【課題】抵抗膜式タッチスクリーン技術を用いて、フレキシブルタッチスクリーンコンポーネントをフレキシブルディスプレイと一体化し、フレキシブルな組み合わせデバイスを製作する。
【解決手段】タッチセンシティブアクティブマトリックスディスプレイデバイスであって、第１のフレキシブル基板１０２ｂ上に作製され、画面を有するディスプレイ１０１と、前記ディスプレイ１０１の下にあり、第２のフレキシブル基板を備えたタッチセンシティブセンサ１０３とを備える。 （もっと読む）

【課題】エッジシールを有する電気光学表示素子の提供。
【解決手段】電気光学表示素子（１００）は、バックプレーン（１０２）と、バックプレーン（１０２）に隣接する電気光学層（１１２）であって、電気光学層（１１２）の縁を越えて延在するバックプレーンの外周部を残すように、バックプレーン（１０２）よりも小さい電気光学層（１１２）と、バックプレーン（１０２）からは電気光学層（１１２）の反対側に配置された保護層（１１８）とを備え、保護層（１１８）の外周部は、電気光学層の縁を越えて延在し、（１２０において）バックプレーン（１０２）に接着される。 （もっと読む）

【課題】高い開口率となる薄膜トランジスタ装置を提供する。
【解決手段】溶液堆積（deposited）によって形成される下側導電性層と、前記下側導電性層の上に設けられかつそれと導電性相互接続を介して１つ以上の絶縁層を通じて電気的に接続されている上側導電性層とを備える電子装置を製造する方法であって、前記相互接続の作成は、下側導電性層と前記１つ以上の絶縁層とを区別する光溶発技術を使って少なくとも下側導電性層の一部へと下向きに延びる孔を前記少なくとも１つの絶縁層に定義する工程、およびその後前記孔に導電性材料を堆積する工程を含むことを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】表面エネルギーパターンの手助けなしに印刷材料の第１および第２の領域を分離するマイクロメータおよびサブマイクロメータの寸法の臨界形状を形成することのできる方法を提供する。
【解決手段】 溶液処理および直接印刷によって導電性、半導体および／または絶縁性の層を蒸着する工程、および第２の材料の溶液をはじく第１のパターンの周りに表面エネルギー障壁を自己整合的に形成することによって電気活性ポリマーの高解像度パターンを形成する工程を含む、有機性または部分的に有機性のスイッチング装置を形成する方法。 （もっと読む）

本発明は、上部画素電極が共通（ＣＯＭ）電極および隣接素子のゲート電極に重なるようなオフセット構成で配置された半導体構造体に関する。このような構成により素子性能の向上が可能となり、その結果、蓄積容量が大きくなる等の特徴が得られる。
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【課題】有機スイッチングデバイスまたは部分有機スイッチングデバイスを形成する方法である。
【解決手段】前記方法は、少なくとも１つのパターニング層を含む電気デバイスを基板上に形成する方法であって、前記基板上の第１の材料層を光ビームに露光して、前記第１の層の物理的特性を改変するように、前記第１の層のパターニングを行う工程を含み、前記光ビームの一部は、前記基板上の事前堆積されたパターンによってブロックまたは減衰され、これにより、前記光がブロックまたは減衰されない領域においてのみ前記基板上の第１の層を改変する、方法である。 （もっと読む）

本発明は、フレキシブル基板における歪みを補償するピクセル構造、前記ピクセル構造を含む表示装置を製造する方法に関する。本発明は、フレキシブル表示装置のフレキシブル基板における歪みを補償するピクセル構造を提供し、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含むフレキシブル基板上の第１層、前記第１層上に設けられ前記ＴＦＴに接続されて前記ＴＦＴからの信号を受信するピクセル電極を含む第２層、前記ピクセルによって表示された光をフィルタするカラーフィルタを有する第３層を有し、前記第３層は、前記カラーフィルタが前記ピクセル電極に対して実質的に位置調整されるように前記第２層に対して位置調整され、前記位置調整は前記フレキシブル基板における歪みによって生じた前記第１層における歪みを補償するものである。
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本発明は、フレキシブル基板又は歪みを受けやすい基板を組み入れる集積回路の歪み許容プロセシング方法に関する。具体的に本発明は、フレキシブルディスプレイを駆動する集積回路（ＩＣ）を製造する方法が与える。これは、基板平面内の２つの直交方向（ｘ，ｙ）の双方において実質的には規則的に反復することがない、空間的に非反復なフィーチャのパターンをフレキシブル基板上の第１層に堆積することと、空間的に反復なフィーチャのパターンを前記第１層上の第２層に堆積することと、前記非反復なフィーチャと前記反復なフィーチャとの電気的接続を可能とするべく前記第２層と前記第１層とのアラインメントをとることとを含み、前記アラインメントを可能とするべく前記反復なフィーチャの堆積中に歪み補償が適用される。
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本発明は、薄膜トランジスタ、特に、パターニング技術が、下地電極に対して正確に整列される必要がある電極パターンの画定に使用される薄膜トランジスタなどの電子デバイスの作製に関する。作製方法は、狭い線幅を有する構造を形成することができない、及び／又は、先に堆積されたパターンに対してあまり正確に位置決めすることができない、レーザアブレーションパターニング技術または溶液ベースの直接書き込み印刷技法などの種々のパターニング技術に適用可能である。こうして、本発明者等は、減算的技法によるゲートパターニング、特に、選択的レーザアブレーションパターニングと、印刷などの加算的技法によるゲートパターニングの両方について適用可能である自己整合ゲート技法を述べる。技法は、低解像度ゲートパターニングの使用を容易にする。
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