【解決手段】プラズマ処理システムにおける基板処理時の処理エンドポイントを検証するための最適なエンドポイント・アルゴリズムを自動的に特定する方法を提供する。方法は、プラズマ処理システムにおいて少なくとも１枚の基板の基板処理の間に複数のセンサーからセンサーデータを受信する工程を備える。ここで、センサーデータは、複数のセンサーチャンネルからの複数の信号ストリームを含む。方法は、また、エンドポイント・ドメインを特定する工程を備える。ここで、エンドポイント・ドメインは、処理エンドポイントが生じると予想される概算期間である。方法は、さらに、センサーデータを解析して、エンドポイント・サイン候補群を生成する。方法は、またさらに、エンドポイント・サイン候補群を最適なエンドポイント・アルゴリズム群に変換する工程を備える。方法は、さらに、最適なエンドポイント・アルゴリズム群のうちの１つの最適なエンドポイント・アルゴリズムを生産環境に取り入れる工程を備える。 （もっと読む）

【解決手段】処理チャンバの健全状態を査定するための方法が提供される。方法は、レシピを実行することを含む。方法は、また、レシピの実行中にセンサのセットから処理データを受信することを含む。方法は、さらに、多変量予測モデルのセットを用いて処理データを解析することを含む。方法は、尚もさらに、コンポーネント摩耗データ値のセットを生成することを含む。方法は、尚もさらに、コンポーネント摩耗データ値のセットを有用寿命閾値範囲のセットと比較することを含む。方法は、さらに、コンポーネント摩耗データ値のセットが有用寿命閾値範囲のセット外である場合に警告を生成することを含む。 （もっと読む）

【解決手段】基板処理中に自動的に障害状態を検出及び分類するための方法が提供される。方法は、基板処理中にセンサのセットによって処理データを収集することを含む。方法は、また、処理データを障害検出／分類コンポーネントに送信することを含む。方法は、更に、障害検出／分類コンポーネントによって処理データのデータ操作を実施することを含む。方法は、尚もまた、処理データと、障害ライブラリに保存されている複数の障害モデルとの間で比較を実施することを含む。複数の障害モデルの各障害モデルは、特定の障害状態を特徴付けるデータのセットを表している。各障害モデルは、少なくとも、障害徴候と、障害境界と、主成分解析（ＰＣＡ）パラメータのセットとを含む。 （もっと読む）

半導体基板表面から汚染物質を除去するシステム、方法および装置は、洗浄剤の適用を含む。洗浄剤は、洗浄液と、洗浄液に分散したマイクロメートル単位の大きさの複数の乾燥ポリビニル粒子を含む。洗浄液は、長いポリマー鎖から生成される単相ポリマー化合物であり、独特な粘弾性を示す。マイクロメートル単位の大きさの複数の乾燥ポリビニルアルコール粒子は、洗浄液の液体を吸収し、洗浄剤中に均一に懸濁されるようになる。懸濁されたポリビニルアルコール粒子は、半導体基板表面の少なくとも一部の汚染物質と相互作用し、基板表面から汚染物質を遊離させて除去する。遊離した汚染物質は、洗浄剤中に取り込まれ、洗浄剤と共に除去され、基板表面を実質的に洗浄された状態にする。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】
固体表面から粒子汚染物を除去する装置及び方法は、固体表面上に粘弾性材料の層を提供することを含む。粘弾性材料は、薄膜として塗布され、実質的に液体状の特性を示す。粘弾性材料は、粒子汚染物と少なくとも部分的に結合する。高速の液体を、粘弾性材料が固体状の挙動を示すように粘弾性材料に付与する。したがって、粘弾性材料は、粒子汚染物と共に固体表面から取り除かれ、これにより固体表面に粒子汚染物が無い状態となる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ・イオン・エネルギーおよびプラズマ密度に対する所望の独立した制御ができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ１０にガスを結合するためのポート、真空チャンバ１０内のガスに電界を印加するための第１の電極１８、第１の電極１８から間隔を隔てたＤＣ基準電位にある第２の電極２６を有し、電極１８，２６間の体積を含む領域でガスをプラズマに励起させるようになされた真空チャンバ１０と、第１の電極１８に異なる周波数を有する電界を同時に前記プラズマに供給させるための回路７０とを備えたプラズマ処理装置であって、真空チャンバ１０が、前記異なる周波数の電力に前記領域を通る実質的に異なる経路を取らせるようになされた構造を備える。 （もっと読む）

