【課題】シリコン内で高い移動度を有する低レベルの金属不純物を含む半導体処理装置のシリコン部品を提供する。
【解決手段】半導体処理装置のシリコン部品を形成する際の切断中に付着した金属不純物を除去するため、溶液で前記シリコン板の少なくとも前記切断面を処理と熱処理を行い、シリコン部品がプラズマ雰囲気中で処理された際ウェハの金属汚染を減少させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマに露出した半導体処理装置の構成部品の耐用年数を延ばすためのセラミック材料を提供する。
【解決手段】半導体処理装置の構成部品は、侵食、腐食及び／又は腐食−侵食に耐性のあるセラミック材料で少なくとも部分的に形成される。例示的なセラミック材料は、ハフニウム、ストロンチウム、ランタン酸化物及び／又はジスプロシウムの酸化物、窒化物、ホウ化物、カーバイド及び／又はフッ化物の少なくとも１つを含みうる。セラミック材料は、基板を覆う被膜として塗布されて複合構成部品を形成するか又はモノリシック本体として形成されうる。被膜は、物理的及び／又は化学的攻撃から基板を保護することができる。 （もっと読む）

半導体基板が半導体基板支持部上に支持されたベベルエッチング装置内において、プラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行う際にアーク放電を防止する方法は、３〜１００Ｔｏｒｒの圧力までベベルエッチング装置を排気した状態で、ウェーハにおいて見られるＲＦ電圧を、アーク放電が回避される十分に低い値に維持しつつ、ベベルエッチング装置においてプラズマによる半導体基板のベベルエッジエッチングを行うステップを備える。 （もっと読む）

【解決手段】基板のプラズマ処理中にプラズマ処理チャンバ内でプラズマを閉じ込めるよう構成された可動プラズマ閉じ込め構造が提供される。可動プラズマ閉じ込め構造は、プラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ対向構造を備える。可動プラズマ閉じ込め構造は、さらに、可動プラズマ対向構造の外側に配置され、基板の取り扱いを容易にするために可動プラズマ対向構造と共に単一のユニットとして配置および格納されるよう構成された可動導電構造を備える。可動導電構造は、プラズマ処理中に高周波（ＲＦ）接地される。可動プラズマ対向構造は、プラズマからのＲＦ電流がプラズマ処理中に可動プラズマ対向構造を通して可動導電構造に流れるように、プラズマ処理中にプラズマと可動導電構造との間に配置される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ウエハ取扱機構を操作して、チャック上にウエハを載置する。ウエハにチャック把持力を印加することによって、チャックのウエハ支持フィーチャがウエハ表面に欠陥パターンを転写する。欠陥計測ツールを用いてウエハ表面を解析して、ウエハ表面に転写された欠陥パターンのマッピングを取得する。ウエハ表面に転写された欠陥パターンを解析することにより、ウエハ座標系におけるチャックの中心座標を求める。チャックの中心座標とウエハ中心との間の空間オフセットを求める。空間オフセットを用いてウエハ取扱機構を調整して、チャックの中心座標に対してウエハ中心が一直線上にくるように位置合わせを行なう。 （もっと読む）

【解決手段】一実施形態において、リニア・ウエットシステムは、チャンバ内に、キャリアと近接ヘッドとを備える。近接ヘッドは、直線的に配置される３つの部分を含む。第１の部分は、キャリアによって近接ヘッドの下を半導体ウエハが移送される際に、ウエハの上部表面から液体を吸引する。第２の部分は、非ニュートン流体である洗浄泡の膜（すなわち、メニスカス）をウエハの上部表面上に形成する。第３の部分は、近接ヘッドの下をさらにウエハが移動する際に、すすぎ流体の膜をウエハの上部表面上に形成する。第３の部分は、第１の部分に至るまで、部分的に、第２の部分の周囲に伸長するように規定され、第３の部分と第１の部分とで、チャンバに対して洗浄泡の閉じ込め部を形成する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】プラズマ処理チャンバで利用される下側電極アセンブリが、金属ベースと、上側および下側エッジリングとを備える。金属ベースは、互いにろう付けされて、ベースの下方側面上にろう付け線を形成する複数の金属プレートと、下方側面から水平内向きに広がるエッジリング支持面と、エッジリング支持面の上方の上方側面と、を備える。上側エッジリングは、エッジリング支持面上に取り付けられた下面を備えており、下側エッジリングはベースの下方側面を囲んでおり、上側および下側エッジリングの対向面の間、ならびに、下側エッジリングとベースの外周との間には、ギャップが存在する。ギャップの平均ギャップ幅に対する総ギャップ長のアスペクト比は、ろう付け線の位置におけるアーク放電を妨げるのに十分である。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】無電解ルテニウムメッキ溶液が開示されている。その溶液は、ルテニウム源と、錯化剤としてのポリアミノポリカルボン酸と、還元剤と、安定化剤と、ｐＨ調整物質と、を含む。無電解ルテニウムメッキ溶液を準備する方法も提供されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】プラズマ処理装置の反応チャンバ内で用いる基板支持体が開示されている。基板支持体は、ベース部材と、ベース部材の上に位置する熱伝導部材とを備える。熱伝導部材は、複数の領域を有しており、熱伝導部材の各領域は、個別に加熱および冷却される。熱伝導部材の上には、静電チャックが配置される。静電チャックは、プラズマ処理装置の反応チャンバ内で基板を支持するための支持面を有する。冷液源および温液源が、各領域の流路と流体連通している。バルブ構成は、流路内を循環する温液および冷液の混合比を調節することにより、液体の温度を独立的に制御するよう動作可能である。別の実施形態では、供給ラインおよび移送ラインに沿って配置された加熱素子が、液体源からの液体を、流路に循環する前に加熱する。 （もっと読む）

【解決手段】実施形態は、基板表面から汚染物質を除去してデバイス歩留まりを向上させるための基板洗浄技術を提供する。基板洗浄技術は、固体成分と高分子量のポリマとを洗浄液中に分散させることによって形成された流体である洗浄材料を用いる。固体成分は、基板表面上の汚染物質に接触することによって、それらの汚染物質を除去する。高分子量のポリマは、洗浄材料中の固体を捕えて閉じ込めるポリマ鎖及びポリマ網目を形成し、これは、微粒子汚染物質、不純物、及び洗浄材料中の固体成分などの固体が基板表面上に沈下することを阻止する。また、ポリマは、基板表面上の汚染物質に接触することによって、それらの汚染物質を基板表面から除去することを助けることもできる。一実施形態では、洗浄材料は、基板表面上の突出特徴に強い衝撃を与えてそれらを損傷させることなくそれらの突出特徴の周囲を滑走する。 （もっと読む）