【課題】反応チャンバにおいて反応体メモリーを防止しながら、複数工程複数チャンバ化学気相堆積を行う方法を提供する。
【解決手段】第一気相堆積チャンバ２４において気相堆積を用いて基板上に半導体材料の層を堆積させる工程、次いで、堆積成長後及び前記チャンバ２４を開ける前に、前記第一堆積チャンバ２４中に残留している気相堆積原料ガスを減少させるために成長チャンバ２４から排気する工程を含む。第二堆積チャンバ２６から第一堆積チャンバ２４を分離して第一堆積チャンバ２４中に存在する反応体が第二堆積チャンバ２６における堆積に影響を及ぼさないようにしながら、また、成長停止効果を最小限に抑えるか又は排除する環境を維持しながら、基板を第二堆積チャンバ２６へと搬送する。搬送工程の後、異なる半導体材料の追加の層を、第二チャンバ２６において、気相堆積によって第一堆積層の上に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】効率的で、より長い寿命、好ましい色再現性の照明を提供する。
【解決手段】照明装置は、第１、および、第２のグループの固体発光素子よりなり、これらは、それぞれ、４３０ｎｍから４８０ｎｍの範囲内、および、６００ｎｍから６３０ｎｍの範囲内のピーク波長を持つ光を発し、かつ、第１のグループのルミファーは、５５５ｎｍから５８５ｎｍの範囲内の主要波長を持つ光を発する。(1)前記第１のグループの発光素子により発光されて該照明装置を出射する光、および、(2)前記第１のグループのルミファーにより発光されて該照明装置を出射する光、の混合物は、任意の付加的な光のないところでは、座標（０．３２、０．４０）、（０．３６、０．４８）、（０．４３、０．４５）、（０．４２、０．４２）、（０．３６、０．３８）をもつ点により定義される、１９３１年ＣＩＥ色度図上の領域内のｘ、ｙカラー座標を持つ、光のサブ混合物を生成する。 （もっと読む）

【課題】貫通する開口を備える保護層を基板上に形成し、さらにこの開口の中にゲート電極を形成することによって、トランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極の第１の部分は、開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在し、ゲート電極の第２の部分は、保護層から間隔を空けて配置され、第１の部分を越えて横方向に延在する。関連したデバイスおよび作製方法も述べられる。 （もっと読む）

【課題】封止剤のメニスカス制御を可能とする半導体発光デバイスのパッケージを提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１１４を搭載するためのサブマウントは、基板１１０と、基板の上面上にＬＥＤチップを受け入れるように構成されたダイ取り付け台と、ダイ取り付け台を取り囲み、基板の上面の第１の封止剤用領域を区画する、基板上の第１のメニスカス制御用部材１１６と、第１の封止剤用領域を取り囲み、基板の上面の第２の封止剤用領域を区画する、基板上の第２のメニスカス制御用部材１１８とを含む。第１および第２のメニスカス制御用部材はダイ取り付け台と実質的に共平面であってもよい。パッケージされたＬＥＤは上記のサブマウントを含み、更に該ダイ取り付け台上のＬＥＤチップと、第１の封止剤用領域内の、基板上の第１の封止剤１３０と、第２の封止剤用領域内の、第１の封止剤を覆う、基板上の第２の封止剤１４０とを含む。 （もっと読む）

