【課題】 軸オフのウェーハを得るための従来技術において、より大きな結晶は、一般に結晶の垂線から離れて配向され、ついで軸オフの種結晶を産生するためにウェーハが配向方向に向かって切断される。垂線から離れて結晶を配向することは、結晶と同じサイズのウェーハを切断するために利用可能な有効な層厚を低減する。
【解決手段】 半導体結晶および関連する成長方法が開示される。結晶は、種結晶部分と、種結晶部分上の成長部分とを含んでいる。種結晶部分および成長部分は、実質的に直立した円筒形の炭化ケイ素の単結晶を形成する。種結晶面は、成長部分と種結晶部分との間の界面を規定し、種結晶面は、直立した円筒形の結晶の基部に実質的に平行であり、単結晶の基底平面に関して軸オフである。成長部分は、種結晶部分のポリタイプを複製し、成長部分は、少なくとも約１００ｍｍの直径を有する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１つのＬＥＤチップが配置されたマウントの表面と共形のテクスチャード加工された封止体を有するパッケージ化されたＬＥＤデバイスを提供する。
【解決手段】付加または削除工程を用いてテクスチャード加工された封止体は、パッケージ化される前、または最中にＬＥＤに付加される。封止体は、光が放出される少なくとも１つのテクスチャード加工された表面を含む。テクスチャード加工された表面は、封止体の中での全内部反射を低減し、取り出し効率と出力分布の色温度一様性とを改善するのに役立つ。いくつかのチップを、単一のテクスチャード加工された封止体の下に搭載できる。凹凸表面を有する金型を、多くのＬＥＤ上に同時に複数の封止体を形成するために用いることが出来る。 （もっと読む）

【課題】固体発光素子列を持つ照明パネルと、電圧入力端子、制御入力端子、及び固体発光列に接続する第一および第二の出力端子を持つ電流供給回路照明パネルシステムを提供する。
【解決手段】電流供給回路は、制御信号に応答して固体発光素子列にオン状態駆動電流を供給するように構成される。電流供給回路には、電圧入力端子に接続する充電インダクタと第一の出力端子に接続する出力キャパシタとを含む。電流供給回路は、オン状態駆動電流が固体発光素子列に供給されている間は充電インダクタを通して電流が連続的に流れる連続電流モードで動作するように構成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、その効率を上げるためにＬＥＤの上あるいは内部に光取出し構造体（２６）を有する新規のＬＥＤを提供する。
【解決手段】新規の光取出し構造体（２６）は、光がパッケージへと出て行くのにより有利な方向に光を反射、屈折あるいは散乱させる表面を提供する。この光取出し構造体は、光取出し要素（４２、４４、４６、４８、５０、５２）のアレイあるいは分散体層（１１２、１２２、１３４、１４４、１５２、１６２）を備えている。光取出し要素は、様々な形状でありうるし、従来のＬＥＤを超えてＬＥＤの効率を増加させるために多くの位置に配置される。分散体層は光に散乱源を提供し、また同じように多くの位置にそれを配置することができる。光取出し要素アレイをもつ新規のＬＥＤは、それらの生産性を高くする標準的な加工技術で、標準的なＬＥＤと同様のコストで製造される。分散体層をもつ新規のＬＥＤは新規の方法で製造され、また生産性が高い。 （もっと読む）

【課題】出力プロファイルの空間放射パターン及び色温度均一性を調整するための散乱フィーチャを備えた封止体を有する発光デバイスを提供する。
【解決手段】封止体２００は、光散乱特性を有する材料で形成される。これらの光散乱体２０４の濃度は、封止体内及び／又は封止体の表面上で空間的に変えられる。高密度の散乱体を有する領域２０６は、所望の範囲の光源放射角にわたって封止体に入る光と相互作用するように封止体内に配置される。特定の範囲の放射角からの光が少なくとも１つの散乱事象を受けることになる確率を増大させることによって、出力光ビームの強度プロファイル及び色温度プロファイルを共に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】極性方向に沿って結晶層（２〜７）を成長させた半導体光エミッタ内の自然発生的な分極誘導電界を低減し、打ち消し、または反転し、エミッタの動作効率およびキャリアの閉じ込めを改善する。
【解決手段】これは、隣接する結晶層（２〜７）の材料組成の相違を低減し、分極誘導電荷を妨げる空間電荷および擬似電界を発生させるために１つまたは複数の層にグレードを付け、分極誘導電荷とは反対の電荷状態へとイオン化する様々な不純物を半導体内に取り込み、帯電した原子層の順序を逆転させ、デバイス内のｎ型層およびｐ型層の成長順序を逆転させ、均一な活性領域の代わりに多層放出系を使用し、かつ／または材料の面内格子定数を変化させることによって、実現される。 （もっと読む）

【課題】効率の高いＩＩＩ族窒化物発光ダイオードを開示する。
【解決手段】このダイオードは、半導体及び導体材料からなる群から選択した基板と、基板の上又は上方にあるＩＩＩ族窒化物発光領域と、発光領域の上又は上方にあり炭化珪素を含有するレンズ状表面とを含む。 （もっと読む）

【課題】
活性領域を備え、両面に結合された電気的コンタクトを有する発光デバイス及びその作製方法を提供することにある。
【解決手段】
発光デバイスは、基板を貫通して対向する第１の面と第２の面の間を延びるコンタクトプラグ（２４０）を有する基板（２０５）を備えている。第１の面上に活性領域があり、この活性領域上に、第１の電気的コンタクトがあり、基板の第２の面に隣接して第２の電気的コンタクトがある。コンタクトプラグは、第２の電気的コンタクトを活性領域に結合する。このような構成によって、チップの両側に電気的コンタクトを設けることができ、それによって、ウェハ上に形成することのできるデバイスの数を増やすことができる。 （もっと読む）

【課題】効率的でＣＲＩが改善された照明装置を提供する。
【解決手段】熱拡散要素１１内に絶縁領域１２を介して複数のパッケージ化されたＬＥＤ１６が配置され、該ＬＥＤは各々ルミネセント材料を含んでいる。１つのパッケージのＬＥＤ及びルミネセント材料から放射されて照明装置から出る光の混合された光は、１９３１年ＣＩＥ色度図上の１つの点であって、第１の相関カラー温度を有する１つの点に対応する混合光を生じ、別のパッケージのＬＥＤ及びルミネセント材料から放射されて照明装置からでる光の混合された光は、１９３１年ＣＩＥ色度図上の別の点であって、第１の相関カラー温度とは異なる第２の相関カラー温度を有する別の点に対応する混合光を生じる。 （もっと読む）

【課題】ワイドバンドギャップ材料内に、接合温度低下、動作中の高電力密度化、及び定格電力密度における信頼性向上を達成する高電力デバイスを形成する。
【解決手段】ＳｉＣ層１０にＳｉＯ_２層を形成し、次いで、熱伝導率を高めるためにダイアモンド層１１を形成する。そして、ＳｉＣ層１０の厚さを低減し、ダイアモンド層１１及びＳｉＣ層１０の向きを逆にしてダイアモンド１１を基板とする。次いで、ＳｉＣ層１０上に、バッファ層１６、ヘテロ構造層１４及び１５を形成する。 （もっと読む）