【課題】半導体製造プロセスの正確な温度測定技術を提供する。
【解決手段】温度検知要素により、正確なその場温度測定を可能にする。温度検知要素は、プロセスチャンバ３０２内に配置される。温度検知要素は、空洞３０６を有しており、空洞の開口部を覆うように透明カバー３１０が配置されている。材料３０８が、温度検知要素の空洞内に配置され、センサ３１２が、透明カバーを通して材料の相変化を検知するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの堆積及び平坦化に関し、特に、局所堆積を利用して薄膜をより効果的に堆積させ、更に局所平坦化を可能にする装置及び方法を提供する。
【解決手段】メッキヘッド１１０は、陽極として正に荷電され、メッキメニスカス１１１を介してウェーハＷに電気的に接続される。メッキヘッド１１０は、メッキ化学物質１１８を収容するリザーバの両側に陽極１１２を有する。多孔性アプリケータ１１４は、実質的に垂直な入射角度で、陽極１１２からウェーハＷ表面への電流Ｉの流れを提供する。局所金属メッキは、一定の時点でメッキヘッド１１０の下でのみ発生する。ウェーハＷの表面上での更なる金属メッキを達成するために、メッキヘッド１１０は、ウェーハＷの別の表面領域を移動する。 （もっと読む）

【課題】基板を処理するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ壁を持つプラズマ処理チャンバが提供される。基板支持部が前記チャンバ壁内に提供される。少なくとも１つの閉じ込めリングが提供され、前記閉じ込めリングおよび前記基板支持部はプラズマ空間を定義する。前記少なくとも１つの閉じ込めリングによって提供される物理的閉じ込めを磁気的に向上させる磁界を発生する磁界源が提供される。 （もっと読む）

【課題】流体メニスカス内の活性空洞によってウェハ表面を処理可能である基板処理装置を提供する。
【解決手段】該装置は、作動時に基板１０８の表面に近接するプロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂを有する。装置は、また、プロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂの表面に、プロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂ内に形成された空洞に通じる開口を有し、空洞は、開口を通じて基板１０８の表面に活性剤を送る。装置は、更に、プロキシミティヘッド１０６ａ,１０６ｂの表面に、開口を取り囲む流体メニスカスを基板１０８の表面上に生成するように構成された複数の導管を有する。 （もっと読む）

【課題】レーザ光を利用して簡便に連結対象ユニットの位置合わせを行う。
【解決手段】横に並んで連結される第１真空チャンバユニット１０と第２真空チャンバユニット２０とを備えた真空装置において、両ユニット１０，２０に及ぶ光路の両端にレーザ送光装置３０と受光部材４０とを配置し、両ユニットのうち何れか一方または双方に位置調整手段２３を付加して、レーザ光の受光状態に基づき位置調整手段２３にてユニット位置を調整する。 （もっと読む）

【課題】熱伝達システムを使用して基板を処理するプラズマ処理システムおよび方法を提供する。
【解決手段】熱伝達システム１１８は、基板１１０の表面にわたる高度な処理の均一性を生成することができ、熱伝達部材１１４の上に支持され、熱伝達部材１１４と良好に熱接触する均一性ペデスタル１１２を備える。均一性ペデスタル１１２は、処理中に基板１１０の裏面の輪郭と合致することのできる適合基板支持面（すなわち接触面）を与えるピン配列を含む。基板１１０を均一に冷却するために、基板１１０の処理中に、均一性ペデスタル１１２と熱伝達部材１１４との間で大きな温度勾配を確立することができる。 （もっと読む）

【課題】パーティクル汚染の低減したプラズマエッチングチャンバを提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバ１０を構成する、ガス供給板２２、チャンバライナ３０、フォーカスリング１４などの部品の表面を、ポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つ、セラミック又は高温ポリマー等の材料をプラズマ溶射し、被覆３２する。ポリマーの付着を向上させることによって、プラズマ溶射構成部品の面は、処理チャンバ内のパーティクル汚染レベルが低下し、それによって歩留まりを改善し、チャンバ構成部品を洗浄及び／又は取り替えるのに必要な停止時間を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】取換え可能な部分を有する半導体処理反応器用の多部品上部電極、およびこの電極の一部を取り換える方法の提供。
【解決手段】リング状のバッキングプレート１１６と、リング状の電極を形成する複数の電極セグメント１１４と、複数の電極セグメント１１４をリング状のバッキングプレート１１６に固定する導電性のエラストマと、を備え、複数の電極セグメント１１４は、内径が約１２インチ（３０．４８センチメートル）のリングと、傾斜した面を有する内側エッジ１４０とを形成し、リング状のバッキングプレート１１６は、ねじ込みねじ１３４，１３６でプラズマ反応チャンバの上板１１８に取り付け可能であり、ねじ込みねじ１３４，１３６は、上板１１８の裏面からリング状のバッキングプレート１１６の中に延びる。 （もっと読む）

【課題】ワークピースへの高度に均一なプラズマ束（すなわちプラズマ密度）を達成するために改善されたワークピース処理方法を提供する。
【解決手段】異なる第１と第２の周縁長および幾何学的に類似した形状を有するワークピースを同じ真空プラズマ処理チェンバもしくは同じ幾何学形状を有する複数の真空プラズマ処理チェンバ内で処理するワークピース処理方法であって、第１と第２の異なる周縁寸法を有する高周波プラズマ励起コイルを前記チェンバもしくは複数のチェンバ内のイオン化可能なガスに結合させ、その間で前記ワークピースが前記チェンバもしくは複数のチェンバ内で処理され、その間では前記チェンバもしくは複数のチェンバが真空下におかれ、かつ前記ガスを処理プラズマへと励起するために前記コイルに高周波エネルギーが供給されるステップを含み、前記第１の周縁長が第２の周縁長を超え、前記第１の周縁寸法が第２の周縁寸法よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】金属エッチングと、残存フォトレジスト及び残留側壁パッシベーションの剥離のための改良された技術を提供する。
【解決手段】単一のエッチングチャンバ内で、金属エッチングと、エッチングマスク剥離と、残留側壁パッシベーションの除去とを実行する方法。ウエハは、エッチングチャンバ内に配置される。ウエハ上で、金属エッチングが実行される。酸素とアルゴンとの混合物等の剥離ガスが、エッチングチャンバに提供され、酸素プラズマを形成するために励起される。酸素プラズマは、エッチングマスクをウエハから剥離させ、残留側壁パッシベーションを除去する。酸素プラズマは、更に、エッチングチャンバをクリーニングする。 （もっと読む）