【課題】反応器内におけるプラズマ環境の浸食的および腐食的性質ならびにパーティクルおよび／または金属による汚染を最小限し、消耗品やその他部品を含めて、十分に高い耐浸食性および耐腐食性を有する装置部品を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気における耐浸食、耐腐食および／または耐腐食−浸食を与える溶射イットリア含有被膜を備える半導体処理装置の構成要素。この被膜は下地を物理的および／または化学的攻撃から保護することができる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】少なくともウエハを処理するためにプラズマを生成するプラズマ処理システムが開示されている。プラズマ処理システムは、プラズマの少なくとも第１の部分を維持するための第１の電流を伝導するための第１のコイルを備えてよい。プラズマ処理システムは、さらに、プラズマの少なくとも第２の部分を維持するための第２の電流を伝導するための第２のコイルを備えてよい。プラズマ処理システムは、さらに、第１の電流および第２の電流を供給するための電源を備えてよい。プラズマ処理システムは、さらに、第１の電流のアンペア数および第２の電流のアンペア数の一方を調節するための並列回路を備えてよい。並列回路は、電源と第１のコイルおよび第２のコイルの少なくとも一方との間に電気接続されてよい。並列回路は、互いに並列に電気接続されたインダクタおよび可変コンデンサを備えてよい。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】半導体ウエハ上に供給された液体媒質を物理的に閉じ込めるための装置、方法、および、システムは、半導体ウエハの上側表面および下側表面の少なくとも一部を覆うように配置された第１および第２の化学剤ヘッドを備える。第１および第２の化学剤ヘッドの各々は、液体化学剤をメニスカスポケット内に単相で供給するために、それぞれの化学剤ヘッドの前縁部に傾斜流入導管を備える。メニスカスポケットは、化学剤ヘッドによって覆われた半導体ウエハの上側表面および下側表面の部分の上に規定され、半導体ウエハの表面に供給された液体化学剤を受け入れてメニスカスとして閉じ込めるよう構成される。段構造が、メニスカスポケットの外周に沿って第１および第２の化学剤ヘッドの前縁部に形成されており、液体化学剤のメニスカスをメニスカスポケット内に実質的に閉じ込める。段構造は、メニスカスポケットの少なくとも一部を覆い、段構造の高さは、メニスカスの閉じ込め特性を維持するのに十分な高さである。内側回収導管が、メニスカスポケットの内側で、それぞれの化学剤ヘッドの後縁部に規定されており、洗浄処理後に液体化学剤を半導体ウエハの表面から単相で除去するために用いられる。 （もっと読む）

【解決手段】一実施形態例では、ウェットシステムは、プロキシミティヘッドと、基板（例えば半導体ウエハ）のためのホルダとを含む。プロキシミティヘッドは、メニスカスとしての水性流体の流れをプロキシミティヘッドの表面にわたって生じさせるように構成される。プロキシミティヘッドの表面は、流れを通じて基板の表面に作用する。ヘッドの表面は、流れを閉じ込める、維持する、及び／又は促進する表面形状変更を伴った非反応性材料（例えば熱可塑性プラスチック）で構成される。表面形状変更は、（例えばダイヤモンド又はＳｉＣの先端を伴った）円錐状のスクライブによって表面に彫り込まれてよい、又はテンプレートを使用して表面上にメルトプリントされてよい。これらの変更は、準ウィッキング又は超疎水性を生じさせえる。ホルダは、基板の表面を流れに曝す。 （もっと読む）