【課題】ＭＯＳ型デバイスのゲート絶縁膜の破壊を防止すると共に、信頼性を向上させ、かつ、チップサイズの増加を抑制した、窒化物系半導体装置を提供することができる、窒化物系半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ショットキー電極３０が、ソース電極２４とドレイン電極２６とが対向する領域の、ソース電極２４とドレイン電極２６とが対向する方向と略直交する方向にゲート電極２８と並んで形成されている。ショットキー電極３０は、ＡｌＧａＮ層２０とショットキー接合されており、ソース電極２４に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層の表面に形成したオーミック電極のコンタクト抵抗を低減した窒化物半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第一の窒化物半導体層３と、第一の窒化物半導体層３の上に形成された第二の窒化物半導体層４と、第二の窒化物半導体層４の表面に形成されるオーミック電極としてのカソード電極６と、を備え、第二の窒化物半導体層４の表面におけるカソード電極６が形成される領域に、凹凸構造を有するコンタクト部４ａが形成され、このコンタクト部４ａの表面粗さ（ＲＭＳ）が０.２５ｎｍ以上５ｎｍ以下であり、かつコンタクト部４ａの表面の酸素の組成比率が５ａｔ．％以下に設定されている。 （もっと読む）

【課題】導通抵抗が低く、かつ高い電圧を維持すると共に、ゲート絶縁膜の破壊を抑制したゲート信頼性の高い窒化物系半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＡｌＧａＮ層２０上に形成されたショットキー電極２２が、正孔をソース電極３０に流す（輸送する）ため、ゲート絶縁膜２４、特にトレンチ部２３のコーナー部に集中して電圧が印加されることがなくなる。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される１以上のＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてドープした金属原子とガリウム格子間原子とが複合体を形成している。好ましくは、前記添加物は鉄またはニッケルである。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、前記ガリウム格子間原子の濃度と同程度である。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体、窒化物系化合物半導体素子、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される、少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、前記ＩＩＩ族原子の格子間原子を拡散させる拡散促進物質を添加物としてドープしたものである。好ましくは、前記拡散促進物質はリン、砒素、またはアンチモンである。 （もっと読む）

【課題】長期信頼性が高い窒化物系化合物半導体および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】アルミニウム原子、ガリウム原子、インジウム原子およびボロン原子から選択される１以上のＩＩＩ族原子と、窒素原子とを含む窒化物系化合物半導体であって、添加物としてリチウム、銅、銀、または金を含む。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、ガリウム格子間原子の濃度と同程度である。好ましくは、前記添加物のドープ濃度は、５×１０^１６ｃｍ^−３〜５×１０^１８ｃｍ^−３である。 （もっと読む）

【課題】逆方向のリーク特性を向上した窒化物系半導体材料を用いたショットキーダイオードを提供すること。
【解決手段】シリコン基板２の表面側に、バッファ層３、ＧａＮ層４、ＡｌＧａＮ層５が積層され、これら半導体層における能動領域内のＡｌＧａＮ層５の上にＡｌＧａＮ層５に対してオーミック接触するカソード電極６と、ＡｌＧａＮ層５に対してショットキー接触するアノード電極７とが形成され、ＡｌＧａＮ層５の周縁部が除去されてＧａＮ層４が露出した段差部５Ａが周回して形成されている。段差部５ＡのＧａＮ層４の上には、半導体層の能動領域を囲むように、ＧａＮ層４に対してショットキー接触する囲い込み電極７Ａが形成されている。ここで、囲い込み電極７Ａは、アノード電極７と同電位に設定されている。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗が低く耐圧および信頼性が高い電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたキャリア走行層３と、前記キャリア走行層上に形成され前記キャリア走行層よりもバンドギャップエネルギーが高いキャリア供給層４ａ、４ｂと、前記キャリア供給層から前記キャリア走行層の表面または内部に到る深さまで形成されたリセス部５と、前記キャリア供給層上に形成されたドレイン電極１１と、前記リセス部に形成され、前記ドレイン電極側のキャリア供給層と重畳するように延設したゲート電極７と、前記リセス部の底面と前記ゲート電極との間に形成された第１絶縁膜６と、前記ゲート電極と前記ドレイン電極側のキャリア供給層との間に形成され前記第１絶縁膜よりも誘電率が高い第２絶縁膜８ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ型デバイスのゲート絶縁膜の破壊を防止すると共に、信頼性を向上させた、窒化物系半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ドレイン電極２６とゲート電極２８との間に設けられたＳＢＤ金属電極３０がＡｌＧａＮ層２０とショットキー接合されている。また、ＳＢＤ金属電極３０とソース電極２４とが接続されており、電気的に短絡している。これにより、ゲート電極２８にオフ信号が入ると、ＭＯＳＦＥＴ部３２がオフ状態となり、ＭＯＳＦＥＴ部３２のドレイン側の電圧がドレイン電極２６の電圧値と近くなる。ドレイン電極２６の電圧が上昇すると、ＳＢＤ金属電極３０の電圧値が、ＭＯＳＦＥＴ部３２のドレイン側の電圧値よりも低くなるため、ＳＢＤ金属電極３０によってＭＯＳＦＥＴ部３２のドレイン側とドレイン電極２６とが電気的に切断される。 （もっと読む）

【課題】高い電子移動度と耐圧特性を両立する窒化物半導体の炭素ドーピング方法を提供すること。
【解決手段】窒化物半導体に中性子線を照射する工程を有する窒化物半導体の炭素ドーピング方法である。そして、当該炭素ドーピング方法を利用した、窒化物半導体及びその製造方法、並びに半導体素子及びその製造方法である。具体的には、例えば、シリコン基板１上に、バッファ層３、ＧａＮ層４、ＡｌＧａＮ層５を形成した後、中性子線を照射して、ＧａＮ層４に炭素ドーピングを行い、その後、ゲート電極７Ｇ、ソース電極７Ｓ、ドレイン電極７Ｄを形成して、半導体素子を得る。 （もっと読む）