【課題】半導体ウェーハの堆積および平坦化に関し、特に、局所堆積を使用して薄膜をより効果的に堆積させると共に、局所平坦化を可能にする装置および手法を提供する。
【解決手段】ウェーハ１０４の表面に金属層１０８を堆積させる電気メッキ装置１００が提供される。一例においては、陽極として帯電可能な近接ヘッド１０２を、ウェーハ１０４の表面に極めて近接して配置する。メッキ流体１１６を、前記ウェーハ１０４と前記近接ヘッド１０２との間に提供し、局所金属メッキ１０８を形成する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ガスを受け入れるよう構成された内部の空間と、空間内で電磁場を生成するよう動作可能な電磁場生成部とを有する処理システムを動作させる方法が提供されている。その方法は、空間内にガスを供給する工程と、空間内で電磁場を生成してガスの少なくとも一部をプラズマに変換するように、駆動電位で電磁場生成部を動作させる工程とを備える。時間の関数としての駆動電位は、第１の電位関数部分および第２の電位関数部分に基づく。第１の電位関数部分は、第１の振幅と第１の周波数とを有する第１の連続周期的部分を含む。第２の電位関数部分は、最大振幅部分と最小振幅部分とデューティサイクルとを有する第２の周期的部分を含む。最大振幅部分は、最小振幅部分よりも高い振幅を有する。デューティサイクルは、最大振幅部分の持続時間および最小振幅部分の持続時間の合計に対する最大振幅部分の持続時間の比である。第２の周期的部分は、さらに、最大振幅部分の間に第２の周波数を有する。第２の周期的部分の振幅変調は、第１の連続周期的部分に位相固定される。 （もっと読む）

【課題】真空プラズマ・チャンバ内の加工物上で均一なプラズマ密度を達成することができるプラズマ処理装置用のコイルを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置用のコイル１７０であって、ＲＦ励振回路の両側の第１および第２の端子に接続するための第１励振端子１８８および第２励振端子１９０を備え、巻線１７２が第１励振端子１８８に、巻線１７４が第２励振端子１９０に接続され、短絡巻回１８６が巻線１７２および巻線１７４に結合されている。 （もっと読む）

【解決手段】ドライバ及び材料供給源とともに使用するためのウエハ処理システムが提供される。ドライバは、駆動信号を生成するように動作可能である。材料供給源は、材料を提供するように動作可能である。ウエハ処理システムは、上側閉じ込めチャンバ部分と、下側閉じ込めチャンバ部分と、閉じ込めリングと、静電チャックとを含む。上側閉じ込めチャンバ部分は、上側閉じ込めチャンバ部分内表面を有する。下側閉じ込めチャンバ部分は、上側閉じ込めチャンバ部分に接触するように分離可能に配される。下側閉じ込めチャンバ部分は、下側閉じ込めチャンバ部分内表面を有する。閉じ込めリングは、上側閉じ込めチャンバ部分内表面及び下側閉じ込めチャンバ部分内表面に接触するように着脱可能に配される。閉じ込めリングは、閉じ込めリング内表面を有する。静電チャックは、静電チャック上表面を有し、駆動信号を受信するように構成される。上側閉じ込めチャンバ部分、下側閉じ込めチャンバ部分、閉じ込めリング、及び静電チャックは、上側閉じ込めチャンバ部分内表面と、下側閉じ込めチャンバ部分内表面と、閉じ込めリング内表面と、静電チャック上表面とが材料を受け取り可能なプラズマ形成空間を取り巻くように配置される。上側閉じ込めチャンバ部分、下側閉じ込めチャンバ部分、閉じ込めリング、及び静電チャックは、静電チャックが駆動信号を受信するときに材料をプラズマに変換するように動作可能である。閉じ込めリングは、非矩形の断面を有する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】ガスとともに使用するためのプラズマ処理システム。該プラズマ処理システムは、第１の電極と、第２の電極と、ガス注入口と、電源と、受動回路とを含む。ガス注入口は、第１の電極と第２の電極との間にガスを提供するように動作可能である。電源は、第１の電極と第２の電極との間のガスからプラズマを点火するように動作可能である。受動回路は、第２の電極に結合され、第２の電極のインピーダンス、電圧電位、およびＤＣバイアス電位のうちの１以上を調整するように構成される。受動高周波回路は、インダクタに並列に配置されたコンデンサを含む。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマ処理チャンバーの基板デチャックシステムは、基板のデチャック時に、電位スパイクを減少させて、基板をＥＳＣ（静電チャック）から取り外せるように構成される。 （もっと読む）

