【課題】エッチング処理中に、チャンバの構成部品の表面上にもポリマー堆積物が形成され、時間が経つと、剥離、剥がれ落ちて、パーティクル汚染源となる。そのパーティクルを低減できるプラズマ反応室の構成部品を提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバに用いられる構成部品を、洗浄し、ポリマーの付着を促進する表面粗さに粗面化し、セラミック又は高温ポリマー等の被覆材料３２を構成部品の面上にプラズマ溶射する。構成部品としては、チャンバ壁、チャンバライナ３０、バッフルリング、ガス供給板２２、プラズマ閉じ込めリング１４及びライナ支持体が含まれる。ポリマーの付着を向上させることによって、プラズマ溶射構成部品の面は、処理チャンバ内のパーティクル汚染レベルを低下し、それによって歩留まりを改善し、チャンバ構成部品を洗浄及び／又は取り替えるのに必要な停止時間を減らすことができる。 （もっと読む）

【解決手段】触覚ウェハ昇降装置は台部と台部に接続されている垂直方向駆動部とを有している。垂直方向駆動部は台部の上向きと下向きの制御された移動を実現するように定められている。触覚ウェハ昇降装置は台部上に配置されているウェハ支持部も有している。触覚スイッチはウェハ支持部への十分な下向きの力によって作動するようにウェハ支持部と台部との間に配置されている。触覚スイッチは、触覚スイッチの作動時に台部とその上に配置されているウェハ支持部との上向きの移動を中断するように垂直方向駆動部に接続されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板を洗浄するための方法が開示されており、その方法は、液体媒質が、洗浄される基板の一部を実質的に覆うように、基板の表面に液体媒質を供給する工程を備える。音響エネルギを生成するために、１または複数の変換器が用いられる。生成された音響エネルギは、液体媒質に印加された音響エネルギが液体媒質内でのキャビテーションを防止するように、基板および液体媒質メニスカスに印加される。基板に印加された音響エネルギは、液体媒質内に導入される音波に最大の音波変位を提供する。基板および液体媒質に導入された音響エネルギは、基板表面からの粒子汚染物質の除去を可能にする。除去された粒子汚染物質は、液体媒質内に取り込まれ、液体媒質によって基板表面から運び去られる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 マイクロエレクトロニクス・トポグラフィを処理するための方法は、超臨界状態または液体状態の流体を含むエッチング溶液を使用してトポグラフィの層を選択的にエッチングすることを含む。一部の実施形態では、エッチングプロセスは、エッチング副生成物の沈殿を抑制するために、プロセスチャンバをベントするのと同時にエッチング溶液の新鮮な組成をプロセスチャンバに導入することを含んでよい。エッチングプロセスに続いて、超臨界状態または液体状態の流体を含むすすぎ溶液がプロセスチャンバに導入されてよい。場合によっては、すすぎ溶液は、エッチング副生成物の沈殿の抑制を助けるために、酸、極性アルコール、および／または水などの、流体と混合される１つまたは複数の極性共溶媒を含んでよい。追加または代わりとして、エッチング溶液およびすすぎ溶液の少なくとも一方は、トポグラフィの周囲の溶解エッチング副生成物の沈殿を抑制するためにそれらのエッチング副生成物を変性させるように構成された化学物質を含んでよい。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 マイクロエレクトロニクス・トポグラフィを処理するための方法は、超臨界状態または液体状態の流体を含むエッチング溶液を使用してトポグラフィの層を選択的にエッチングすることを含む。一部の実施形態では、エッチングプロセスは、エッチング副生成物の沈殿を抑制するために、プロセスチャンバをベントするのと同時にエッチング溶液の新鮮な組成をプロセスチャンバに導入することを含んでよい。エッチングプロセスに続いて、超臨界状態または液体状態の流体を含むすすぎ溶液がプロセスチャンバに導入されてよい。