説明

エム・セテック株式会社により出願された特許

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【課題】ウエーハ基板全面に亘る感光液の均一塗布方法を提供する。
【解決手段】感光液Lを塗布有効領域Tにおいて噴霧しつつ、回転する基板1の回転中心O上を通る直線移動軌跡X1に沿って移動するノズル7を用いて、基板上の隣接する塗布有効領域Tの外縁Eが互いに接するように感光液Lを噴霧塗布する方法であって、基板1を二分割し、一方の半円を塗布するとき、直線移動軌跡上における基板1の回転中心Oから半径w/2だけ離間した点Qを中心とした領域Tの中心点Pの塗布軌跡Kである円弧上を直線移動軌跡に投影した速度でノズル7を半円R1部分の塗布時間の間だけ直線移動軌跡上を加減速移動させ、且つ、このノズル7の加減速に合わせてノズル7に対する基板1の回転速度が一定となるようにし、他の半円を塗布するとき、基板1の回転速度を等速とすると共にノズル7の中心点Pが半円部分から他の部分に切り替わる時点まで停止させる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、レジスト液の使用量が極わずかで溶媒が蒸発しやすいレジスト噴霧塗布方法において、ウェハー基板載置台の温度ドリフトを極力小さくすることにより、霧状のレジスト液が基板表面に到達する前に溶媒が蒸発せず、微細液滴状態で均一に塗布でき、均一塗布後はこれを迅速に乾固化させるレジスト塗布装置を提供することをその課題とする。
【解決手段】
(a) 搭載したウェハー基板(1)を回転させ且つウェハー基板(1)との接触部位(2)を通じてウェハー基板(1)を加熱するマイカヒータ(3)を備えたスピンチャック(4)と、
(b) レジスト(L)を霧状にしてウェハー基板(1)上に噴霧する超音波スプレーノズル(7)と、
(c) 前記ウェハー基板(1)の加熱温度を測定する温度計測部(5)と、
(d) スピンチャック(4)に非接触で且つ前記温度計測部(5)からの信号により前記マイカヒータ(3)を制御してマイカヒータ(3)に給電する給電装置(6)とを備えていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、使用量が極わずかで溶媒が蒸発しやすいレジスト噴霧塗布方法において、レジストの均一塗布が可能となるようなレジスト塗布装置を提供することを課題とする。
【解決手段】
(a) 搭載したウェハー基板(1)との接触部位(2)を通じてウェハー基板(1)を加熱するマイカヒータ(3)を備えたウェハー搭載部(4)と、
(b) レジスト液(L)を霧状にし、且つ該霧状レジスト(M)の周囲にエアカーテン(71)を形成してウェハー基板(1)上に噴霧する超音波スプレーノズル(7)と、
(c) 超音波スプレーノズル(7)から霧状レジスト(M)をスカート状に噴出させ、且つ相隣り合う超音波スプレーノズル(7)の噴霧移動軌跡(S1)(S2)…における霧状レジスト(M)のスカート状裾部分(m)が互いに重なり合うように超音波スプレーノズル(7)をウェハー基板(1)に対して相対移動させるアクチュエータ(30)とを備えていることを特徴とする。
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【課題】太陽電池に用いられる基板の表面にセル形成用のフィンガー電極用の凹溝をより細い溝幅にて直接且つ均一に形成するプラズマ加工方法とその装置を提供する。
【解決手段】大気圧より大なる作動ガス含有雰囲気ガス中において、被加工物載置用放電電極1上に被加工物10を設置し、前記被加工物載置用放電電極1に対向して配置された対向放電電極2の被加工物10側の面に設けられ、背後電極3bが内蔵された固体誘電体3を被加工物10に接触させて配置し、前記電極1、2間に高電圧を印加して固体誘電体3の側面に沿面放電プラズマPを発生させ、該沿面放電プラズマPにより固体誘電体3の被加工物10との接触縁に沿って被加工物10の表面に表面加工線状部10aを形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】角形基板でもその角部分の先端までほぼ均一な薬液層を形成する事の出来る薬液塗布装置を開発する事にある。
【解決手段】(1) 角形基板(1)が嵌め込まれる角形凹所(16)が形成され、該角形凹所(16)の外接円(G)外に面一にて平坦縁部(10b)が形成され、角形基板(1)が前記角形凹所(16)に面一に嵌め込まれた状態で回転する回転チャック(10)と、(2) 角形基板(1)上に薬液(2)を供給するための薬液供給部(11)と、(3) 回転チャック(10)に載置された角形基板(1)を覆うためのものであって、回転チャック(10)の直上に気体流入孔(12)が穿設されており、気体流入孔(12)から角形基板(1)側に導入された気体にて角形基板(1)の中心(P)側から周縁(S)方向に流れる気流(4)を作り出す円錐台状のフード(13)とを有する薬液塗布装置(A)であって、(a) フード(13)の気体流入孔(12)が角形基板(1)の内接円(N)に等しく、且つ、(b) フード(13)の裾縁(14a)が回転チャック(10)の外周縁(10c)に等しく形成されている事を特徴とする。 (もっと読む)


