【課題】半導体基板上の二酸化シリコン含有材料をエッチング形状（例えば、トレンチ、コンタクト、またはビア等）を形成するための改良された装置および方法を提供する。
【解決手段】半導体の基板２１４を処理するプラズマ処理リアクタ装置２００は、チャンバ、第１のＲＦ周波数を有した第１のＲＦ電源２０６に結合されるように構成されたトップ電極２０４と、第１のＲＦ周波数より低い第２のＲＦ周波数を有した第２のＲＦ電源２１２に結合されるように構成されたボトム電極２１０とを備える。この装置は、また、チャンバの内壁に沿った絶縁シュラウド２２０とボトム電極２１０の外周の外側に配置された穿孔プラズマ閉じ込めリング２２２をさらに備え、この穿孔プラズマ閉じ込めリング２２２の上面は、基板２１４の上面の下方に配置され、処理中には電気的に接地されている。 （もっと読む）

【解決手段】基板間のベベルエッチング再現性を改善するために、基板のベベルエッチングに関連して実行される方法を開示する。方法は、光学装置を提供するステップと、前記基板のベベルエッジの少なくとも１つのベベルエッジ特性を確認するステップと、を含む。方法は、更に、前記少なくとも１つのベベルエッジ特性から、ベベルエッチング処理パラメータの調節に関係する少なくとも１つの補正要素を導出するステップを含む。方法は、更に、前記少なくとも１つの補正要素を利用して、前記ベベルエッチングを実行するステップを含む。 （もっと読む）

【解決手段】基板の表面に対して１回目の洗浄材料の適用がなされる。洗浄材料は、基板の表面上に存在する汚染物質を取り込むための１つ又は２つ以上の粘弾性材料を含む。基板の表面から洗浄材料をすすぐために、基板の表面に対して１回目のすすぎ流体の適用がなされる。すすぎ流体の１回目の適用は、基板の表面上にすすぎ流体の残留薄膜を残らせるようにも実施される。すすぎ流体の残留薄膜を上に有する基板の表面に対して２回目の洗浄材料の適用がなされる。次いで、基板の表面から洗浄材料をすすぐために、基板の表面に対して２回目のすすぎ流体の適用がなされる。 （もっと読む）

【解決手段】上側処理ヘッドは、基板の上面に洗浄材料に施すように及び次いで基板を上側すすぎメニスカスに曝すように構成された上側モジュールを含む。上側モジュールは、上側すすぎメニスカス内を洗浄材料に向かって且つ基板の移動方向に反対に実質的に一方向にすすぎ材料を流れさせるように構成されている。下側処理ヘッドは、上側すすぎメニスカスによって基板に加えられる力と釣り合うように基板に下側すすぎメニスカスを施すように構成されている下側モジュールを含む。下側モジュールは、上側処理ヘッドと下側処理ヘッドとの間に基板キャリアが存在しないときに上側処理ヘッドから吐出される洗浄材料を収集及び排出するための排出溝を提供するように構成されている。上側処理ヘッド及び下側処理ヘッドは、複数の上側モジュール及び下側モジュールをそれぞれ含むことができる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本明細書に記載の様々な例示的実施形態において、システムおよび関連の方法は、基板における１以上の欠陥を検出するための非破壊的信号伝搬に関する。システムは、基板操作機構などの半導体処理ツール内に組み込むことができる。システムは、１以上の周波数を電気信号から少なくとも１つの機械的パルスに変換するよう構成された変換器を備える。機械的パルスは、基板操作機構を通して基板に結合される。複数のセンサが、変換器の遠位に配置されており、音響的または機械的に基板に結合されるよう構成される。複数の遠位センサは、さらに、機械的パルスとパルスの任意の歪みとの両方を検出するよう構成されている。信号解析器が、複数の遠位センサに接続されており、検出されたパルスおよびパルスの任意の歪みをベースライン応答と比較する。 （もっと読む）

【解決手段】可動下側電極を有するプラズマ処理チャンバ内の検出回路装置が提供されている。その装置は、第１の可撓コネクタ端と、第２の可撓コネクタ端と、少なくとも１つのスリットとを有する可撓コネクタを備える。スリットの少なくとも一部は、２つの可撓コネクタ端の間に引かれた線に平行な方向に配置される。一端は、可動下側電極に接続され、他端は、プラズマ処理チャンバの構成要素に接続される。可撓導体は、可動下側電極とプラズマ処理チャンバの構成要素との間に低インピーダンス電極路を提供する。装置は、さらに、スリットの片側に配置されたコネクタ材料を通る電流フローを検出するための手段を備える。検出手段は、導体材料の周りに巻き付けられた少なくとも１つのコイルと、断裂による電流フローの遮断を検出するためにコイルに接続された検出回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板処理に使用されるプラズマ反応チャンバのための電極アセンブリを提供する。
【解決手段】アセンブリは、相隔たれた一連のカムロックによって機械的に受け板に取り付けられた上側シャワーヘッド電極１１０を含む。シャワーヘッド電極１１０の中心から３〜４インチの場所では、突出部を上に備えた熱伝導性で且つ導電性のガスケットがシャワーヘッド電極１１０と受け板１４０との間で圧縮される。受け板は、ガードリング１７０で取り囲まれ、該ガードリング１７０は、ガードリング１７０内の開口が受け板内の開口に合わさる位置まで移動可能であり、その位置では、電極の上面から伸びるロックピンを解除するために、器具によってカムロックを回転させることができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置のプラズマを好適に制御するための方法を提供する。
【解決手段】真空プラズマ処理装置の高周波バイアス電源への反射電力量に不連続が起こる傾向を、高周波バイアス電源の出力電力を制御して、真空処理チャンバ内のプラズマ５０に供給される電力が実質的に一定になるようにして抑える。高周波バイアス電源の出力電力を、高周波バイアス電源とワークピースホルダ処理装置の電極とを接続するマッチングネットワーク１０８の容量変化よりも非常に速く変化させる。プラズマの容量インピーダンス成分を、チャンバ内のプラズマシースの厚みを光学的に測定することによって求める。 （もっと読む）

【解決手段】高アスペクト比特徴をエッチングするための装置が提供される。プラズマ処理チャンバエンクロージャを形成するチャンバ壁と、下部電極と、上部電極と、ガス入口と、ガス出口とを含むプラズマ処理チャンバが提供される。上部電極又は下部電極の少なくとも一方に、高周波数無線周波数（ＲＦ）電源が電気的に接続される。上部電極及び下部電極の両方に、バイアス電力システムが電気的に接続され、該バイアス電力システムは、上部電極及び下部電極に少なくとも５００ボルトの大きさのバイアスを供給することができ、下部電極に対するバイアスは、断続的にパルス化される。ガス源が、ガス入口と流体接続している。ガス源、高周波数ＲＦ電源、及びバイアス電力システムには、コントローラが可制御式に接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの堆積および平坦化に関し、特に、局所堆積を使用して薄膜をより効果的に堆積させると共に、局所平坦化を可能にする装置および手法を提供する。
【解決手段】ウェーハ１０４の表面に金属層１０８を堆積させる電気メッキ装置１００が提供される。一例においては、陽極として帯電可能な近接ヘッド１０２を、ウェーハ１０４の表面に極めて近接して配置する。メッキ流体１１６を、前記ウェーハ１０４と前記近接ヘッド１０２との間に提供し、局所金属メッキ１０８を形成する。 （もっと読む）