【課題】パターンつきフォトレジストマスクと、その下に配された中間マスク層と、その下に配された機能性有機質マスク層と、その下に配されたエッチング層とによって形成されるスタックにおいてエッチング層内のエッチング構成の限界寸法を制御するための方法を提供する。
【解決手段】中間マスク層４１６は、パターンつきフォトレジストマスク４２０に対して選択的にエッチングすることによって開口される。機能性有機質マスク層４１２の開口は、ＣＯＳを含む開口ガスを流すこと、プラズマを発生させること、および開口ガスを流すことを停止する工程とを含んでいる。その後エッチング層４０８は、所望の寸法にエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄プロセスにおける金属汚染物質を除去する方法を提供する。
【解決手段】ウェット・センド・インデクサ・ステーション１１０では、基板の表面状態が、疎水性から親水性に変化させられる。このプロセス・ステップにおいて表面金属汚染の増加なしに基板の表面状態を変化させるよう、本発明を使用する。これを行うには、クエン酸・過酸化水素溶液に基板を浸漬させる。前記溶液のｐＨレベルは、水酸化アンモニウムとコリンおよびテトラメチル水酸化アンモニウムから選択された塩基混合物の添加により約６．５ないし１４に調整される。両面ブラシスクラバに関して説明される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本方法および装置は、フォトレジストをウエハから除去する。硫黄（Ｓ）、酸素（Ｏ）、および、水素（Ｈ）を含有する処理ガスが供給され、第１のチャンバ内で処理ガスからプラズマが生成される。ラジカルリッチかつイオンプアの反応媒体が、第１のチャンバから、ウエハの配置された第２のチャンバに流される。ウエハ上にパターニングされたフォトレジスト層が、反応媒体を用いて除去され、その後、第２のチャンバへの反応媒体の流入が停止される。反応媒体がウエハに到達する前に、水蒸気が反応媒体を溶媒和して化学種の溶媒和クラスタを形成するように、プラズマから下方に流れる反応媒体の流路内に設けられた溶媒和領域に、水蒸気が導入されてよい。フォトレジストは、溶媒和された反応媒体を用いて除去される。 （もっと読む）

【解決手段】シリコン層を、その上に形成されたパターン化マスクを通してエッチングするための方法及び装置が提供される。シリコン層は、エッチングチャンバ内に置かれる。フッ素含有ガス及び酸素・水素含有ガスを含むエッチングガスが、エッチングチャンバ内へ提供される。エッチングガスからプラズマが生成され、該プラズマを使用してシリコン層内に特徴がエッチングされる。エッチングガスは、次いで、停止される。プラズマは、ＯＨラジカルを含んでよい。 （もっと読む）

【解決手段】シリコン層は、その上に形成されたパターン化マスクを通してエッチングチャンバを使用してエッチングされる。フッ素（Ｆ）含有エッチングガス及びシリコン（Ｓｉ）含有化学気相蒸着ガスが、エッチングチャンバ内へ提供される。フッ素（Ｆ）含有エッチングガスは、シリコン層内に特徴をエッチングするために使用され、シリコン（Ｓｉ）含有化学気相蒸着ガスは、特徴の側壁上にシリコン含有蒸着層を形成するために使用される。エッチングガス及び化学気相蒸着ガスからプラズマが生成され、バイアス電圧が印加される。プラズマを使用してシリコン層内に特徴がエッチングされ、エッチングされている特徴の側壁上にシリコン含有パッシベーション層が蒸着される。パッシベーション層中のシリコンは、主として化学気相蒸着ガスに由来する。エッチングガス及び化学気相蒸着ガスは、次いで、停止される。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面上に形成された金属ゲート構造の周囲からポストエッチング洗浄工程中にポリマ残渣を除去するためのシステム及び方法は、金属ゲート構造に及び除去されるべきポリマ残渣に関連する複数のプロセスパラメータを決定することを含む。１又は複数の製造層が、金属ゲート構造を画定し、プロセスパラメータは、これらの製造層の及びポリマ残渣の特性を定める。第１及び第２の洗浄化学剤が特定され、プロセスパラメータに基づいて、第１及び第２の洗浄化学剤に関連する複数の適用パラメータが定められる。ゲート構造の構造的完全性を維持しつつポリマ残渣を実質的に除去するために、第１及び第２の適用化学剤は、適用パラメータを使用して制御方式で順次適用される。 （もっと読む）

【課題】真空プラズマ・プロセッサ中で、工作物を静電的にチャッキングおよびデチャッキングするための確実な方法、および装置を提供する。
【解決手段】真空プラズマ加工チャンバ１０中で加工されるガラス工作物３２が、工作物を締め付けるために十分に高い電圧を維持しながら加工中にチャッキング電圧を徐々に下げることによってモノポーラ静電チャック３０からデチャッキングされる。加工中のチャッキング電圧は、チャッキング力および流量をほぼ一定に維持するために、チャックに流れる伝熱流体の流量に応答して制御される。又加工の終了時にチャックに印加される逆極性電圧が、デチャッキングを援助する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】めっき工程後における基板の上への金属微粒子欠陥物質の形成を阻止するための方法および溶液が提供される。具体的には、酸化剤を含まず、且つ溶液がおよそ７．５〜１２．０のｐＨを有するように十分な濃度で非金属ｐＨ調整剤を含む溶液が提供される。場合によっては、溶液は、キレート剤を含んでよい。加えてまたは代わりに、溶液は、金属イオンに結合するための単一結合点をそれぞれ異なる官能基を介して各自が提供する少なくとも２つの異なるタイプの錯化剤を含んでよい。いずれの場合も、錯化剤の少なくとも一方またはキレート剤は、非アミン官能基または非イミン官能基を含む。基板を処理するための方法の一実施形態は、基板の上に金属層をめっきすること、およびその後、前述の構成を含む溶液に基板を暴露することを含む。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の一実施形態によると、腐食防止剤と、可溶化剤と、脱酸素剤と、ｐＨ調整剤としても機能する錯化剤とを含む洗浄溶液が提供されている。本発明の別の実施形態では、ｐＨ調整剤と、随意的な錯化剤と、腐食防止剤とを含む洗浄溶液が提供されている。洗浄溶液は、可溶化剤を随意的に有してもよく、界面活性剤を随意的に有してもよく、誘電体エッチャントを随意的に有してもよい。 （もっと読む）

【課題】静電チャックした工作物を破断や割れを防止しデチャッキングする方法を提供する。
【解決手段】プラズマ加工チャンバ中でガラス工作物３２を締め付けるために十分に高い電圧を維持しながら加工中にチャッキング電圧を徐々に下げることによってモノポーラ静電チャックからデチャッキングされる。加工中のチャッキング電圧は、チャッキング力および流量をほぼ一定に維持するためにチャックに流れる伝熱流体の流量に応答して制御される。加工の終了時にチャックに印加される逆極性電圧がデチャッキングを援助する。工作物温度は、デチャッキングを援助するために加工の終了時に高い値に維持される。チャックからの工作物持ち上げの間にチャック中を流れるピーク電流は、次のデチャッキング操作中の逆極性電圧の振幅および／または持続時間を制御する。チャンバ中の不活性プラズマが、チャックからの工作物持ち上げの間に工作物から残留電荷を除去する。 （もっと読む）