不揮発性メモリ素子などの電子素子用の方法および装置が記載される。メモリ素子は、２層または３層などの多層の制御誘電体を含む。多層制御誘電体は、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、および／または、酸化ハフニウムアルミニウムのハイブリッド膜などの高ｋ誘電体材料の組み合わせを含む。多層制御誘電体により、単一または多状態（例えば、２ビット、３ビット、または４ビット）動作の実現可能性を備えながら、増大された電荷保持、向上されたメモリプログラム／消去ウィンドウ、改善された信頼性および安定性を含む向上された特性を与える。
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ナノ材料で強化した止血用医療用具に関する方法、システム及び装置を提供する。外傷、外科的処置、潰瘍形成又は他の原因に起因する創傷／傷口の血液凝固を誘導する止血材料及び構造体を提供する。止血材料及び構造体はナノ構造並びに／又はポリマー及び／もしくはガラスビーズ等の他の止血成分を組込むことができる。止血材料及び構造体は吸収性とすることができる。実施態様としては、止血包帯、止血栓及び止血製剤が挙げられる。 （もっと読む）

本発明はナノワイヤー成長用システム及び方法に関する。１態様では、１個以上の核生成粒子を堆積した基板材料を反応チャンバーに準備する段階と、基板材料の表面の洗浄を助長するエッチャントガスを第１の温度で反応チャンバーに導入する段階と、核生成粒子を少なくとも第１の前駆体ガスと接触させ、ナノワイヤー成長を開始する段階と、合金液滴を第２の温度まで加熱することにより、核生成粒子の部位にナノワイヤーを成長させる段階を含む、エピタキシャル垂直配向ナノワイヤー成長法を含むナノワイヤー成長及びドーピング方法を提供する。テーパーの小さいナノワイヤーを提供するために、ワイヤーの成長中にもエッチャントガスを反応チャンバーに導入することができる。 （もっと読む）

電気基板、半透膜及びバリア、組織培養及び複合材料用構造格子、長尺非分岐ナノファイバーの製造等の各種用途に向けたナノファイバーを担持する大表面積の多孔質及び／又は湾曲状基体材料を提供する。触媒材料を堆積したカーボンブラック粒子等の複数のマイクロ粒子又はナノ粒子を準備する段階と、マイクロ粒子又はナノ粒子上で触媒材料から複数のナノファイバーを合成する段階を含むナノファイバーの製造方法を開示する。ナノワイヤーを堆積したカーボンブラック粒子を含有する組成物も開示する。 （もっと読む）

ナノ構造アレイを形成又はパターニングするための方法を提供する。前記方法はナノ構造会合基を含むコーティング上にアレイを形成する段階、スピンオン誘電体にアレイを形成する段階、ナノ構造堆積後に溶媒アニールを行う段階、レジストを使用してパターニングする段階、及び／又はアレイ形成を容易にするデバイスを使用する段階を含む。ナノ構造アレイを形成するための関連デバイスと、ナノ構造アレイを含むデバイス（例えばメモリデバイス）も提供する。高温処理中にナノ構造を融着から保護するための方法も提供する。
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半導体ナノ結晶でドープしたマトリックスが提示されている。特定の実施形態において、半導体ナノ結晶は特定の波長で光を吸収または放出するような粒径および組成物を持つ。ナノ結晶には、マトリックスによる光の散乱が最小となるように、高分子を含むさまざまなマトリックス材料の混合を可能にするリガンドを含みうる。本発明のマトリックスはまた、屈折率整合の用途にも利用できる。別の実施形態において、半導体ナノ結晶はマトリックス内に埋め込みナノ結晶の密度勾配を形成することで有効屈折率勾配を生む。本発明のマトリックスはまた、光学装置へのフィルタや反射防止コーティングとして、また逓降変換層としても使用できる。また、半導体ナノ結晶を含むマトリックスを生成する過程が提示されている。高量子効率、小さな粒径、および／または狭い粒径分布を備えるナノ構造のほか、リン化インジウムナノ構造およびコアシェルナノ構造をII-VI族シェルにより生成する方法も記述されている。多様な新規ナノ構造リガンドについても記述している。
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汚染物質濃度の低い電子グレード金属ナノ構造の製造方法を提供する。このような電子グレードナノ構造を含む単層アレイ、集団及びデバイスについて記載する。更に、第１０族金属ナノ構造とルテニウムナノ構造を製造するための新規方法及び組成物と、ナノ構造を懸濁液から回収する方法も提供する。

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本発明は導電性ポリマー層（１又は複数）中に組み込まれ且つ／又はその近くに配置されたナノワイヤ（又はナノリボン、ナノチューブなどのその他のナノ構造体）を用いた薄膜トランジスタ、及び任意の生産規模でこのようなトランジスタを製造する方法に関する。特に、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）又はポリピロール（ＰＰＹ）などの導電性ポリマー物質と、その中に組み込まれた１種又は複数種のナノワイヤとを含む複合材料を開示する。いくつかのナノワイヤ−ＴＦＴ製造方法も提示するが、その代表的な態様では、デバイス基板を設け；第１の導電性ポリマー物質層をデバイス基板上にデポジットし；１又は複数のゲートコンタクト領域を導電性ポリマー層中に形成し；動作電流レベルに達するのに十分なナノワイヤの密度にて複数のナノワイヤを導電性ポリマー層上にデポジットし；第２の導電性ポリマー物質層を前記複数のナノワイヤ上にデポジットし；ソース及びドレインコンタクト領域を第２の導電性ポリマー物質層中に形成して前記複数のナノワイヤと電気接続させ、それによりナノワイヤがソース領域及びドレイン領域上の夫々の領域間の長さを有するチャンネルを形成することを含む。 （もっと読む）

本発明は、新規なナノファイバーと付着特性をもったナノファイバー構造を提供すると共に、このナノファイバーの使用法や物品又は材料を連結及び／又は接合する構造をもったナノファイバーの使用法を提供する。
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本発明は一般に、ケイ素やタングステンなどの材料の活性層が後にコートされる支持基材上でのナノ構造非ケイ素薄膜（アルミナまたはアルミニウム薄膜など）の使用を開示している。ベースである下にある非ケイ素材料は表面積を増加させ、分析物のレーザー脱離中のレーザー照射時に、活性層に吸着した１つ以上の分析物へのエネルギーの取込みおよび移動を活性層は支援する。本発明は、比較的容易かつ安価な製造プロセスで製造でき、質量分析、疎水性または親水性コーティング、医療装置用途、エレクトロニクス、触媒作用、保護、データ記憶、オプティックスおよびセンサなどの様々な用途に用いることのできる基材表面を提供する。 （もっと読む）