説明

ラム リサーチ コーポレーションにより出願された特許

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プラズマ処理チャンバを効果的にモニターするための、無線周波(RF)電源(例:約2MHz、約27MHzあるいは約60MHz)に対応する電気パラメータを提供できるVI−プローブと、電気パラメータのそれぞれにハーモニクスを提供できる市販のプローブ製品にカップリングされる、及び/または含まれるプロセッサと、電気パラメータの1つ並びにプラズマ処理ステップのためのエンドポイント検出用関連ハーモニクスの1つを選択できるプロセッサにカップリングされたコントローラと、を含んだプラズマ処理制御システム。電気パラメータは、電圧、位相及び電流を含むことができ、プラズマ処理適用形態は誘電エッチングであってもよい。本発明の実施例によるシステムは特に製造環境での誘電エッチングに適している。 (もっと読む)


プラズマ加工システムで基板をエッチングする方法を提供する。基板は、半導体層、その半導体層上方に提供された第1バリアー層、その第1バリアー層上方に提供された低k層、その低k層上方に提供された第3ハードマスク層、その第3ハードマスク層上方に提供された第2ハードマスク層、及びその第2ハードマスク層上方に提供された第1ハードマスク層を有する。方法には、第1ハードマスク層の第1ハードマスク材料、第3ハードマスク層の第3ハードマスク材料、及び第1バリアー層の第1バリアー層材料に対して低選択度を有するが、第2ハードマスク層の第2ハードマスク材料に対しては高選択度を有する第1エチャントと、第1ハードマスク層の第1ハードマスク材料、第3ハードマスク層の第3ハードマスク材料、及び第1バリアー層の第1バリアー層材料に対しては高選択度を有する第2エチャントとで基板を交互にエッチングするステップが含まれ、第1エチャントは第2ハードマスク層の第2ハードマスク材料に対して低選択度を有する。
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プラズマ処理システムにおける、半導体基板上の所定の層を介して機能をエッチングするための方法。本方法は、上記プラズマ処理システムのプラズマ処理室に基板を置くことを含む。また本方法は、上記プラズマ処理室内へエッチャント混合気を流し込むことも含み、上記エッチャント混合気は所定の層をエッチングするように構成されている。本方法はさらに、エッチャント・ソース・ガスからのプラズマを打撃することを含む。さらに本方法は、上記基板にバイアスRF信号を印加しながら、上記機能を少なくとも部分的に所定の層を介してエッチングすることを含む。上記バイアスRF信号は約27MHz乃至約75MHzの範囲のバイアスRF周波数と、バイアスRF電力成分とを有し、上記バイアスRF電力成分は、エッチ機能を、基板の第2の層への、予め決められた選択性しきい値より高いエッチング選択性でエッチングさせるように構成され、または上記機能を、バイアスRF周波数における予め決められたエッチ速度パラメータ及びエッチ・プロファイル・パラメータに従ってエッチングさせるように構成される。
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プラズマ処理システムで利用される基板温度測定方法が開示されている。この方法では基板をチャックを有した基板支持構造体上に配置させる。この方法ではさらに、基板の温度キャリブレーション曲線が創出される。温度キャリブレーション曲線は、電磁式測定装置で少なくとも第1基板温度を測定し、第1等温状態にて物理式測定装置で第1チャック温度を測定することで創出される。この方法では、電磁式測定装置での測定と温度キャリブレーション曲線を利用してプラズマ処理中に基板温度が決定される。
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プラズマ処理システムの半導体基板を処理する処理方法が開示される。本処理方法は、第1の電気的な測定装置に接続された第1の端子と、第2の電気的な測定装置に接続された第2の端子とを有する高周波結合構造体を提供することを含む。本処理方法は、第2の端子に補償回路を接続することも含んでいる。本処理方法は、前記第1の電気的な測定装置および前記第2の電気的な測定装置から情報を得るように接続されたフィードバック回路を提供し、フィードバック回路の出力が、前記第1の端子の第1の電気値と前記第2の端子の第2の電気値の間の比率をほぼ所定の比率に保つように前記補償回路を制御するのに用いられる。 (もっと読む)


酸化イットリウムを含む一組の構造体から一組の粒子を除去する方法が開示される。この方法は、第1の期間、一組の構造体を酸化剤を含む第1の溶液にさらすことを含む。この方法は、更に、第1の溶液から一組の構造体を取り出して、第2の期間、この一組の構造体を主反応物を含む第2の溶液にさらすことを含む。この方法は、更に、第2の溶液から一組の構造体を取り出して、第3の期間、この一組の構造体を酸の第1の混合物を含む第3の溶液で研磨することを含む。
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ソフトウェアコントロールプログラムを備える半導体処理システムの工程のセットを最適化する方法であって、前記半導体処理システムは第1の機能、第2の機能、および第3の機能を備えており、変数のセットを保存するためのメモリをさらに備えており、前記工程のセットは第1の工程、第2の工程、および第3の工程を備えている。本発明は前記第1の工程をエディタアプリケーションで作成する工程を備えており、前記第1の機能は前記第1の工程に追加され、もし要求されれば、ユーザー入力指示の第1のセットが追加される。本発明はさらに前記第2の工程をエディタアプリケーションで作成する工程を備えており、前記第2の機能は前記第2の工程に追加され、もし要求されれば、ユーザー入力指示の第2のセットが追加される工程、および前記第3の工程をエディタアプリケーションで作成する工程を備えており、前記第3の機能は前記第3の工程に追加され、もし要求されれば、ユーザー入力指示の第3のセットが追加される工程もまた備えている。本発明はさらに前記第1の工程、前記第2の工程、および前記第3の工程を適切な順序で配置する工程、前記工程のセットを前記半導体処理システムに転送する工程、前記工程のセットを実行する工程、結果のセットを前記変数のセットに保存する工程、そしてもし要求された場合、前記変数のセットから報告書を作成する工程を備えている。 (もっと読む)


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