【課題】高い入力電力耐性と、低い雑音指数の両者を達成する低雑音増幅器を提供すること。
【解決手段】低雑音増幅器は、第一のIII族窒化物系トランジスタと、第一のIII族窒化物系トランジスタに結合された第二のIII族窒化物系トランジスタとを含んでいる。第一のIII族窒化物系トランジスタは、入力信号に対する第一増幅段を提供するように構成され、第二のIII族窒化物系トランジスタは、入力信号に対する第二増幅段を提供するように構成される。 （もっと読む）

【課題】熱放散特性を向上させた発光デバイス用パッケージを提供する。
【解決手段】発光デバイス用のモジュールパッケージは、上面を有し、中心領域を含むリードフレームを含み、中心領域は、下面と、リードフレームの上面と中心領域の下面との間の第１の厚さとを有する。リードフレームはさらに、中心領域から遠ざかるように延びる電気リードを含むことができる。電気リードは、下面と、リードフレームの上面から、電気リードの下面までの第２の厚さとを有する。第２の厚さは第１の厚さよりも薄くすることができる。このパッケージはさらに、中心領域を取り囲み、中心領域の下面を露出させたパッケージ本体をリードフレーム上に含む。パッケージ本体は、少なくとも部分的に、リードの下面の下に、中心領域の下面に隣接して提供することができる。モジュールパッケージおよびリードフレームを形成する方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】導電キャリア上の発光半導体素子を製造する方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオード（ＬＥＤ）を製造する方法は、基板ウェハ上に複数のＬＥＤを設けるステップを含み、各ＬＥＤはＳｉＣ基板上に形成された第ＩＩＩ族窒化物材料のｎ型およびｐ型層を有し、ｎ型層は基板とｐ型層の間に挟まれる。ＬＥＤを保持するための外側面を有する導電性キャリアが用意される。ＬＥＤは、導電性キャリアの外側面上にフリップチップ実装される。ＬＥＤからＳｉＣ基板は取り除かれ、ｎ型層が最上層となる。ＬＥＤのそれぞれのｎ型層上にそれぞれのコンタクトが堆積され、キャリアは各部分に分離され、それによりＬＥＤが他から分離され、ＬＥＤのそれぞれが前記キャリアのそれぞれの部分に取り付けられるようになる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製する工程を含む、半導体発光デバイスをパッケージする方法を提供する。
【解決手段】半導体発光デバイスをパッケージングする方法は、半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板１１０を作製するステップを含む。該基板１１０は中に半導体発光デバイス１１４を搭載するように構成された空洞１１２を含んでもよい。該半導体発光デバイスは該基板１１０上に搭載されて基板の接続部分に電気的に接続される。該基板は該半導体発光デバイス１１４上に、該基板に接着された光素子を形成するために液体注入モールドされる。液体注入モールドのステップに先行して空洞の中の電気的に接続された半導体発光デバイス上に軟樹脂１３１を塗布するステップがある。半導体発光デバイスの基板リボン１００も提供される。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードを改良し、特に、高エネルギー、高周波数、可視スペクトルの短い波長の部分を発し、かつ、蛍光体と共に使用され、白色光を生成する発光ダイオードの改良をすること。
【解決手段】発光ダイオードであって、透明な炭化珪素基板と、該炭化珪素基板上にＩＩＩ族の窒化物材料系から形成される活性構造と、該ダイオードの上側のそれぞれのオーム接触とを備えており、該炭化珪素基板は、該炭化珪素と該ＩＩＩ族の窒化物との間のインタフェースに対して斜角を付けられている、発光ダイオード。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素の潜在的な利点にもかかわらず、パワーＭＯＳＦＥＴを含むパワーデバイスを炭化珪素で製造することが困難であり得る。
【解決手段】炭化珪素半導体デバイスおよび炭化珪素半導体デバイスの製造方法が、第１の伝導型炭化珪素層の中に、第１の伝導型のソース領域、この第１の伝導型と反対の第２の伝導型の埋込み炭化珪素領域、および第２の伝導型のウェル領域を形成するための窓を設けるためにマスク層を引き続いてエッチングすることによって提供される。ソース領域および埋込み炭化珪素領域はマスク層の第１の窓を利用して形成される。次いで、ウェル領域がマスク層の第２の窓を利用して形成され、この第２の窓は第１の窓を有するマスク層を引き続いてエッチングすることによって設けられる。 （もっと読む）

【課題】従来の白色ＬＥＤパッケージで一般に遭遇されるいくつかの問題は、放出の均一性と、パッケージによって生成される視像（ｏｐｔｉｃａｌ ｉｍａｇｅ）のサイズに関するものである。
【解決手段】半導体発光デバイス（１２）用のサブマウントは、発光デバイス（１２）を受け取るように構成されたキャビティ（１６）をその中に有する半導体基板（１４）を含む。第１のボンドパッド（２２Ａ）は、キャビティ内で、キャビティ内で受け取られた発光デバイスの第１のノードに結合するように位置決めされる。第２のボンドパッド（２２Ｂ）は、キャビティ内で、その中で位置決めされた発光デバイスの第２のノードに結合するように位置決めされる。中実波長変換部材（３２）を含む発光デバイスと、それを形成するための方法もまた提供される。 （もっと読む）

【課題】電気的に隔離された発光ダイオードを提供する。
【解決手段】半導体発光ダイオードは、半導体基板５１と、基板上にあるｎ型ＩＩＩ群窒化物のエピタキシャル層５２と、ｎ型エピタキシャル層上にあり当該ｎ型層と共にｐ−ｎ接合部を形成する、ＩＩＩ群窒化物のｐ型エピタキシャル層５３と、ｎ型エピタキシャル層上にありｐ型エピタキシャル層に隣接し、ｐ−ｎ接合部５８の一部を電気的に隔離する抵抗性窒化ガリウム領域５４とを含む。ｐ型エピタキシャル層上に金属接点層５５を形成する。方法の実施形態では、ｐ型エピタキシャル領域上に打ち込みマスクを形成し、ｐ型エピタキシャル領域の部分にイオンを打ち込んでｐ型エピタキシャル領域の部分を半絶縁性にすることによって、抵抗性窒化ガリウム境界を形成する。フォトレジスト・マスク又は十分に厚い金属層を、打ち込みマスクとして用いることができる。 （もっと読む）