【課題】
【解決手段】本発明は、一般的に言えばプラズマ処理に関し、より具体的には、プラズマ処理チャンバと、その内部で用いられる電極アセンブリとに関する。本発明の一実施形態において、電極アセンブリは、熱制御板と、シリコン系シャワーヘッド電極と、熱伝導ガスケットと、を備える。 熱制御板の正面のプロファイルとシャワーヘッド電極の裏面のプロファイルとが協働して、シャワーヘッド電極のシャワーヘッド通路に隣接する部分とシャワーヘッド通路から離れた部分とを含む不連続な熱インターフェースを形成する。熱インターフェースの離れた部分は、熱インターフェースの隣接部分に対して陥凹され、隣接部分によってシャワーヘッド通路から分離される。ガスケットがシャワーヘッド通路から隔離されるように、離れた部分に沿ってガスケットを配置する。ガスケットは、シャワーヘッド電極から熱制御板への熱インターフェースを介した熱移動を容易にする。 （もっと読む）

【課題】最適な整合を迅速に達成できる整合ネットワークのリアクタンス性インピーダンスを制御する方法および装置の提供。
【解決手段】リアクタンス性インピーダンス要素１２およびプラズマを含む負荷の高周波源１４に対する同調とを制御する第１および第２の可変リアクタンス１８，２０を含んでいる整合ネットワークを介して接続される。第１および第２の可変リアクタンス１８，２０の値を変化させて、高周波源１４の出力端子の内外に現れるインピーダンスの間の最良の整合を達成するために第１の可変リアクタンス１８が第２の可変リアクタンス２０の各単位変化に対して変化する量を決定する。次いで、高周波源１４の出力端子の内外に現れるインピーダンスの間の考えられる最良のインピーダンス整合が達成されるまで、上記の決定に基づいて第１および第２のリアクタンス１８，２０の値を変動させる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】カムロッククランプは、ヘッド領域を含む第１端部と、スタッドについて同心円状の１または複数の皿ばねを支持するよう構成された第２端部とを備えた実質的に円筒形の本体を有するスタッドを備える。ソケットは、スタッドの周りに同心円状に機械的に結合するよう構成されており、スタッドのヘッド領域は、ソケットの最上部の上方に露出される。ソケットは、消耗材料にしっかりと取り付けられるよう構成される。カムシャフトは、実質的に円筒形の本体を有し、バッキングプレートの穴の中に取り付けられるよう構成されている。カムシャフトは、さらに、カムシャフト本体の中央部に位置する偏心切り欠き領域を備える。カムシャフトは、消耗材料およびバッキングプレートが互いに近接する時に、スタッドのヘッド領域に係合してロックするよう構成される。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ処理チャンバ内で非閉じ込めプラズマ事象を検出するためのシステムが開示されている。システムは、プラズマ処理チャンバ内に配置され、非閉じ込めプラズマがプラズマ処理チャンバ内に存在する時に電流を供給するセンサを備えてよい。システムは、さらに、電流を電圧に変換するための変換器と、電圧からノイズを除去して第１の信号を供給するためのフィルタと、を備えてよい。システムは、さらに、第１の信号の増幅レベルおよび／または第１の信号を用いて、非閉じ込めプラズマの存在を決定するための検出器を備えてよい。システムは、さらに、センサおよび変換器を接続して、電流をセンサから変換器に伝導するための導体を備えてよい。システムは、さらに、導体の少なくとも一部を囲んで、導体が受ける電磁ノイズを少なくとも低減するためのシールドを備えてよい。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理チャンバのパーツのための保護被覆およびその使用方法
【解決手段】フッ素ラジカルおよび酸素ラジカルなどのプラズマ生成ラジカルからＲＦストラップを保護するためにプラズマチャンバにおいて使用される、可撓性のポリマまたはエラストマを被覆されたＲＦ帰還ストラップと、プラズマ処理装置内において、粒子汚染を抑えられた状態で半導体基板を処理する方法。被覆されたＲＦストラップは、粒子の生成を最小限に抑え、被覆されていないベース・コンポーネントよりも低い浸食速度を呈する。伝導性で可撓性のベース・コンポーネント上に可撓性被覆を被覆された被覆部材は、ギャップを調整可能な静電結合プラズマリアクタチャンバ内において１つまたは２つ以上の電極の移動を可能にするように構成されたＲＦ地帰還を提供する。 （もっと読む）

