支持されたゲート電極を備えるトランジスタの作製方法およびそれに関連するデバイス
【課題】貫通する開口を備える保護層を基板上に形成し、さらにこの開口の中にゲート電極を形成することによって、トランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極の第１の部分は、開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在し、ゲート電極の第２の部分は、保護層から間隔を空けて配置され、第１の部分を越えて横方向に延在する。関連したデバイスおよび作製方法も述べられる。
【解決手段】ゲート電極の第１の部分は、開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在し、ゲート電極の第２の部分は、保護層から間隔を空けて配置され、第１の部分を越えて横方向に延在する。関連したデバイスおよび作製方法も述べられる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスに関し、より詳細には、トランジスタおよびそれに関連するデバイスを作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン（Ｓｉ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の材料は、比較的低電力用途の半導体デバイスに、また、Ｓｉの場合には比較的低周波用途の半導体デバイスに広く応用されている。しかし、これらの比較的一般的な半導体材料は、例えば比較的小さなバンドギャップ（例えば、室温で、Ｓｉの場合に１．１２ｅＶ、ＧａＡｓの場合に１．４２ｅＶ）および／または比較的小さな破壊電圧のために、大電力用途および／または高周波用途に十分に適していない可能性がある。
【０００３】
ＳｉおよびＧａＡｓで生じた問題を考慮して、大電力、高温および／または高周波用途およびデバイスに対する関心は、炭化珪素（アルファＳｉＣの場合、室温で２．９９６ｅＶ）およびＩＩＩ族窒化物（例えば、ＧａＮの場合、室温で３．３６ｅＶ）のようなワイドバンドギャップの半導体材料に向いている。これらの材料は一般に、ガリウム砒素および／またはシリコンに比べて高い電界破壊強度および高い電子飽和速度を有している可能性がある。
【０００４】
大電力および／または高周波用途において特に関心のあるデバイスは、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であり、これは変調ドープ型電界効果トランジスタ（ＭＯＤＦＥＴ）としても知られている。ＨＥＭＴデバイスでは、異なるバンドギャップエネルギーを有する２つの半導体材料のヘテロ接合に２次元電子ガス（２ＤＥＧ）に形成することができる。より小さいバンドギャップの材料は、より広いバンドギャップの材料よりも高い電子親和力を有する可能性がある。２ＤＥＧは、アンドープの（「非意図的にドープされた」）より小さなバンドギャップ材料内の蓄積層であり、例えば１０１３キャリア／ｃｍ２を超える比較的高いシート電子濃度を含むことができる。さらに、より広いバンドギャップの半導体で生じた電子が２ＤＥＧに移動して、イオン化不純物散乱の減少のために比較的高い電子移動度を可能にすることができる。比較的高いキャリア濃度と比較的高いキャリア移動度のこの組合せは、ＨＥＭＴに比較的大きなトランスコンダクタンスを与えることができ、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）に優る性能上の利点を高周波用途にもたらすことができる。
【０００５】
窒化ガリウム／窒化アルミニウムガリウム（ＧａＮ／ＡｌＧａＮ）材料系で作製された高電子移動度トランジスタは、比較的高い破壊電界、比較的広いバンドギャップ、比較的大きな伝導帯オフセット、および／または比較的高い飽和電子ドリフト速度等の材料特性の組合せのために、大量のＲＦ電力を生成することができる。２ＤＥＧ中の電子の大部分は、ＡｌＧａＮの分極に帰することができる。
【０００６】
ＧａＮ／ＡｌＧａＮ系のＨＥＭＴは、すでに実証されている。例えば、特許文献１および２には、ＡｌＧａＮ／ＧａＮのＨＥＭＴ構造および製造方法が記載されている。さらに特許文献３には、半絶縁性炭化珪素基板、この基板上の窒化アルミニウム緩衝層、この緩衝層上の絶縁性窒化ガリウム層、この窒化ガリウム層上の窒化アルミニウムガリウム障壁層、およびこの窒化アルミニウムガリウム活性構造上のパシベーション層を備えるＨＥＭＴデバイスが記載されている、特許文献３は、参照して本明細書に組み込まれる。さらに、参照して本明細書に組み込まれる特許文献４には、保護層を備えるＨＥＭＴデバイス、および／または、デバイスのオーミックコンタクトのアニール中に生じうるトランジスタのゲート領域の半導体に対する損傷を減少させることができる低損傷リセス（ｒｅｃｅｓｓ）作製技術を記載している。
【０００７】
ＨＥＭＴデバイスの作製における１つのステップは、ゲート電極の形成である。従来のゲート電極形成方法は、誘電体を堆積するステップと、マスクおよび／またはその他の犠牲層を使用して誘電体を貫通してエッチングするステップと、この誘電体のエッチングされた部分の中に（「Ｔゲート」と呼ばれる）Ｔ型ゲート電極を堆積するステップを含むことがある。しかし、そのような従来の方法では、誘電体エッチングの等方性のために、誘電体の縁とゲート電極との間に隙間が形成されることがある。このことは、デバイス動作にとって有害であることがある。というのは、この隙間によって露出する不動態化されていない半導体表面は、デバイス内で電流崩壊（ｃｕｒｒｅｎｔ ｃｏｌｌａｐｓｅ）および／またはドリフトを引き起こすことがあるからである。さらに、ゲート形成後にこの隙間にパシベーション層を形成することができるが、そのようなゲート後（ｐｏｓｔ−ｇａｔｅ）パシベーション層のパシベーション特性は、初期のゲート前（ｐｒｅ−ｇａｔｅ）誘電体のパシベーション特性よりも劣っていることがある。これは、ゲート前誘電体を比較的高温で形成できることに起因する可能性があり、この高温形成は、いったんゲートメタライゼーションが堆積されてしまうと実施可能でなくなる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第５１９２９８７号明細書
