とする。
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【課題】イオンビーム用レンズとしてのレーザ照射される中空シリンダ
【解決手段】 本発明は、イオンビーム（７、１０）、特に加速された陽子からなるビーム（７、１０）の集束および／またはコリメートのためのシステムに関する。この目的のため、システムは、イオンビームが通過することができるレンズ本体（８）を備えるレンズを有している。前記レンズ本体の内部に広がってイオンビームを集束させる特に静電界を発生するための手段が設けられる。前記レンズ本体は、厚さの薄い壁体を有している。前記電界を発生するための手段は、電磁放射源、すなわちレーザを有しており、この電磁放射源の放射ビーム（９）が、前記レンズ本体の壁体の外面へと向けられる。前記壁体の厚さおよび前記電磁放射の質が、前記壁体から出て前記壁体の出口側に電子雲にて蓄積される自由電子が前記放射によって発生されるように選択される。 （もっと読む）

【課題】
本発明はアクティブ・マトリックス・ディスプレー用トランジスタ１とこのトランジスタの製造方法に係るものであって、高い電界効果移動度、優れたスレショールド電圧安定性、高レベルの駆動回路集積、そして高いデュ-ティ比を実現する。
【解決手段】
トランジスタ１は微晶質シリコンフイルム５と絶縁体３とを備える。この微晶質シリコンフイルムの結晶質フラクションは８０％以上である。本発明のトランジスタ１は絶縁体３と微晶質シリコンフイルム５との間にプラズマ処理されたインターフェース４を有し、トランジスタ１の線形移動度が１．５ｃｍ^２Ｖ^−１ｓ^−１に等しいか、それよりも大きくなっており、スレショールド電圧安定性を示している。微晶質シリコンフイルム５の粒子６のサイズは１０ｎｍと４００ｎｍとの間にある、本発明はアクティブにアドレスされるピクセルのライン‐コラム・マトリックスを有するディスプレー・ユニットにも係るものであり、各ピクセルは少なくともトランジスタ１を含んでいる。
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本発明は格子の線を形成する規則的に反復するパターンを担持する平面物体の偏光測定法とその装置とに係るものである。
入射角θ_１と第１の方位角Ｆ_１で第１の測定を零オーダーで実施し、入射角θ_２と第２の方位角Ｆ_２で少なくとも第２の測定を零オーダーで実施し、入射ビームの偏光を変えて反射ビームの偏光を測定毎に分析し、実際の平面物体のモデル物体についての理論偏光測定データを算出し、当該モデルは電磁気理論を使って調整できるパラメータを含んでおり、その調整できるパラメータの異なる値についての理論偏光測定データと測定値を繰り返し比較することにより前記の平面物体の特性を求める。
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本発明は、プラズマの励起電流の電気的特性を測定するためのプローブに関する。当該プローブは、内側導体（２１）および外側導体（２２）を含む導電性ライン（２０）上に取り付けられており、電流センサ（４１）および電圧センサ（４２）を含み、該電流センサが、該導体（２２）中を流れる電流のための迂回路を形成するために、該導体の１つの主要部内に形成されたグルーブ（４１０）と、該導体に接続されたアースと該グルーブのポイントとの間の電圧を測定するためのポイントとを含み、それによって、該電流センサは、該励起電流の強度（Ｉ_{ｐｌａｓｍａ}）の一次時間微分に比例する電圧（Ｖ１）を測定することができる。該電圧センサ（４２）は、該励起電流の電圧（Ｖ_{ｐｌａｓｍａ}）の一次時間微分に比例する電圧（Ｖ２）を測定することができる分路センサである。本発明はまた、上記タイプのプローブを有するプラズマ反応器に関する。 （もっと読む）

本発明は、供与体−受容体対の複数の半導体エレメントを少なくとも含む光活性ナノコンポジット（３）に関する。これらのエレメントの一方はｓｐ３構造を有するドープナノワイヤ（７）で製作され、これらのエレメントの他方は有機化合物（８）である。前記エレメントは、素子基板（１）によって支持される。本発明はまた、製造方法にも関する。第１の実施形態によれば、ナノワイヤ（７）は、成長後に取り出され、機能化され、有機化合物エレメント（８）中で可溶性にされる。この混合物は、素子基板上にコーティングすることによって堆積される。第２の実施形態によれば、ナノワイヤ（７）は、素子基板でもある成長基板（５）上に形成される。有機化合物エレメント（８）が前記ナノワイヤ（７）と混合され、それによって活性層（３）が形成される。この光活性ナノコンポジット（３）により、光電池の製造が可能となる。
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異なった流体（Ｆｌ，Ｆ２）を収容するマイクロチャネル（２４，２６）を有するマイクロ流体回路であって、前記流体間の界面（３０）上の（３２）で、例えばポンプ、バルブ、または混合器を形成するようにレーザ光線が集光される回路である。
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