【課題】環境に影響のある物質を排出することなく、簡易な工程で合金の表面を加工可能な方法を提供すること。
【解決手段】照射されるパルスレーザ光のフルーエンスが、加工閾値Ｆ_th^Al以上になると加工されるアルミニウム１１と、照射される前記パルスレーザ光のフルーエンスが、加工閾値Ｆ_th^Alとは相違する加工閾値Ｆ_th^Eu以上になると加工される初晶シリコン１２と、を含むＡｌ−Ｓｉ合金１０の表面の被加工部位を加工する金属表面加工方法であって、加工閾値Ｆ_th^Alと加工閾値Ｆ_th^Euとに応じて、パルスレーザ光のフルーエンスを、Ａｌ−Ｓｉ合金１０の表面に所望の物質を露出可能な値に調整する工程と、調整されたフルーエンスのパルスレーザ光をＡｌ−Ｓｉ合金１０の表面に照射する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光結合損失の低減、小型化および低コスト化が可能であり、且つ、発光効率が高く、点光源とみなせる発光装置を提供する。
【解決手段】コア３１に希土類元素を添加した直線状の光ファイバ３がＬＥＤチップ１に光軸が一致する形でパッケージ２に保持され、パッケージ２には、ＬＥＤチップ１から放射される光の広がり角を制御する広がり角制御部たる枠体部２３が設けられているので、光学レンズを用いてスポットサイズを変換することなくＬＥＤチップ１と光ファイバ３とを光結合することができ、ＬＥＤチップ１と光ファイバ３との間の光結合損失を低減できるとともに小型化および低コスト化が可能となる。また、直線状の光ファイバ３の長さがＬＥＤチップ１側とは反対側の端面３１ｂから増幅自然放出光が出射される長さに形成されているので、発光効率が高くなるとともに点光源とみなすことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】波長変換部の波長変換効率の向上を図れる発光装置を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１と、ＬＥＤチップ１の光取り出し面側に配設されＬＥＤチップ１から放射される光の一部をＬＥＤチップ１よりも長波長の光に変換する波長変換部２とを備える。波長変換部２は、ＬＥＤチップ１から放射される光によって励起されてＬＥＤチップ１よりも長波長の光を放射する希土類元素を添加したガラスである蛍光ガラスを用いた複数の波長変換要素部２１が組み合わせて配列された構造体により構成されている。波長変換部２は、波長変換要素部２１が上述の蛍光ガラスをコア１２１とする光ファイバ１２０であり、各光ファイバ１２０の光軸方向がＬＥＤチップ１の光軸方向に一致する形で配列されている。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板とガラス基板とを直接接合して形成した積層体をより簡単に割断でき且つガラス基板の割断面の平滑性を向上できる積層体の割断方法を提供する。
【解決手段】単結晶のＳｉ基板１１とガラス基板１１とを直接接合した積層体１０を割断する割断方法であって、図１（ａ）に示すように割断予定ラインＬに沿ってＳｉ基板１１におけるガラス基板１２側に応力集中部２０を形成する応力集中部形成工程を行い、その後、図１（ｂ）に示すように遠赤外レーザからのレーザビームＬＢｂを応力集中部２０に沿って照射することで応力集中部２０に温度変化を与えるレーザ照射工程を行い、続いて、積層体１０を貼り付けた粘着性樹脂テープを引き伸ばすエキスパンド工程を行うようにしている。ここで、レーザ照射工程とエキスパンド工程とで、積層体１０の応力集中部２０に応力を与えることにより積層体１０を割断する割断工程を構成している。 （もっと読む）

【課題】ウェハの種類などによらずウェハを一括して個々のチップに精度良く分割することが可能で収率の向上を図れるダイシング方法およびエキスパンド装置を提供する。
【解決手段】エキスパンド工程では、テーブル４１上に粘着性樹脂テープ３０の周部を固定した状態にし、テーブル４１の内側に配置されウェハリング４２を保持しているリングステージ４３および押圧ステージ４４をテーブル４１における粘着性樹脂テープ３０の固定面を含む仮想平面に対して相対的に上昇させて粘着性樹脂テープ３０をウェハリング４２に張設する張設過程を行い、その後、押圧ステージ４４を上昇させて粘着性樹脂テープ３０を伸張させるとともにウェハ１０に曲げ応力をかけることで個々のチップ１に分割する分割過程を行い、その後、リングステージ４３を上記仮想平面に対して更に上昇させることで粘着性樹脂テープ３０をウェハリング４２に再び張設する再張設過程を行う。 （もっと読む）

【課題】太陽光励起レーザー装置を用いた水素生成と炭素の固定化
【解決手段】太陽光により励起されるレーザーを用いる事により太陽から変換されるセルロース類を高速炭化し水素生成を行う。この水素を用いたアンモニア生成および炭素の固定化を行う （もっと読む）

【課題】従来の太陽光励起レーザー装置の効率を上げる。
【解決手段】太陽光１により励起されるレーザー媒質を多層化しそれぞれの層に波長に最適化したＣｒ、Ｎｄ、Ｅｒの複合材料をレーザー体層４、６に添加する事により、太陽が持つ広領域の波長ごとに別個にドーピング材で吸収され、それぞれレーザ励起を行い、複数の波長で発信することにより、太陽光１エネルギーを高効率でコヒーレントレーザー光エネルギーに変換するエネルギー変換装置。 （もっと読む）

【課題】レーザービームを用いて従来よりもＥＵＶ光への高い変換効率を得ることができ、従来よりもデブリの発生量を少なくすることができ、低コストでＥＵＶ光を放射させる方法を提供する。
【解決手段】ターゲット材料にプレパルスレーザービームを照射してプラズマを発生させた後、メインパルスレーザービームを照射してＥＵＶ光を放射させるダブルパルス照射法によるＥＵＶ光の放射方法であって、前記ターゲット材料が錫および錫化合物の少なくとも一方からなり、前記プレパルスレーザービームの照射により発生したプラズマのイオン密度が１×１０^１６〜１×１０^１９ｃｍ^−３であり、且つ前記メインパルスレーザービームが赤外域のレーザービームであるＥＵＶ光の放射方法。 （もっと読む）

【課題】酸化チタンを代表とするｎ型酸化物半導体について、その特有の特性を利用して新たな用途を提供する。
【解決手段】ｎ型酸化物半導体の皮膜又は成形体に対してフェムト秒レーザを照射することを特徴とするｎ型酸化物半導体の特性制御方法、及び該方法によってｎ型酸化物半導体にフェムト秒レーザを照射した後、照射部分に、連続波レーザ又はパルス間隔１ms以下のパルスレーザを照射して、フェムト秒レーザの照射前の状態とすることを特徴とするｎ型酸化物半導体の特性制御方法。 （もっと読む）

【課題】十分な強度の超音波を効率良く発生でき、かつ、広範囲に良好な検査を行い得る超音波検査装置、超音波検査方法および原子力プラントの非破壊検査方法を提供する。
【解決手段】調整された出力のレーザ光を発射するレーザ装置５およびレーザ装置５が発射するレーザ光を照射され、超音波を発生する送信ダイヤフラム３９を有する体積検査用超音波送信部１７を備え、体積検査用超音波送信部１７の送信ダイヤフラム３９が発生する超音波を構造部材７７に照射して検査を行う超音波検査装置１であって、送信ダイヤフラム３９は、チタンで形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）