プラズマ処理システムが開示されている。このプラズマ処理システムは、プラズマ処理チャンバ内に設置され、ウェハーを支持するように設計されている静電チャック（ＥＳＣ）を含んでいる。このＥＳＣは、ウェハーに第１静電力を提供するための正極端子（＋ＥＳＣ）と、ウェハーに第２静電力を提供するための負極端子（−ＥＳＣ）とを含んでいる。このシステムは、正極端子に流される正の負荷電流値を計算するために第１セットの電圧を測定すべく設計されている第１トランスインピーダンス増幅器（ＴＩＡ）と第２ＴＩＡとをさらに含んでいる。このシステムは、負極端子に流される負の負荷電流値を計算するために第２セットの電圧を測定すべく設計されている第３ＴＩＡと第４ＴＩＡとをさらに含んでいる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】
基板を処理する方法が開示される。この方法は第１の電極および第２の電極を備えて構成されたプラズマ処理チャンバ内で基板を支持することを含む。この方法は、高周波受動回路を第２の電極に結合することを更に含んでおり、この高周波受動回路は、高周波インピーダンスと、高周波電位と、前記第２の電極上の直流バイアス電位とを調整するように構成される。
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【課題】
【解決手段】
レシピ評価を実行するためのコンピュータ利用法が開示されている。この方法は複数のデータソースを１体のレシピレポートカードフレームワークに集約する。レシピレポートカードフレームワークは複数のデータソースと相互作用させるためのエディタを含む。この方法はさらに複数のグラフィカルディスプレーを表示する。各グラフィカルディスプレーは少なくとも１体の基板のために信号パラメータセット内の信号パラメータを提供するように設定されている。この方法はさらに信号パラメータセットのそれぞれのために複数の基準を提供するように設定されている。この方法はさらに信号パラメータセットのそれぞれのために複数の範囲を提供するように設定されている。またこの方法はさらにレシピ分析の際にガイダンスを提供するように設定されている専門ガイドを提供する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】
プラズマ処理チャンバ内における基板処理方法が開示されている。この方法は、上方電極と下方電極とを備えたプラズマ処理チャンバ内で基板を支持し、上方電極と下方電極との間でプラズマを発生させるために少なくとも１体のＲＦ電力源を利用し、導電通路を形成するために下方電極に結合された導電結合リングを提供する。この方法はさらに、導電結合リングの上方に設置されるプラズマ対向基板周辺（ＰＦＳＰ）リングを利用する。この方法はさらに、プラズマ処理パラメータを制御するために、このＰＦＳＰリングを、ＲＦフィルターを介した直流（ＤＣ）接地、ＲＦフィルターと可変抵抗とを介したＤＣ接地、ＲＦフィルターを介した正のＤＣ電力源およびＲＦフィルターを介した負のＤＣ電力源のうちの少なくとも１つに結合する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】
レシピおよび部品の制御モジュール（ＲＡＣＣＭ）を提供する。ＲＡＣＣＭは、複数の部品を備えたプラズマ処理システム中でのデータ管理を行うサーバーである。このＲＡＣＣＭは、複数の知的エージェントを有する。この複数の知的エージェントの各知的エージェントは、上述の複数の部品のうちの各部品と相互作用するように構成されている。ＲＡＣＣＭは、複数の知的エージェントから処理されたデータを受領するように構成されている調整エージェントも有する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】
プラズマ面取りエッチング（ベベルエッチング）の間、アークに関わる基板の損傷を防ぐための方法および装置。二つの環状接地板間で生成されるプラズマが基板上の露出した金属化部分に達するのを防ぐようにプラズマシールドが基板の上方に配置される。代わりに、またはこれに加えて、面取りエッチングの間、アークに関わる損傷を軽減するためにプラズマ生成の間、炭素を含まないフッ化処理原料ガスが用いられおよびＲＦバイアス電力を徐々に増加することができるか、そうしないこともできる。また、加えてもしくはあるいは、面取りエッチングの間、アークに関わる損傷を軽減するために少なくともヘリウムまたは水素のいずれかを処理原料ガスに加えることができる。 （もっと読む）

プラズマ処理チャンバと少なくとも一つの上部電極と少なくとも一つの下部電極とを有する容量結合プラズマ処理システムにおいて基板を処理する方法。基板はプラズマ処理の間、下部電極上に配置されている。この方法は、第１のＲＦ周波数を有する少なくともの一つの第１のＲＦ信号を供給する工程を含む。第１のＲＦ信号はプラズマ処理チャンバ内でプラズマと結合し、よって上部電極上に誘導されるＲＦ信号を誘導する。この方法は、第２のＲＦ信号を上部電極に供給する工程を更に含む。第２のＲＦ信号も第１のＲＦ周波数を有する。第２のＲＦ信号の位相は第１のＲＦ信号の位相から１０％未満の値で偏倚している。この方法は、第２のＲＦ信号が上部電極に供給されている間に基板を処理する工程を含む。 （もっと読む）

上部電極に対する電子損失を制御するための方法および構成であって、より長時間プラズマチャンバ内に荷電種を捕捉でき、プラズマ密度を高めるように、電極をより負にバイアスするための技術および装置を含む。上部電極上に誘導されたＲＦ信号は整流され、よって上部電極をより負にバイアスする。必要であれば、整流されたＲＦ信号を増幅することができ、よって上部電極をより負に駆動する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】
チャンバ壁を有したプラズマ処理チャンバ内で基板を処理する方法が提供されている。この方法はチャンバ壁に接続された誘電ライナ内に封入された筒状電極を有した電極構造物を提供する。この方法は筒状電極とチャンバ壁との間で接続されている誘導回路構造物をも提供する。この方法は、基板を処理するために、電極構造物をプラズマ処理チャンバ内に配置した状態にてプラズマ処理チャンバ内でプラズマを発生させることもさらに含む。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】１セットの基板を処理するために構成されたツールクラスターからのデータの、収集および分析のうちの少なくとも１つを行うための構成を提供する。この構成は、複数のツールを有し、このうちの少なくとも１つのツールは、この１セットの基板のうちの少なくとも１つを処理するためのチャンバーを有する。また、この構成は、この複数のツールからセンサーデータを収集するよう構成された複数の二次サーバーも有する。この構成は、さらに一次サーバーを有し、この一次サーバーは、この複数の二次サーバーと通信可能な形で連結され、かつデータベース管理システムを実行するように構成されている。センサーデータは、この一次サーバーに送られこのデータベース管理システムで用いられる前に、複数の二次サーバー上の複数のインデックス作成アプリケーションを用いて、インデックスが付けられる。インデックス付けには、センサーデータ項目が、このセンサーデータ項目が記憶されているサーバーの識別と関連付けられることを含む。 （もっと読む）