【解決手段】上側電極および下側電極を有するプラズマ処理システムが開示されている。上側電極および下側電極は、異なるギャップを有する２つの領域を形成する。上側電極および下側電極の一方または両方を移動させることによって、第１の領域と、第１の領域および第２の領域の両方とのいずれでプラズマを維持することを許容するかに応じて、ＲＦ結合の面積比を変化させることができる。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ処理チャンバは、片持梁アセンブリと、大気負荷をなくすよう構成された少なくとも１つの真空隔離部材とを備える。チャンバは、内部領域を取り囲み開口部を有する壁を備える。片持梁アセンブリは、チャンバ内で基板を支持するための基板支持体を備える。片持梁アセンブリは、一部がチャンバ外に位置するように、開口部を介して伸びる。チャンバは、壁と相対的に片持梁アセンブリを移動させるよう動作可能な駆動機構を備える。 （もっと読む）

【解決手段】基板のべベル端部（面取りされた端部）近傍の不要な被膜を除去して、プロセス歩留まりを改善する装置及び方法をさまざまな実施形態として提供する。実施形態に従う装置及び方法は、中央ガス供給部及び端部ガス供給部を備えることにより、端部除外領域を基板端面方向に狭めるための最適なべベル端部エッチングプロセスを選択することが可能になる。さらに実施形態に従う装置及び方法は、調整ガスを用いてべベル端部におけるエッチングプロファイルを変化させるものであり、中央ガス供給部と端部ガス供給部との組み合わせによりチャンバ内にプロセスガスと調整ガスを導入する。調整ガスの使用とガス供給部の配置は、いずれも、べベル端部におけるエッチング特性に影響を与える。また、ガスの総流量、ガス供給プレートと基板表面との間隔距離、圧力及びプロセスガスの種類も、べベル端部のエッチングプロファイルに影響を与える。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１つの光源を使用してエンドエフェクタ・アラインメントを校正するためのシステムおよび方法
【解決手段】プラズマ処理システムにおいてチャックに対するエンドエフェクタのアラインメントを校正するための方法が提供される。方法は、エンドエフェクタからチャックへ第１の光ビームを提供することを含む。方法は、第１の光ビームがチャックの表面を走査するようにあらかじめ定められた校正経路に沿ってエンドエフェクタを移動させることを含む。方法は、また、反射光信号の集合を受信することを含み、反射光信号の集合は、少なくとも、移動時に表面が第１の光ビームを反射するときに生成される。方法は、３つ以上の不連続性を特定するために反射光信号の集合を分析することを含む。３つ以上の不連続性は、第１の光ビームがチャックの縁に当たるときに生成される３つ以上の反射光信号に関係している。方法は、また、３つ以上の不連続性に基づいて３つ以上の座標データ点を決定することも含み、３つ以上の座標データ点は、チャックの縁上の３つ以上の点を表している。方法は、３つ以上の座標データ点に基づいてチャックの中心を決定することを含む。 （もっと読む）

【解決手段】半導体基板上に形成されたナノポーラスｌｏｗ−ｋ（低誘電率）誘電体を処理する方法を提供する。ｌｏｗ−ｋ誘電体はエッチング処理により形成された開口部を備え、エッチング処理により形成された開口部の外表面上および連通孔の内表面上に、シラノール基を含むエッチングによる損傷領域を有する。まず最初に、ｌｏｗ−ｋ誘電体を、エッチングによる損傷領域において気相触媒とシラノール基との間に水素結合を形成するのに有効な量の気相触媒に接触させて、触媒中間体を形成する。次に、ｌｏｗ−ｋ誘電体を、エッチングによる損傷領域において約５０％以上のシラノール基と反応するのに有効な量のアルコキシシラン修復剤と接触させることにより、アルコキシシラン修復剤を触媒中間体と反応させる。及び／又は、ｌｏｗ−ｋ誘電体を、連通孔内への被覆バリア層の拡散を防ぐのに有効な量のアルコシキシランシール剤と接触させることにより、アルコシキシランシール剤を触媒中間体と反応させる。 （もっと読む）