真空中に配置される際，脱ガス処理をする基板（１）を処理する方法は，真空中上記基板を配置し，ある温度Ｔ１まで上記基板を加熱し，脱ガス速度が上記基板の汚損の拡散により決定され，かくして定常状態が確立されるまで，上記基板（１）から発せられるガス状コンタミネーションを除去し，脱ガス処理を実行する。その後，基板の汚損物の拡散速度が，温度Ｔ１におけるそれよりも低いある温度Ｔ２に温度は低下させられる。上記基板（１）は，金属を含むフィルム（１６）で覆われるまで，上記温度Ｔ２において更に処理される。
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基板に形成された高いアスペクト比を有するキャビティの表面上に、絶縁層をスパッタ堆積するための方法および装置が提供される。絶縁層に含まれる材料から少なくとも一部が形成されるターゲットおよび基板が、ハウジングによって画定される実質的に閉鎖されたチャンバ内に設けられる。実質的に閉鎖されたチャンバ内でプラズマが点火され、少なくとも一部がターゲットの表面の近傍にプラズマを含むように磁界がターゲットの表面の近傍に生成される。カソードとアノードとの間に高出力電気パルスを反復的に確立するように、電圧を急速に上昇させる。電気パルスの平均出力は少なくとも０．１ｋＷであり、任意でより大きくすることができる。スパッタ堆積の動作パラメータは、金属モードと反応モードとの間の移行モードで、絶縁層のスパッタ堆積を促進するように制御される。
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複数の異なるプロセスステーション（Ｐ_１１〜Ｐ_１ｎ，Ｐ_２１〜Ｐ_２ｍ）による真空処理に関して、前記プロセスステーションは、二つのグループ（Ｉ及びII）に分類されている。前記ワークピースは同時に、第一グループ（Ｉ）のプロセスステーションに向けて及び第一グループ（Ｉ）のプロセスステーションから操作されている。そこで、前記ワークピースは、選択可能な個々のシーケンス中の第二グループ（II）のプロセスステーションにより処理されている。
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ここに記載される、導電性材料のトレンチの内面への磁気的に強化されたスパッタリングの方法は、磁場を導電性材料から少なくとも部分的に形成されたターゲットに隣接して設けるステップと、アノードとターゲットとの間にＤＣ電圧を複数のパルスとしてかけるステップと、を含んでいる。高周波信号は、半導体基板を支持するペデスタルに与えられて、半導体基板に隣接する自己バイアス場を生成する。高周波信号は、ＤＣ電圧パルスがかけられている時間に重複する時間、パルス状にペデスタルに与えられる。高周波信号が与えられる時間は、アノードとターゲットとの間にかけられるＤＣ電圧パルスの終了時を超えて延びている。それぞれのＤＣ電圧パルスの間に、導電性材料はスパッターされて半導体基板に形成されたトレンチの側壁に蒸着する。
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基板上にコーティングを形成するためにターゲットのスパッタリングを発生させるための装置が提供される。本装置は、カソード及びアノードを具備するマグネトロンを備える。上記マグネトロンには電源が動作可能に接続され、上記電源には少なくとも一つのキャパシタが動作可能に接続される。本装置は、また、上記少なくとも一つのキャパシタに動作可能に接続されたインダクタンスを備える。第１のスイッチは、上記マグネトロンを充電させるために上記マグネトロンに上記電源を動作可能に接続し、上記第１の電源は、第１のパルスにより上記マグネトロンを充電させるように構成される。第２のスイッチは、上記マグネトロンを放電させるために動作可能に接続される。第２のスイッチは、第２のパルスにより上記マグネトロンを放電させるように構成される。
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マグネトロンのカソード上での電流密度を０．１と１０Ａ／ｃｍ^２の間として、基板上にコーティングを形成するためパルスが印加されるスパッタリングを発生させるための装置が提供される。本装置は、前記マグネトロンに動作可能に接続された電源と、前記電源に動作可能に接続された少なくとも一つのキャパシタとを備える。また、第１のスイッチを備える。この第１のスイッチは、前記マグネトロンを充電させるために前記マグネトロンに前記電源を動作可能に接続し、前記第１のスイッチは、第１のパルスにより前記マグネトロンを充電させるように構成される。電気的バイアス装置が、前記基板に動作可能に接続され、基板バイアスを印加するように構成される。
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本発明は、大面積の成膜に適合した成膜チャンバをクリーニングするための方法を記述する。本発明による方法においては、リモートプラズマ源からの活性化ガスを、成膜チャンバ内へと、少なくとも２つの注入箇所を介して供給し、この際、供給を一様な態様で行い得るよう、活性化ガスのための複数の経路を、反応性種に関して互いに同等なものとする。ガス注入システムは、反応性ガスの供給源と；ガスを分散させるためのチューブと；真空引き可能なチャンバと；を具備している。チューブは、供給源に対して連通した少なくとも１つの入口と、チャンバに対して開口した少なくとも２つの出口と、を備え、これにより、少なくとも部分的に互いに独立な複数のチューブブランチを備え、各チューブブランチの長さと横断面積とは、互いに実質的に同等なものとされている。
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複合太陽光収集モジュールは、一方の透明基板（例えばガラス）及び他方の電気絶縁膜との間に封止される、薄膜太陽光収集電池を具備する。金属層は、薄膜太陽光収集電池を害するおそれのある大気物質の拡散からの保護を提供するために、電気絶縁膜上に堆積される。絶縁層及び金属層は、電池端と金属層端との間にアークを引き起こさずに、基板表面領域の大部分に亘って太陽エネルギーを集めるために、より大きい収集電池が利用できるように、寸法決めされる。
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放射の強度(1)を前記強度に応じて電流(i-i,^a2)に変換するイメージセンサーデバイス(5)を製造する方法であって、真空蒸着デバイスにおいて以下の段階：誘電性の絶縁表面上に、背面の電気的コンタクトとしての電気伝導パッド(7a,7b)のマトリックスを蒸着する段階、前記パッドを備えた表面を、シリコン含有ガスを加えないドナー供給ガスにプラズマ支援露出する段階、ドープ層(17)を蒸着するシリコン供給ガスから真性シリコン層(15)を蒸着する段階、および、前記放射(1)に対して透明な電気伝導性の層(19)を前面コンタクトとして配置する段階、を有する。イメージセンサーデバイスを製造する方法とイメージセンサーデバイスは従来技術の不利点を回避する。これは、本発明のイメージセンサーデバイスが良好なオーム接触、低い暗電流を持ち、画素クロストークを持たず、再現可能な製造プロセスを持つことを意味する。
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