【課題】有機反射防止膜のドライエッチングに、Ｏ２を含むガスを用いて、上層のフォトレジストが横方向にエッチングされ、クリティカルディメンジョンの変化を対策する方法を提供する。
【解決手段】半導体製造プロセスであって、このプロセスは、有機反射防止膜が、下層に対して選択性を与え、及び／又は、フォトレジストによって定められるクリティカルディメンジョンを維持する上層のフォトレジストの横方向のエッチング速度を最小化する。その為に、有機反射防止膜のドライエッチングに、エッチャントガスとしてＳＯ２、キャリアガスとしてＨｅ又はＡｒ等を用いる。このガスには、随意的に、ＨＢｒ等の他のガスを付加してもよい。このプロセスは、ダマシン構造等の構造を形成するときに０．２５μｍかそれ以下のコンタクト開口部又はビア開口部をエッチングするのに役立つ。 （もっと読む）

【解決手段】電極裏面に沿って形成された裏面凹部に裏面インサートを配置させた、シリコンベース・シャワーヘッド電極を提供する。裏面インサートは、ネジ付き外径部と、ネジ付き内径部と、ネジ付き内径部内に形成されたツール係合部と、を備える。裏面インサートが、さらに、裏面インサートのツール係合部に係合されたツールが裏面インサートのネジ付き外径部を越えて伸長することを防止するために、ツール係合部とネジ付き外径部との間に１つ以上の側面保護部を備えるように、ツール係合部が形成される。さらに、裏面インサートのツール係合部は、裏面インサートの回転軸の周りに配置される複数のトルク受容スロットを備える。トルク受容スロットは、対向する対のトルク受容スロットを介した裏面インサートの軸上回転を避けるように、配置される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの堆積および平坦化に関し、特に、局所堆積を使用して薄膜をより効果的に堆積させると共に、局所平坦化を可能にする装置および手法を提供する。
【解決手段】陽極として帯電可能な近接ヘッド１０２を、ウェーハ１０４の表面に極めて近接して配置する。メッキ流体を、前記ウェーハと前記近接ヘッドとの間に提供し、局所金属メッキを形成する。近接ヘッドが方向１２０でウェーハ全体を進む際に、シード層１０６上に堆積層１０８が形成される。堆積層は、近接ヘッドとシード層との間に定められたメニスカス１１６に含有される電解質１１０によって促進される電気化学反応を介して形成される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】基板の表面からパーティクル汚染物質を洗浄するための装置及び方法は、粘弾性材料の層を表面上に塗布することを含む。粘弾性材料は、薄い膜として塗布され、実質的な液体様特性を示す。粘弾性材料を塗布された表面の第１のエリアには、粘弾性材料を塗布された表面の第２のエリアがその加えられる力を実質的に受けないように、外力が加えられる。外力は、粘弾性材料の固体様特性にアクセスするために、粘弾性材料の固有時間よりも短い持続時間にわたって加えられる。固体様特性を示す粘弾性材料は、表面上に存在するパーティクル汚染物質の少なくとも一部と少なくとも部分的に相互作用する。粘弾性材料は、固体様特性を示している間、パーティクル汚染物質の少なくとも一部と併せて表面の第１のエリアの領域から除去される。 （もっと読む）