【解決課題】プラズマ処理システムで利用する基板エッチング最適化方法が開示されている。
【解決手段】この方法は、第１可変処理要素を含んだ第１プラズマ処理処方を選択させるステップを含み、第１可変処理要素を第１量だけ変更させることにより第１基板エッチング特性を最適化させ、第２基板エッチング特性を低下させる。この方法はさらに第２可変処理要素を含んだ第２プラズマ処理処方を選択させるステップを含み、第２可変処理要素を第２量だけ変更させることにより第１基板エッチング特性を低下させ、第２基板エッチング特性を最適化させる。方法はさらに基板をプラズマ処理チャンバ内のチャック上に配置するステップと、プラズマ処理チャンバ内でプラズマを照射するステップとを含む。方法はさらに第１プラズマ処理処方と第２プラズマ処理処方とを交互実行するステップを含み、交互実行の終了時には第１基板エッチング特性と第２基板エッチング特性とは実質的に最適化されている。 （もっと読む）

プラズマ負荷へのＲＦ電力送出の安定性を改善する方法を開示する。この方法は、ＲＦ電力系内の多くの固有の位置の一つにＲＦ抵抗器や電力減衰器を追加し、整合回路をＲＦ伝送ラインに実質的に同調させて保持しながら、インピーダンスの微分係数を低減することを含んでいる。
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プラズマ加工チャンバを有したプラズマ加工システムにおいて利用される加工工程の現場モニター方法が開示されている。本方法はプラズマ加工チャンバ内に基板を配置するステップを含んでいる。本方法は基板がプラズマ加工チャンバ内に配置されているときにプラズマ加工チャンバ内でプラズマをストライク処理するステップをさらに含んでいる。本方法はプラズマストライク処理後に存在する測定されたプラズマ周波数を獲得するステップをさらに含んでおり、測定されたプラズマ周波数はプラズマが存在しないときには第１値を有し、プラズマが存在するときには第１値とは異なる少なくとも第２値を有している。本方法は測定されたプラズマ周波数値が設定プラズマ周波数値範囲を外れていれば、測定されたプラズマ周波数値をその工程の属性と相関させるステップをさらに含んでいる。
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電極と接地部との間でＲＦアース通路を選択的に提供するプラズマ加工システムの構成が開示されている。この構成はＲＦ伝導通路構造部と環状構造部を含んでいる。環状構造部とＲＦ伝導通路構造部は２つの相対位置を有している。第１相対位置はＲＦ伝導通路構造部にアースを提供するためにＲＦ伝導通路構造部と通電状態である環状構造部の存在を特徴とする。第２相対位置はＲＦ伝導通路構造部と非通電状態である環状構造部の存在を特徴とする。
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プラズマ処理システムにおいて、ガス供給システムをマルチゾーン噴射器に接続するための一体型ガス流量制御組み立て品を開示する。組み立て品は、第一流速を備えた第一バルブ組み立て品、第二流速を備えた第二バルブ組み立て品、第三流速を備えた第三流量組み立て品、および第四流速を備えた第四流量組み立て品にガス供給システムを接続する第一組のチャネルを有し、前記第一バルブ組み立て品が実質的に開であるとき第三流速は第一流速より小さく、前記第二バルブ組み立て品が実質的に開であるとき第四流速は第二流速より小さい。組み立て品はさらに、第三流量組み立て品と第一バルブ組み立て品をマルチゾーン噴射器の第一ゾーンに接続するための第二組のチャネルを有する。組み立て品はさらに、第四流量組み立て品と第二バルブ組み立て品をマルチゾーン噴射器の第二ゾーンに接続するための第三組のチャネルを有する。前記第一バルブ組み立て品が閉であればマルチゾーン噴射器の第一ゾーンの流速は第三流速と同様であり、第二バルブ組み立て品が閉であればマルチゾーン噴射器の第二ゾーンの流速は第四流速と同様である。
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プラズマ加工チャンバを有したプラズマ加工システムにおいて利用される加工工程の現場モニター方法が開示されている。本方法はプラズマ加工チャンバ内に基板を配置するステップを含んでいる。本方法は基板がプラズマ加工チャンバ内に配置されているときにプラズマ加工チャンバ内でプラズマをストライク処理するステップをさらに含んでいる。本方法はプラズマストライク処理後に存在する測定されたインピーダンスを獲得するステップをさらに含んでおり、測定されたインピーダンスはプラズマが存在しないときには第１値を有し、プラズマが存在するときには第１値とは異なる少なくとも第２値を有している。本方法は測定されたインピーダンス値が設定インピーダンス値範囲を外れていれば、測定されたインピーダンス値をその工程の属性と相関させるステップをさらに含んでいる。
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プラズマ加工チャンバを有したプラズマ加工システムにおいて利用される加工工程の現場モニター方法が開示されている。本方法はプラズマ加工チャンバ内に基板を配置するステップを含んでいる。本方法は基板がプラズマ加工チャンバ内に配置されているときにプラズマ加工チャンバ内でプラズマをストライク処理するステップをさらに含んでいる。本方法はプラズマストライク処理後に存在する測定された自己バイアス電圧を獲得するステップをさらに含んでおり、測定された自己バイアス電圧はプラズマが存在しないときには第１値を有し、プラズマが存在するときには第１値とは異なる少なくとも第２値を有している。本方法は測定された自己バイアス電圧値が設定自己バイアス電圧値範囲を外れていれば、測定された自己バイアス電圧値をその工程の属性と相関させるステップをさらに含んでいる。
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プラズマ加工システムで利用するプラズマ加工ステップの調整方法が開示されている。この方法はプラズマ加工システムのプラズマ反応器内で中性分子とイオンとを含んだ第１プラズマをストライク処理するステップを含んでいる。この方法はさらに、基板上の複数層を第１エッチングステップでエッチングするステップと、基板周囲に可動均一リングを設置するステップとを含んでいる。均一性リングの底面は基板の上面とほぼ同じ高さである。方法はさらに、プラズマ加工システムのプラズマ反応器内で本質的に中性分子で成る第２プラズマをストライク処理するステップを含んでいる。方法はさらに、基板上の複数層を第２エッチングステップでエッチングするステップを含んでいる。第１ステップのエッチングと第２ステップのエッチングとは実質的に均等である。
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プラズマ加工システムに関係するシステム関連構成要素の予測故障状態セットを表示するためのコンピュータ用データ表示技術が開示されている。この技術はシステム関連構成要素の第１システム関連構成要素に関係する表示セットを受領するステップを含む。この技術は第１副方法に従い、第１表示セットの受領に対応して第１予測故障状態値を計算するステップをさらに含む。この技術は第１ウェイトに従って第１規格化予測故障状態値を計算するステップと、第１規格化予測故障状態値を第１色に相関させるステップと、第１色をｎ次元マトリックスの要素に表示するステップとをさらに含む。このｎは３以上である。
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【課題】
【解決手段】
プラズマを制御するシステム及び方法。本システムは作動電極２０２、別の電極２５２及び可調整接地連結回路２０８を含む半導体チャンバ２００を含んでいる。作動電極２０２はウェハーあるいは基板を受領するように設計されている。作動電極２０２との電気接続を発生させるように設計された少なくとも１つの接地電極２０６が存在する。少なくとも１つの接地電極２１２は可調整接地連結回路２０８に電気連結されている。可調整接地連結回路２０８は接地電極２０６のインピーダンスを修正するように設計されている。プラズマのイオンエネルギーは可調整接地連結回路２０８によって制御される。
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