プラズマ処理チャンバ内で底部電極上に配置された基体のシリコン層をエッチングする方法。本方法は、シリコン層の少なくとも７０パーセントがエッチングされるまで主要エッチングステップを行うことを含む。本方法は、第１、第２および第３処理ステップを含むオーバーエッチングステップをさらに含む。第１処理ステップでは第１処理処方を用い、第２処理ステップでは第２処理処方を用い、第３処理ステップでは第３処理処方を用いる。第２処理処方では底部電極に印加される第２ボトムバイアス電圧レベルを用い、この電圧レベルは、第１処理処方で用いる第１ボトムバイアス電圧レベル、および第３処理処方で用いる第３ボトムバイアス電圧レベルよりも高い。第１、第２、および第３処理ステップは、シリコン層が完全にエッチングされるまで複数回交互に行われる。
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プラズマ処理チャンバ内のプラズマ非拘束状態を検出するように設計されている汎用プラズマ非拘束状態検出システムと方法とが開示されている。このシステムと方法は処理とは独立したレシピに依存する方法でプラズマ非拘束状態の存在を信頼性高く、正確に検出するように設計されている。 （もっと読む）

チャンバ壁を含むプラズマ処理チャンバを選択的にプレコーティングする装置が開示されている。該装置は、ＲＦ電極から成る第１のセットを含み、ＲＦ電極から成る第１のセットは、第１のプレコートプラズマをぶつけるように構成され、ＲＦ電極から成る第１のセットは、第１のプラズマチャンバゾーンを画成する。また、該装置は、ＲＦ電極から成る第１のセットの周囲に配置された閉じ込めリングから成る第１のセットと、閉じ込めリングから成る第１のセットとチャンバ壁との間に配置された閉じ込めリングから成る第２のセットとを含む。該装置はさらに、第１のプレコートガスが供給され、ＲＦ電極から成る第１のセットに電圧が印加されたときに、第１のプラズマゾーンに第１のプレコート層を施すように構成されたガス供給システムを含む。また、該装置は、第２のプレコートガスが供給され、ＲＦ電極から成る第２のセットに電圧が印加されたときに、第２のプラズマゾーンに第２のプレコート層を施すように構成されたガス供給システムを含む。
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【課題】プラズマプロセスに関連するいくつかのパラメータの相対的変化の絶対値を間接的に確認し、および／または該相対的変化を検出するための理論的根拠を開示し、かつ様々な方法を提案する。
【解決手段】
ＰＩＦ（Ｐｌａｎａｒ Ｉｏｎ Ｆｌｕｘ）プロービング構成を用いて、プラズマ電位及びイオン流束等のパラメータの絶対値および／または相対的変化を検出および／または得る方法及び装置が開示されている。検出した値および／または得られた値は、プラズマ処理プロセスを制御するのに用いられる。 （もっと読む）

基板から酸化金属を除去するためのプラズマ発生装置。この実施例は通電電極、第１誘電層及びそれら通電電極と第１誘電層との間に設置された第１ワイヤメッシュを含む通電電極構造体を含んでいる。この実施例はまた、通電電極構造体の反対側に設置された接地電極構造体を含んでおり、プラズマを発生させる空洞部を形成している。プラズマが空洞部内に存在するとき第１ワイヤメッシュは第１誘電層によってプラズマから遮蔽される。空洞部は酸化金属を除去するプラズマを提供するためにその１端に出口を有している。 （もっと読む）

基板温度測定装置を開示する。この基板温度測定装置は、基板に熱的接触する蛍光体材料を含み、この蛍光体材料は、第二の波長帯において電磁放射線に曝されると、第一の波長帯において蛍光応答を生じさせ、この蛍光応答は、蛍光体材料の温度に関連する減衰率で減衰し、さらに、蛍光体材料は、プラズマに曝されると、第一の組の不揮発性副産物を生じさせる。この基板温度測定装置は、また、蛍光体材料とプラズマとの間に遮蔽窓を備え、この遮蔽窓によって、第一の波長と第二の波長を少なくとも部分的に伝播可能とし、この遮蔽窓は、プラズマに曝されると、第一の組の不揮発性副産物よりも少量の第二の組の不揮発性副産物を生じさせ、電磁放射線が遮蔽窓を介して蛍光体材料に伝播されると、蛍光応答の減衰率から温度が決定される。 （もっと読む）

