説明

ダブリュディ・メディア・シンガポール・プライベートリミテッドにより出願された特許

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【課題】 磁気記録層の磁性粒子の微細化と孤立化を促進するという本来の目的を達成しつつ、コロージョンも生じさせない下地層を備えた垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体100の構成は、基体110上に少なくとも、信号を記録する磁気記録層122と、磁気記録層より下に設けられる下地層118と、下地層の結晶配向性を制御するための非磁性層116と、非磁性層より下に設けられる軟磁性層114とを備え、下地層118は下方から順に、ルテニウムを含む第1下地層118aおよび第2下地層118bと、金属を含む第3下地層118cとの3層で構成され、スパッタリングによる成膜時のガス圧は、上記の3層のうち第2下地層118bが最も高いことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高記録密度ハードディスク(HDD)等に用いられる磁気記録媒体をイオン注入法において製造する方法において、注入イオンのにじみ現象(垂直注入時に水平方向へ注入イオンが散乱する現象)を抑制することを課題とし、高密度磁気記録の要求にあった磁気記録媒体とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】注入イオンのにじみ現象が、深くなるほど広がることを利用し、イオンを浅く注入することで、にじみ量を抑制できることから、本発明は、前記非記録領域が、前記磁気記録層の深さ方向において、イオン照射によって注入されたイオンを含む部分と、当該イオンを含まない部分の両方を有することを特徴とする磁気記録媒体を提供する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、イオン照射方式により製造した磁気記録媒体において、サーボ信号の出力を向上させることを課題とする。
【解決手段】基板の少なくとも一方の表面上に、磁気情報の記録再生を行うための磁気記録領域と、前記磁気記録領域を磁気的に分離するための非記録領域とが、基板の面内方向において規則的に配置された磁気記録層を有する磁気記録媒体であって、前記非記録領域は、透磁率が2H/m以上、100H/m以下であり、さらに前記非記録領域の表面は、前記磁気記録領域の表面に対して凹部を形成し、かつ、前記凹部の深さは0.5nm以上2.0nm以下であることを特徴とする磁気記録媒体。 (もっと読む)


【課題】高いSNRを確保しつつ摺動耐久性を向上させることで、信頼性の向上および更なる高記録密度化の達成を図る。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の構成は、基板上に少なくとも、CoCrPt合金を主成分とする磁性粒子と酸化物を主成分とする非磁性の粒界部とからなる主記録層を成膜する主記録層成膜工程と、主記録層上にRu合金またはCo合金を主成分とする分断層を成膜する分断層成膜工程と、分断層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第1加熱工程と、第1加熱工程の後にCoCrPtを主成分とする材料からなる補助記録層を成膜する補助記録層成膜工程と、補助記録層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第2加熱工程と、第2加熱工程の後にCVD法によりカーボンを主成分とする保護層を成膜する保護層成膜工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】保磁力Hcと逆磁区核形成磁界Hn、およびSNRを総合的に向上させることにより、更なる高記録密度化を達成することが可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の構成は、基板110上に、軟磁性層130を成膜する軟磁性層成膜工程と、軟磁性層成膜後の基板に加熱処理を施す加熱工程と、加熱処理によって温度が上昇した状態で、軟磁性層上に、Niを主成分とし、少なくともBを1〜5at%含有する前下地層140を成膜する前下地層成膜工程と、前下地層の上方に、Ruを主成分とする下地層150を成膜する下地層成膜工程と、下地層の上方に、CoCrPt合金を主成分とする磁性粒子と酸化物を主成分とする非磁性の粒界部とからなる主記録層160を成膜する主記録層成膜工程と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 トラック幅の狭小化を図り、同時にSNRの向上も図ることにより、さらなる高記録密度化の達成が可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板上に少なくとも、Ru合金を主成分とする下地層150を成膜する工程と、下地層の上方に、柱状に成長したCoCrPt合金を主成分とする磁性粒子と酸化物を主成分とする非磁性の粒界部とからなるグラニュラ構造を有する複数の磁性層(第1記録層161、第2記録層162)を成膜する工程と、を包含し、複数の磁性層は、少なくとも下地層に接する磁性層(第1記録層161)はバイアス電圧を印加せずに成膜し、バイアス電圧を印加せずに成膜した磁性層よりも表層側に成膜する1または複数の磁性層のうち少なくとも1層の磁性層(第2記録層162)はバイアス電圧を印加しながら成膜することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】記録トラック幅MWWを劣化させることなくSNRの向上を図ることにより、さらなる高記録密度化を実現可能にする垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の代表的な構成は、基板110上に少なくとも、磁性粒子を含有する第1磁性層161を成膜する工程と、第1磁性層の上方にRu合金を主成分とする第1分断層171を成膜する工程と、第1分断層の上方に、磁性粒子を含有する第2磁性層162を成膜する工程と、第2磁性層の上方にRu合金を主成分とする第2分断層172を成膜する工程と、第2分断層の上方に、少なくともCoとCrとPtとを含有する第3磁性層163を成膜する工程と、を包含し、スパッタリング法を用いて成膜する際の雰囲気ガスの圧力を、第2磁性層は第1磁性層よりも低圧にし、第3磁性層は第2磁性層よりも低圧にすることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】保磁力[Hc]とSNRを両立して向上させることにより、さらなる高記録密度化を実現可能にした垂直磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体100の代表的な構成は、基板110上に少なくとも、RuまたはRu合金を主成分とする下地層150と、下地層150の上に積層され、CoCrPt合金を主成分とする磁性粒子と酸化物を主成分とする非磁性の粒界部からなるグラニュラ構造を有するグラニュラ磁性層160と、を備え、グラニュラ磁性層160は少なくとも、下記録層161と、該下記録層161の上に積層され該下記録層161よりも膜厚が厚い主記録層162とを有し、該主記録層162の磁性粒子にのみRuが5原子%以下含有され、かつ、磁性粒子のPtの含有率は、下記録層161の方が主記録層162よりも高いことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、高記録密度ハードディスクドライブに用いられるディスクリートトラックメディア等のパターンドメディアを製造する方法において、レジストマスク層を除去する際に、除去されずに残存するレジストマスクによる表面平坦度の悪化をなくすことを課題としている。
【解決手段】基板上に、記録領域と非記録領域とが、基板の面内方向において規則的に配列された磁気記録層を備えるパターンドメディアの製造方法であって、SOGからなるレジストマスク層をアルカリ溶剤を用いて除去する工程では、イオン照射によってアルカリ系溶剤に対する溶解度が凸部よりも悪くなったレジストマスク層の凹部の膜厚に基づいて、レジストマスク層除去の終点を判定することを特徴とする、パターンドメディアの製造方法。 (もっと読む)


【課題】保磁力Hcと逆磁区核形成磁界Hn、およびSNRを総合的に向上することにより、さらなる高記録密度化を実現可能にする。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明にかかる垂直磁気記録媒体の代表的な構成は、軟磁性層130と、Niを主成分とし、W、Bを含有し、さらにZr、AL、SiからなるA群の元素のうち1つ以上の元素を含有する前下地層140と、RuまたはRu合金を主成分とする下地層150と、CoCrPt系の磁性粒子と非磁性の粒界部からなるグラニュラ構造を有するグラニュラ磁性層160と、を備えたことを特徴とする。 (もっと読む)


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