【課題】露光用マスクの回路パターンを忠実且つシャープに再現可能とする厚膜レジストウォータプロセスの開発をその解決課題とする。
【解決手段】シリコン基板(S)の表面にレジスト(L)を塗布し、該レジスト(L)に回路形成パターンを露光して回路形成パターンを焼き付け、然る後、該回路形成パターンが焼き付けられたレジスト(L)を現像する厚膜レジストプロセスであって、露光前にレジスト(L)に水分を与えた後、レジスト(L)を露光することを特徴とするもので、レジスト(L)内の水分によりインデンケテンが急速にかつ大量に形成され、更にこのインデンケテンがレジスト(L)内の水分によりアルカリ現像液に可溶なインデンカルボン酸変化することにより、露光用マスク(M)に極めて忠実な露光・現像を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】従来の裏面研削では不可能であったシリコン微粒子の回収を可能とするウェハーの裏面研削方法を提供する。
【解決手段】(a)表面に集積回路パターンを形成する集積回路パターン形成過程において裏面に不純物層(sf)が積層されているウェハー(S)の裏面を研削して少なくとも不純物層(sf)を除去し、(b)不純物層除去裏面研削が終了したウェハー(S)の不純物除去洗浄を行い、(c)不純物洗浄後のウェハー(S)の裏面を、純水を供給しつつ研削してウェハー(S)を所定厚さにすると共に研削によって生成されたシリコン微粒子を純水と共に回収し、然る後、(d)ウェハー(S)の裏面を仕上げ研削する。 (もっと読む)


【課題】広大土地を必要とするにも拘わらず土地価格を極めて安価に抑制することが出来る、換言すれば、低コストで景観を損なうことのない陸地型太陽光発生装置を開発することを解決課題とする。
【解決手段】補強壁(40)にて周囲が取り囲まれている廃棄物処理場の太陽光発電装置設置領域(20)上に互いに独立して設置された複数の太陽光発電パネル敷設用の架台(1)と、該架台(1)上に設置された太陽光発電パネル(2)とを具備する太陽光発電装置(A)であって、架台(1)が、太陽光発電パネル敷設用の架台本体(3)と、架台本体(3)から垂設され、架台本体(3)の前記設置領域(20)からの設置高さH1、H2、H3、H4を可変とした脚(4)とで構成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】シリコンインゴット加工装置から排出される排水のシリコン微粒子を長期間に亘って効果的に濾過できるようにして濾材の耐用期間を延長する。
【解決手段】シリコンインゴット加工装置1からのシリコン微粒子を含む排水2に酸5を添加し、その排水2を濾過装置14で濾過し、濾過した濾過水23にアルカリ剤31を添加し、その濾過水23をシリコンインゴット加工装置1に加工用水として供給するに際し、濾過水23の一部を系外へ排出する濾過水排出手段42と、濾過水貯槽25に置換水45を供給する給水手段46と、排水2の導電率を検出する導電率検出器47と、導電率検出値49が設定値50以下に保持されるよう濾過水排出手段42と給水手段46を制御して濾過水23の一部を置換水45で置換する制御器48とを備える。 (もっと読む)


【課題】薬液を用いた湿式のエッチングであるにもかかわらずアンダーカットが生じることのないTiWアンダーバンプ層のエッチング方法を提供する。
【解決手段】金バンプ電極3が存在しない領域では、UVエキシマ光の照射によって薬液Y(過酸化水素水)が活性化されるためにTiWアンダーバンプ層2aのエッチング反応が早く進行するが、金バンプ電極3が存在する領域では、UVエキシマ光が金バンプ電極によって遮られるために薬液Yが活性化されることはなく、エッチング反応は殆ど進行しない。つまり、金バンプ電極3の下方領域ではTiWアンダーバンプ層2aのエッチング反応が非常に遅いので、アンダーカットの生じないTiWアンダーバンプ層2aのエッチングを実現することができた。 (もっと読む)


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