基板を処理するためのプラズマチャンバを含んだプラズマ処理システムが開示されている。このシステムは基板の裏面を支持するように設計されたチャックを含む。また、基板の裏面とは離れて設置されているプラズマ抵抗バリアも含んでいる。裏面は基板の表面の反対側であり、プラズマ抵抗バリアは基板の中央部を実質的に遮蔽し、基板の裏面の環状周囲領域を非遮蔽状態に残している。システムはさらに少なくとも１つの通電電極を含んでいる。この通電電極はプラズマ抵抗バリアと協調してプラズマガスから拘束プラズマを生成する。この拘束プラズマは実質的に基板の環状周囲部分に基板の中央部から離れた状態で拘束されている。 （もっと読む）

基板からフッ素化ポリマーを除去するためのプラズマ発生装置。この実施例は通電電極、第１誘電層及びそれら通電電極と第１誘電層との間に提供された第１ワイヤメッシュを含む通電電極構造体を含んでいる。この実施例はまた、通電電極構造体の反対側に設置された接地電極構造体を含んでおり、プラズマを発生させる空洞部を形成している。プラズマが空洞部内に存在するとき第１ワイヤメッシュは第１誘電層から遮蔽される。空洞部はフッ素化ポリマーを除去するプラズマを提供するためにその１端に出口を有している。 （もっと読む）

【課題】
導電層の電気的応答を最適化する方法、及びその装置を提供する。
【解決手段】
ターゲット基板１０６上の第１の導電材料から形成される第１の導電膜の第１の厚さを決定する方法が開示されている。方法は、ターゲット基板１０６上の位置のセットの近くに第１の渦電流センサ１０２を配置することを含む。また、方法は、第１の渦電流センサ１０２を使用して、第１の電圧測定値と第１の電流測定値の少なくとも１つを含む電気的応答の第１のセットを測定することも含む。方法は、ターゲット基板１０６の第１の導電材料と実質的に類似する第２の導電材料から形成されている第２の導電膜を有する、ターゲット基板１０６とは別の較正基板から取得される温度依存補償因数を使用して第１の電気的応答のセットを補正し、それによって電気的応答の補正された第１のセットを取得することと、電気的応答の補正された第１のセットを使用して第１の厚さを決定することとをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】
導電層の電気的応答を最適化する方法、及びその装置を提供する。
【解決手段】
第１の導電材料とは異なる第２の導電材料から形成されている第２の導電層をさらに有するターゲット基板１０６上の第１の導電材料から形成されている第１の導電層の第１の厚さを決定する方法が開示されている。方法は、ターゲット基板１０６を基準にした既定の位置に第１の渦電流センサ１０２を配置することを含み、第１の渦電流センサ１０２は、既定位置に配置されるときにターゲット基板１０６に関して相隔たる関係にある。方法は、第１の渦電流センサ１０２が既定の位置にある間に第１の渦電流センサ１０２を使用して、第１の電圧測定値と第１の電流測定値の少なくとも１つを含む電気的応答の第１のセットを測定することも含み、電気的応答の第１のセットを測定することは第１のターゲット基板１０６温度で実行される。方法は、第１の渦電流センサ１０２が既定の位置に配置される間に第１の渦電流センサ１０２を使用して、第２の電圧測定値と第２の電流測定値の少なくとも１つを含む電気的応答の第２のセットを測定することをさらに含み、電気的応答の第２のセットを測定することは第１のターゲット基板１０６温度とは異なる第２のターゲット基板温度で実行される。また、方法は、少なくとも電気的応答の第１のセットと電気的応答の第２のセットと、第１の導電層の第１の温度係数を使用して電気的応答の第３のセットを計算することを含み、電気的応答の第３のセットは、第１の導電層に実質的に起因する応答を表し、電気的応答の第３のセットから第１の厚さを決定する。 （もっと読む）