【課題】照明パネルの主平面に平行な第１の面を有するタイルと、タイルの第１の面上に配置され、光を発するように構成された複数の固体照明デバイスと、タイルの第１の面上の反射シートと、反射シート上の輝度増強フィルムとを備える照明パネルを提供すること。
【解決手段】反射シートは、タイルと輝度増強フィルムとの間に配置することができ、輝度増強フィルムは、放出光のオンアクシス強度を増大させるように構成することができる。全般照明用に適合された照明器具は、上述の照明パネルと、制御信号に応答して照明デバイスの列にオン状態駆動電流を供給するように構成された電流供給回路と、固体照明デバイスのうちの１つから光を受け取るように配置された光センサと、光センサから出力信号を受け取り、この光センサの出力信号に応じて制御信号を調整するように構成された制御システムとを備える。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１つのＬＥＤチップが配置されたマウントの表面と共形のテクスチャード加工された封止体を有するパッケージ化されたＬＥＤデバイスを提供する。
【解決手段】付加または削除工程を用いてテクスチャード加工された封止体は、パッケージ化される前、または最中にＬＥＤに付加される。封止体は、光が放出される少なくとも１つのテクスチャード加工された表面を含む。テクスチャード加工された表面は、封止体の中での全内部反射を低減し、取り出し効率と出力分布の色温度一様性とを改善するのに役立つ。いくつかのチップを、単一のテクスチャード加工された封止体の下に搭載できる。凹凸表面を有する金型を、多くのＬＥＤ上に同時に複数の封止体を形成するために用いることが出来る。 （もっと読む）

【課題】装置の下側から接触可能な２つの電極を有する、ワイヤボンディングのない半導体装置を提供する。
【解決手段】反対にドープされたエピタキシャル層４０４、４０６に電気的接続された２つの電極４２２、４２４を有して製作され、それぞれの電極は、下側に接続ポイントがあるリードを有する。この構造により、パッケージ化段階で形成されなければならないワイヤボンディングまたは他のそのような結合機構の必要性なしで、外部の電圧／電流源を用いて装置にバイアスをかけることが可能になる。したがって、パッケージ化段階（例えば蛍光体層４２６またはカプセルの材料の形成段階）で装置に伝統的に加えられる機構は、ウェーハ段階の製造プロセスに含まれ得る。さらに、下側電極は、仕上がった装置の一部分として成長基板を後に残す必要性をなくして装置へ主要な構造的支持をもたらすことができるほど十分に厚い。 （もっと読む）

【課題】接合下向き実装を改良するＬＥＤ接着構造及びＬＥＤ接着構造の製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ３０は、Ｓｎ、ＡｕＳｎ又はその他の金属のような、熱超音波接着又は熱圧着に適したボンド・パッド３１を含む。ボンド・パッド３１の物理的寸法は、鑞を用いる又は用いない熱圧着又は熱超音波接着の間に、ハンダの押し出しを発生し難くする又は防止するように選択する。実施形態によっては、押し出しを生ずることなく、３０ｇ〜７０ｇ又はそれ以上の力を受け入れるように、ＡｕＳｎボンド・パッドを設計する。 （もっと読む）

【課題】接合障壁ショットキーダイオード及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の導電型を有する半導体層と、この半導体層上にあり、半導体層と共にショットキー接合部を形成する金属接点と、半導体層内に半導体領域とを含んでいる。半導体領域と半導体層とが、第１のｐ−ｎ接合部を、ショットキー接合部と並列に形成する。第１のｐ−ｎ接合部は、ショットキー接合部に逆バイアスがかけられたとき、ショットキー接合部に隣接する半導体層内に空乏領域を発生させるように構成され、それによってショットキー接合部を通る逆漏れ電流が制限される。第１のｐ−ｎ接合部は、ショットキー接合部に逆バイアスがかけられたとき、第１のｐ−ｎ接合部のパンチスルーが、ショットキー接合部の降伏電圧よりも低い電圧で起こるように構成される。 （もっと読む）

【課題】種結晶を用いた昇華システムにおいて形成された結晶の欠陥レベルが低く、より大きく、高品質のＳｉＣ単結晶ウェハを製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも約１００ｍｍの直径と、約２５ｃｍ^−２未満のマイクロパイプ密度とを有し、また、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈおよび１５Ｒポリタイプからなる群から選択されるポリタイプを有するＳｉＣ単結晶ウェハ。なお、マイクロパイプ密度は、表面上にある全マイクロパイプの総数を、ウェハの表面積で割ったものを表す。 （もっと読む）