【課題】高温アニーリングは、ＳｉＣ基板上に含まれる窒化ガリウムベースの材料からなるエピタキシャル層に損傷を与える可能性がある。
【解決手段】炭化珪素（ＳｉＣ）基板上に金属を形成し、この金属とＳｉＣ基板との界面部をアニーリングして、そこに金属−ＳｉＣ材を形成し、ＳｉＣ基板上のある箇所ではアニーリングされないようにして、そこには金属−ＳｉＣ材が形成されないようにすることによって半導体素子のコンタクトを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製する工程を含む、半導体発光デバイスをパッケージする方法を提供すること。
【解決手段】半導体発光デバイスをパッケージングする方法は半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製するステップを含む。該基板は中に半導体発光デバイスを搭載するように構成された空洞を含んでもよい。該半導体発光デバイスは該基板上に搭載されて基板の接続部分に電気的に接続される。該基板は該半導体発光デバイス上に、該基板に接着された光素子を形成するために液体注入モールドされる。液体注入モールドのステップに先行して空洞の中の電気的に接続された半導体発光デバイス上に軟樹脂を塗布するステップがある。半導体発光デバイスの基板リボンも提供される。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ・ボンディングを、他のワイヤ・ボンディングや他のＬＥＤチップ上を横切らないように比較的短くすることにより、固体発光パッケージの組み立てを簡略化して信頼性を向上する。さらに、同じ側に１つの極性のリード線を形成することにより、複雑で高価な多層相互配線を避ける。
【解決手段】パッケージのサブマウントは、支持部材の第１の側面に近接した第１のボンディング領域および支持部材の第２の側面の方へ延在する第２のボンディング領域を有する第１の電気的ボンディング・パッドと、支持部材の第１の側面に近接し電子デバイスを受け入れるダイ取付領域および支持部材の第２の側面の方へ延在する延長領域を有する第２の電気的ボンディング・パッドと、支持部材の第２の側面と第２の電気的ボンディング・パッドのダイ取付領域との間に位置した第３の電気的ボンディング・パッドとを、サブマウントの支持部材の上面に備える。 （もっと読む）

【課題】半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製する工程を含む、半導体発光デバイスをパッケージする方法を提供すること。
【解決手段】半導体発光デバイスをパッケージングする方法は半導体発光デバイスを搭載するように構成された基板を作製するステップを含む。該基板は中に半導体発光デバイスを搭載するように構成された空洞を含んでもよい。該半導体発光デバイスは該基板上に搭載されて基板の接続部分に電気的に接続される。該基板は該半導体発光デバイス上に、該基板に接着された光素子を形成するために液体注入モールドされる。液体注入モールドのステップに先行して空洞の中の電気的に接続された半導体発光デバイス上に軟樹脂を塗布するステップがある。半導体発光デバイスの基板リボンも提供される。 （もっと読む）

【課題】基板上に成長されるＧａＮ層は歪みを受ける可能性があり、歪みのレベルがある閾値を超えると、ＧａＮ層に亀裂が入る恐れがある。
【解決手段】半導体構造は、基板、前記基板上の核生成層、前記核生成層上の組成傾斜層、及び前記組成傾斜層上の窒化物半導体材料の層を含む。前記窒化物半導体材料の層は、前記窒化物半導体材料の層の中に間隔をおいて配置された複数の実質的に緩和された窒化物中間層を含む。前記実質的に緩和された窒化物中間層は、アルミニウム及びガリウムを含み、ｎ型ドーパントで導電的にドープされ、また前記複数の窒化物中間層を含む前記窒化物半導体材料の層は、少なくとも約２．０μｍの全厚を有する。 （もっと読む）

【課題】実装基板、キャビティおよびヒートシンクを含むパッケージ、ならびにそれらをパッケージングする方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子用の実装基板は、第１および第２の対向する金属面１００ａ、１００ｂを有する固体金属ブロック１００を含む。第１の金属面１００ａは、１つのキャビティ１１０を有し、このキャビティは、少なくとも１つの半導体発光素子を中に実装するように、またキャビティ１１０から離れる方向に中に実装されている少なくとも１つの半導体発光素子により放出される光を反射するように構成される。第２の金属面１００ｂは、中に複数のヒートシンクフィン１９０を備える。１つまたは複数の半導体発光素子は、キャビティ１１０内に実装される。反射被覆、配線、絶縁層も、パッケージ内に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】チャネル層中のキャリア濃度を増すため、高いアルミニウム含有率を有した厚いＡｌＧａＮ層は、成長中か冷却後にひびが入る傾向があり、これによってデバイスが破壊される。
【解決手段】基板上の第１のＩＩＩ族窒化物層は第１の歪みを有する。ＧａＮ層のような第２のＩＩＩ族窒化物層が、第１のＩＩＩ族窒化物層上に設けられている。第２のＩＩＩ族窒化物層は、第１のＩＩＩ族窒化物層のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有し、かつ第１の歪みの大きさよりも大きい第２の歪みを有する。ＡｌＧａＮ層又はＡｌＮ層のような第３のＩＩＩ族窒化物層がＧａＮ層上に設けられている。第３のＩＩＩ族窒化物層は、第２のＩＩＩ族窒化物層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有し、かつ第２の歪みと逆の歪みの型の第３の歪みを有する。ソースコンタクトとドレインコンタクトとゲートコンタクトを第３のＩＩＩ族窒化物層上に設ける。 （もっと読む）

【課題】他の要素からアクティブ素子を保護し、ＬＥＤ小立方体の光学的出力を増大させ、比較的短い波長（例えば、５２５ｎｍ）のハイフラックスＬＥＤ群とともに用いても光学的な品質が低下しない、カプセル化層を提供する。
【解決手段】発光素子１０は、アクティブ領域１３に印加された電圧に反応して光を発するよう設定されたアクティブ領域１３を含み、第１のカプセル化層１６は、少なくとも部分的にアクティブ領域１３をカプセル化し、基材とナノ粒子群を含み、第１のカプセル化層１６の少なくとも一つの物理的性質を変化させる。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素デバイスのためのエッジ終端構造において、酸化膜などの絶縁層の境界面電荷の悪影響を中和し、多重フローティングガードリング終端では、この酸化膜電荷の変化に対する影響を少なくし、又は影響をなくす。
【解決手段】炭化ケイ素ベースの半導体接合に近接し、この半導体接合から間隔をおいて配置された、炭化ケイ素層中の複数の同心円のフローティングガードリングを有する。酸化膜などの絶縁層が、これらのフローティングガードリング上に設けられ、炭化ケイ素表面電荷補償領域が、これらのフローティングガードリング間に設けられ、この絶縁層に隣接している。かかるエッジ終端構造の製造方法もまた提供される。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードパッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤパッケージ３０は上面４０および底面を有し、その上面４０上に複数の上部導電性要素および上部導熱性要素を有するサブマウント３２を備える。ＬＥＤ３４が、上部要素に印加された電気信号がＬＥＤ３４を発光させるように、上部要素の１つの上に設けられる。導電性要素は、ＬＥＤからの熱をサブマウントの上面の大部分にわたって拡散する。下部導熱性要素が、サブマウントの底面上に設けられ、サブマウントからの熱を拡散し、レンズ７０が、ＬＥＤの上に直接に形成される。 （もっと読む）