【課題】ウエハレベルで製造される積層超小型電子パッケージ、およびこのようなパッケージを製造する方法を提供する。
【解決手段】複数の超小型電子素子を備える第１のサブアセンブリ２１０を複数の超小型電子素子を備える第２のサブアセンブリ２１０上に積層した積層アセンブリ２８０は、それらのエッジに延在するトレース（配線）を有し、次いで、トレースを露出させるために、超小型電子アセンブリ内に部分的にノッチを形成し、続いて、アセンブリの平坦な面に電気接点の端２６６８をもたらすために、ノッチの側壁にリード２６６６を形成する。 （もっと読む）

【課題】スパークなどの望ましくない寄生的な影響を最小化することのできる実用的なスパーク管理装置を提供する。
【解決手段】電力を負荷装置に供給するよう動作可能な高電圧電源と、前記負荷装置における１つ以上の電磁パラメータを監視するよう動作可能なセンサと、前記負荷におけるスパーク前の状態を識別するために前記１つ以上の電磁パラメータに応答する第１の検出器と、前記高電圧電源が、前記スパーク前の状態に応答して前記電力の大きさを所望のレベルに速やかに変えることを可能にするよう前記第１の検出器に接続された第２の検出器とを含む。 （もっと読む）

マイクロ電子アセンブリ１００は、第１の面において露出するチップコンタクト１１２を有する半導体チップ１１０、１１１０と、チップ１１０、１１１０の面１２８、１２９と並置される基板１３０、１１３０とを含む。導電性結合素子１４４が第１のチップコンタクト１１２を基板の第１の基板コンタクト１３２、１１３２と電気的に接続することができ、第２の導電性結合素子１４６が第１のチップコンタクト１１２、１３２を第２の基板コンタクトと電気的に接続することができる。第１の結合素子１４４は第１のチップコンタクト１１２、２１２Ａに冶金学的に接合される第１の端部２４４Ａ、３４４Ａと、第１の基板コンタクトに冶金学的に接合される第２の端部２４４Ｂ、３４４Ｂとを有することができる。第２の結合素子の第１の端部２４６Ａ、３４６Ａは第１の結合素子２１２Ａに冶金学的に接合することができる。第２の結合素子は、第１のチップコンタクト１１２、２１２Ａ、１２１２又は基板コンタクト１３２、１１３２と接触する場合も、接触しない場合もある。第３の結合素子９４８を、基板コンタクト又はチップコンタクトに接合される第１の結合素子及び第２の結合素子の端部に接合することができる。一実施形態では、結合素子７４０は、第１のコンタクト７３２Ａにおいて接合される第１の端部７４２及び第２の端部７４６と、第２のコンタクト７１２Ａに接合される中央部７４４とを有する、ループ状接続を有することができる。 （もっと読む）

電気水力学流体加速器は、エミッタ電極２８、３８、４８、５８、７８と、実質的にイオン衝突にさらされるコレクタ電極の先端面２４、４２、３４、５４、７４とを含む。流体流路に沿ったエミッタ電極２８、３８、４８、５８、７８の下流に位置する熱伝達面２６、３６、４６、５６、７６は、実質的にイオン衝突にさらされず、第一のオゾン減少材料２５、３５、４５、５５、７５によって調整された第一部分２６、３６、４６、５６、７６を含む。コレクタ電極の先端面２４、４２、３４、５４、７４は、第一のオゾン減少材料によって調整されないが、異なる表面調整を含むことができる。下流側の熱伝達面２６、３６、４６、５６、７６および先端面２４、４２、３４、５４、７４は、別個に形成され、結合して一体的構造を形成することができる、または一体的に形成することができる。電気水力学流体加速器は、調整された熱伝達面２６、３６、４６、５６、７６に対して熱的に結合された熱放散装置を有する電子機器の熱管理組立体において使用することができる。
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マイクロ電子アセンブリが、相互接続素子９３０、たとえば、基板と共に接続されるマイクロ電子デバイス、たとえば、半導体チップ９１０を含むことができ、相互接続素子は、信号コンタクト９９０及び基準コンタクト９８０を有する。基準コンタクトは、グラウンド、又は電源を供給するために用いられる電圧源のようなグラウンド以外の電圧源のような基準電位の発生源に接続可能にすることができる。信号導体、たとえば、信号ワイヤーボンド９６５は、マイクロ電子デバイス９１０の表面において露出するデバイスコンタクト９１２に接続することができる。基準導体、たとえば、基準ワイヤーボンド９７５を設けることができ、そのうちの少なくとも１つは、相互接続素子９３０の２つの基準コンタクト９８０に接続することができる。基準ワイヤーボンド９７５は、マイクロ電子デバイスに接続される信号導体の長さの少なくとも実質的な部分にわたって、その信号導体、たとえば、信号ワイヤーボンド９６５から少なくとも実質的に均等な間隔を置いて延在する経路を有することができる。そのようにして、信号導体のための所望のインピーダンスを達成することができる。 （もっと読む）