場合によっては、すすぎ溶液は、エッチング副生成物の沈殿の抑制を助けるために、酸、極性アルコール、および／または水などの、流体と混合される１つまたは複数の極性共溶媒を含んでよい。追加または代わりとして、エッチング溶液およびすすぎ溶液の少なくとも一方は、トポグラフィの周囲の溶解エッチング副生成物の沈殿を抑制するためにそれらのエッチング副生成物を変性させるように構成された化学物質を含んでよい。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の一態様は、上面および下面を有する静電チャックと共に用いる装置であって、前記上面は幅の分だけ前記下面から離れており、前記静電チャックは、さらに、前記上面に第１の幅を有すると共に前記下面に第２の幅を有する穴を備え、前記第１の幅は前記第２の幅よりも小さく、前記上面はその上にウエハを配置することが可能である、装置に関する。その装置は、ピンと、シャフトと、ネック部と、外側ハウジング部と、を備える。ピンは、第１の幅よりも小さいピン幅を有する。シャフトは、ピン保持部と、端部と、ピン保持部および端部の間に位置する中央部と、を有する。中央部は、第１のベアリング部を有する。外側ハウジング部は、第１の端部および第２の端部を有し、第２のベアリング部を備える。シャフトは、外側ハウジング部の中に配置され、外側ハウジング部に対して移動可能である。ネック部は、第１の端部に配置される。第２のベアリング部は、ネック部に対して移動しない。第１のベアリング部は、第２のベアリング部に対して移動可能である。 （もっと読む）

【解決手段】基板のプラズマ処理中にプラズマ処理チャンバ内でプラズマを閉じ込めつつ圧力を少なくとも部分的に調整するよう構成された複合型圧力制御／プラズマ閉じ込めアセンブリが提供されている。アセンブリは、複数の孔を有し、配備された時にプラズマを取り囲むよう構成された可動プラズマ閉じ込め構造を備える。アセンブリは、さらに、可動プラズマ閉じ込め構造の外側に配置された可動圧力制御構造を備えており、可動プラズマ閉じ込め構造は、プラズマ処理中にプラズマと可動圧力制御構造との間に配置され、可動圧力制御構造は、基板の取り扱いを容易にするために、可動プラズマ閉じ込め構造と共に配置および待避可能であり、可動圧力制御構造は、複数の孔の少なくとも一部を遮ることによって圧力を調整するために、可動プラズマ閉じ込め構造に対して独立的に移動可能である。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】無水銅塩成分と、無水コバルト塩成分と、非水錯化剤と、非水溶媒とを含有する非水無電解銅めっき溶液を提供する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板を処理するように構成されるプラズマ処理チャンバを備えるプラズマ処理システムを提供する。プラズマ処理システムは、基板を処理するための上部電極と下部電極とを少なくとも備える。プラズマ処理の際に基板は下部電極上に載置され、上部電極と基板とにより第１のギャップが形成される。プラズマ処理システムは、また、上部電極周縁外延部(upper electrode peripheral extension:UE-PE)を備える。UE-PEは、上部電極の周囲に機械的に連結され、かつ、上部電極と同一平面上にならないように構成される。プラズマ処理システムは、さらに、カバーリングを備える。カバーリングは、下部電極を同心円状に囲むように構成され、UE-PEとカバーリングとにより第２のギャップが形成される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】プラズマによって少なくとも一つの基板を処理するためのプラズマ処理システム。プラズマ処理チャンバは、イオンエネルギ分布を制御することができる。プラズマ処理システムは、第１の電極を含んでよい。プラズマ処理システムは、また、基板を受けるように構成された、第１の電極と異なる第２の電極も含む。プラズマ処理システムは、また、第１の電極に結合された信号源も含んでよい。信号源は、プラズマ処理システムにおいて基板が処理されるときに基板におけるイオンエネルギ分布を制御するために、第１の電極を通して周期的な非正弦波信号を提供してよい。 （もっと読む）