【課題】耐熱性に優れ、経時変化による変色や品質の低下の問題が改善された、定量的にフェノール性水酸基が修飾された変性フェノ−ル樹脂を、簡便な製造方法により提供する。
【解決手段】予めフェノール性水酸基が修飾されている式（Ｉ）で表される化合物及び式（II）で表されるフェノール化合物と、アルデヒド類とを酸触媒の存在化で反応させる。
【化１】
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【課題】 快削鋼を高速の切削速度で切削しても、快削鋼の被削性を向上させ、切削工具を長寿命化させることができる鋼の切削方法及び切削装置を提供する。
【解決手段】 装置本体６０に取付けられた被削材１０を回転させながら切削工具３０で切削する鋼の切削方法であって、前記被削材１０は、Ｂ、Ｎ、及びＡｌを少なくとも含む快削鋼であり、前記装置本体６０と前記切削工具３０との間を電気絶縁状態として、前記切削工具３０と前記快削鋼１０との間に所定値の電流を流して切削する。 （もっと読む）

【課題】 優れた抗クリプトスポリジウム作用を有するクリプトスポリジウム症の治療又は予防薬を提供する。
【解決手段】 次式（Ｉ）：
【化１】


（式中、Ｘはフッ素原子又は塩素原子を表す。）
で示される化合物又はその薬学的に許容される塩もしくはプロドラッグを含有するクリプトスポリジウム症の治療又は予防薬。 （もっと読む）

【課題】照射計画に従った照射部位の位置照合を支援するための照射位置照合システムの提供
【解決手段】ＤＲＲとＬＧの画像を取り込み（Ｓ１０２）、サイズ調整（Ｓ１０４）、エッジ強調（Ｓ１０８）等を行い、アイソセンタのずれを補正して（Ｓ１１０）、ＤＲＲとＬＧのサイズや位置を合わせる。照合の妨げとなるＬＧのＦＯＶエッジを除去する（Ｓ１１２）。その後、２値化して（Ｓ１１６）、ＬＧの雑音処理後（Ｓ１１８）、照合対象のエッジをラベルにより選択して（Ｓ１２０，Ｓ１２２）、エッジを細線とする（Ｓ１２４）。ＤＲＲのエッジから作成したマスクにより、ＬＧの照合対象であるランドマークを選択し（Ｓ１２６）、照合する探索範囲を決定して（Ｓ１２８）、照合を行う（Ｓ１３０）。照合した結果得られた照射位置のずれを表示する（Ｓ１３２）。 （もっと読む）

【課題】 エコー画像データを用いて、画像信号強度変化の位相周期を高精度に求めることが可能であり、また、Ｔ２^＊減衰による誤差の補正が可能であり、これらにより脂肪含有率を高精度に算出可能であり、さらに、脂肪含有率が５０％を超える場合にも脂肪含有率が算出可能なデータ処理装置、そのエコー画像データを得ることが可能な磁気共鳴撮像装置、及び、そのエコー画像データを得ることが可能な磁気共鳴画像装置の撮像方法を提供する。
【解決手段】 特定位置につきエコー時間の異なる三つ以上のエコー画像データを用いる。その三つ以上の各エコー画像データの画像信号強度の変化について、所定の理論式によりカーブフィッティングを行う。さらに、Ｔ２^＊減衰の影響を補正したり、求められる位相周期／２における画像信号強度や実数値画像を用いて脂肪含有率を算出したりする。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化メモリを用いた不揮発性メモリの提供
【解決手段】Ｐ０，Ｎ０とＰ１，Ｎ１とを相互に接続して、通常のＣＭＯＳによるＳＲＡＭの１ビット分の回路を構成している。これに抵抗変化メモリ素子（相変化メモリ素子）Ｒｒ，Ｒｍをそれぞれ、Ｐ０，Ｎ０及びＰ１，Ｎ１に直列に接続している。Ｎａ０，Ｎａ１は、ワード線ＷＬに接続されているゲート回路を構成しており、各ＳＲＡＭ回路部への入出力制御を行っている。
Ｒｒは参照抵抗であり、他の一方のＲｍが高抵抗（論理値１）と低抵抗（論理値０）との間を変化する。読み出し書き込み時は、点線で示したＳＲＡＭ回路部は通常のＳＲＡＭとして動作させている。電源が消える前に、ストア線ＳＴＲの電圧を変化させ、ＮｓによりＲｍに電流を流すことで、ＳＲＡＭ回路部に記憶されている論理値を移す。電源が入ると、Ｒｍに移された記憶内容を、ＳＲＡＭ回路部に戻す。 （もっと読む）

【課題】再生不良性貧血の検査方法および検査用試薬を提供する。
【解決手段】モエシンを特異的に認識する自己抗体を検出することを含む、再生不良性貧血の検査方法を提供する。また、モエシンを特異的に認識する抗体を検出する物質を含む、再生不良性貧血の検査用試薬を提供する。 自己免疫性再生不良性貧血と造血幹細胞異常性再生不良性貧血とを判別できるため、免疫病態の存在を検出する極めて有用な検査方法であり、利用価値が高い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、置換基を有するノボラック誘導体の製造方法とそれにより得られる新規ノボラック誘導体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、溶媒中に助触媒として酢酸を加え、下記の反応式（１）、（６）、（８）のいずれかにて製造することを特徴とするノボラック誘導体の製造方法。
【化１】


【化２】


【化３】
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【課題】本発明は高い耐熱性、耐久性、機械的強度を持つ、クロロメチル基等の反応性の高い基を有するノボラック誘導体の提供を目的とする。
【解決手段】本発明に係るノボラック誘導体は、反応性の高いＸ基を有する下記の一般式（１）によって表される数平均分子量２００〜１０，０００，０００の範囲であることを特徴とする。
【化１】


但し、式中、Ｒ_１、Ｒ_２は水素、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数２〜１８のアルケニル基、フェニル基のいずれかである。
Ｒ_３〜Ｒ_６は、水素またはメチル基である。
Ｒ_７、Ｒ_８は水素、炭素数１〜１８のアルキル基、フェニル基のいずれかである。
Xは塩素、臭素、ヨウ素、水酸基のいずれかである。
nは１以上の整数、mは０以上の整数である。 （もっと読む）

【課題】高分子量でかつ線状（一次元直鎖状）構造であることを特徴とするレゾルシノールノボラック誘導体を提供する。
【解決手段】下記の一般式（１）で表されるくり返し単位からなり線状であることを特徴とするレゾルシノールノボラック誘導体。


ただし、式中Ｒ_１，Ｒ_２及びＲ_４〜Ｒ_７は、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数２〜１８のアルケニル基、フェニル基、炭素数１〜１８のアルコキシ基、ハロゲン等。Ｒ_３は、ニトロ基、炭素数４以上のかさ高いアルキル基、フェニル基、アルコキシ基、エステル基等のいずれかである。 （もっと読む）