マイクロ電子アセンブリは、その表面（３２８）にて露出されたデバイス接点（３１２）を有するマイクロ電子デバイス（３１０）と、部品接点（３４０）とマイクロ電子デバイスに隣接した面とを有する相互接続部品とを備えることができる。導電性部品（３６５）、例えば、ワイヤ・ボンドは、デバイス接点を部品接点に接続し、マイクロ電子デバイスの表面上の配線にて延長する部分を有する。導電層（３６０）は、導電性部品の複数の配線の上又は下に少なくとも実質的に均一な距離で配置された導電面（３７５）を有する。場合によっては、導電性材料（３６０）は、第１及び第２の横方向に第１及び第２の寸法（３２６、３３６）を有することができる。これらの寸法は、マイクロ電子デバイスの第１及び第２の対応する寸法（３２４、３３４）よりも小さい。導電性材料（３６０）は、導電性部品に対して所望のインピーダンスが得られるように、基準電位源に対して接続可能である。 （もっと読む）

第１のスタック型マイクロ電子素子１０１及び第２のスタック型マイクロ電子素子１０２を含むスタック型マイクロ電子アセンブリが提供される。第１のマイクロ電子素子及び第２のマイクロ電子素子のそれぞれが、そのようなマイクロ電子素子の面６０８に沿って延在する導電層６１０を含むことができる。第１のマイクロ電子素子及び第２のマイクロ電子素子のうちの少なくとも一方は、背面から前面に向かって延在する凹部６１８と、該凹部からボンドパッドを貫通して延在し、該ボンドパッドに電気的に接続される導電性バイア６０５とを含むことができ、導電性層６１０がバイアに接続され、マイクロ電子素子１０１、１０２の背面６０８に沿ってマイクロ電子素子のエッジ６２０に向かって延在する。複数のリード２２４が第１のマイクロ電子素子及び第２のマイクロ電子素子の導電性層６１０から延在することができ、アセンブリの複数の端子６１６がリードと電気的に接続することができる。 （もっと読む）

相互接続要素（１３０）は、上面（１１６ｂ）および上面から離れた底面（１１６ａ）を有している誘電体層（１１５）と、底面に沿って延在している平面を画定している第１の金属層と、上面に沿って延在している第２の金属層とを備えうる。第１の金属層または第２の金属層の一方または両方が、複数の導電性トレース（１３２，１３４）を備えていてもよい。複数の導電性突起（１１２）が、第１の金属層（１０２）によって画定された平面から誘電体層（１１６）を通って上方に延在していてもよい。導電性突起（１１２）は、第１の金属層（１３２）の上方の第１の高さ（１１５）に上面（１２６）を有することができ、この高さ（１１５）は、誘電体層の高さの５０％よりも大きくなっているとよい。複数の導電性ビア（１２８）が、突起（１１２）の上面（１２６）から延在し、突起（１１２）を第２の金属層に接続するようになっていてもよい。
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パッケージ化された超小型電子アセンブリは、前面（１２２）と、前面（１２２）から離れる方に延伸している複数の第１の固体金属ポスト（１１０）と、を有している超小型電子素子（１０４）を備えている。第１のポスト（１１０）の各々は、前面（１２２）の方向における幅および前面（１２２）から延びる高さを有しており、この高さ（Ｈ２）は、幅（Ｗ１）の少なくとも半分になっている。上面（１０１）と、上面（１０２）から延伸して第１の固体金属ポスト（１１０）に接合されている複数の第２の固体金属ポスト（１０８）と、を有している基板（１０２）も設けられている。
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本発明によれば、その上側に超小型電子素子または配線の少なくとも１つを有する他の要素（１７２）と導電的な相互接続をするための相互接続要素（１７０，１９０）が提供される。相互接続要素は、主面を有する誘電体要素（１８７）を備えている。この誘電体要素の主面（１７６）を越えて、複数の露出した金属ポスト（１３０）を備えているメッキされた層（１３０，１９２）が外方に突出している。金属ポストのいくつかは、誘電体要素（１８７）によって、互いに電気的に絶縁されている。相互接続要素は、典型的には、金属ポストに導電的に連通している複数の端子（１５１）を備えている。これらの端子は、誘電体要素（１８７）を介して金属ポスト（１３０）に接続されている。ポストは、マンドレル（１２０）の露出した共平面およびマンドレルの開口（１０２）の内面上に金属（１２２，１２４）をメッキすることによって形成されるようになっており、その後、マンドレルが除去される。
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