【特許文献２】米国特許第５２９６３９５号明細書
【特許文献３】米国特許第６３１６７９３号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第ＵＳ２００５／０１７０５７４号明細書
【特許文献５】米国特許出願公開第２００２／００６６９０８Ａ１号明細書
【特許文献６】米国特許出願公開第２００２／０１６７０２３Ａ１号明細書
【特許文献７】米国特許出願第１０／６１７，８４３号明細書
【特許文献８】米国特許第Ｒｅ．３４，８６１号明細書
【特許文献９】米国特許第４，９４６，５４７号明細書
【特許文献１０】米国特許第５，２００，０２２号明細書
【特許文献１１】米国特許第６，２１８，６８０号明細書
【特許文献１２】米国特許第５，２１０，０５１号明細書
【特許文献１３】米国特許第５，３９３，９９３号明細書
【特許文献１４】米国特許第５，５２３，５８９号明細書
【特許文献１５】米国特許第５，２９２，５０１号明細書
【特許文献１６】米国特許公開第２００３／０１０２４８２Ａ１号明細書
【特許文献１７】米国仮特許出願第６０／３３７，６８７号明細書
【特許文献１８】米国特許出願第１１／２８６，８０５号明細書
【特許文献１９】米国特許第６，４９８，１１１号明細書
【特許文献２０】米国特許出願第１１／３０２，０６２号明細書
【特許文献２１】米国特許出願第１１／４３４，８５３号明細書
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｙｕ ｅｔ ａｌ．， “Ｓｃｈｏｔｔｋｙ ｂａｒｒｉｅｒ ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ｉｎ ＩＩＩ−Ｖ ｎｉｔｒｉｄｅｓ ｖｉａ ｔｈｅ ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｅｆｆｅｃｔ，” Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， Ｖｏｌ． ７３， Ｎｏ． １３， １９９８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって、そのような隙間の形成を防ぐために、ゲート電極形成の他の方法が開発されてきた。例えば、誘電体のエッチングされた部分にゲート電極を形成するよりも前に、誘電体から、マスクおよび／またはその他の犠牲層を除去することができる。したがって、ゲート電極は誘電体のエッチングされた部分を完全に埋めることができ、誘電体表面の上に直接にゲート電極の「ウィング」またはサイドローブを形成することができる。そのようなゲート電極は、誘電的に支持された（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ−ｓｕｐｐｏｒｔｅｄ）Ｔゲートまたは「ガンマ」ゲートと呼ばれる。しかし、誘電体の部分がサイドローブと活性チャネルとの間にサンドイッチ状に挟まれることがあるので、ゲート−ドレインキャパシタンス（ｃｄｇ）および／またはゲート−ソースキャパシタンス（ｃｇｓ）が増加することがあり、これがデバイス性能に有害な影響を及ぼすことがある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のいくつかの実施形態によると、トランジスタを作製する方法は、基板上に保護層を形成することを含むことができる。保護層は、貫通する開口を備えることができる。ゲート電極は、この開口の中において、例えば保護層の対向する側壁に直接形成してもよい。ゲート電極の第１の部分は、開口の外側に存在する保護層の表面部分に横方向に延在してもよく、ゲート電極の第２の部分は、保護層から間隔を空けて配置してもよく、かつ第１の部分を越えて横方向に延在してもよい。
【００１２】
いくつかの実施形態では、ゲート電極が形成される前に、保護層上に第２の層が形成されてもよい。この第２の層は、前記第１の開口よりも広い、貫通する第２の開口を備えることができる。ゲート電極は、ゲート電極の第２の部分が、第２の開口の外側に存在する第２の層の表面部分に横方向に延在するように、第２の開口に形成されてもよい。
【００１３】
他の実施形態では、第２の層は、保護層よりも小さな誘電率を有する材料であってもよい。
いくつかの実施形態では、第２の層は、保護層上に形成されてもよく、かつ第２の層を貫通するリセスを含んでもよい。このリセスは、保護層の一部を露出させることができる。第２の層のリセスは、第１の開口を露出させ、かつ第１の開口の相対する側に保護層の表面部分を露出させる第２の開口を画定するように広くされてもよい。
【００１４】
他の実施形態では、保護層および第２の層は、異なる材料で形成されてもよい。第２の層のリセスを広げる前に、保護層を貫通する第１の開口を形成するために、保護層は、第２の層をマスクとして使用してパターニングされてもよい。第２の層のリセスは、第２の層のリセスを対称的に拡大することによって広くされてもよい。そのようなものとして、第２の開口と第１の開口は、自己整合される可能性がある。
【００１５】
いくつかの実施形態では、第２の層は、フォトレジスト層であってもよい。第２の層のリセスは、酸素プラズマを使用して第２の層をアッシング（ａａｓｈｉｎｇ）することによって、かつ／または基板をハードベークすること（ｈａｒｄ ｂａｋｉｎｇ）によって、広くされてもよい。他の実施形態では、第２の層は、ポリイミド層であってもよい。
【００１６】
他の実施形態では、第２の層は、犠牲層であってもよい。そのようなものとして、第２の層は、ゲート電極を形成した後で除去されてもよい。第２の層を除去した後で、パシベーション層が保護層およびゲート電極上に形成されてもよい。
【００１７】
さらに他の実施形態では、チャネル層が基板上に形成されてもよく、さらに、このチャネル層上に障壁層が形成されてもよい。保護層が障壁層上に形成されてもよい。ゲート電極は、保護層の開口を貫通して延在し、障壁層に接触するように形成されてもよい。チャネル層と障壁層の間の接合は、ヘテロ接合を画定してもよい。
【００１８】
いくつかの実施形態では、チャネル層は、障壁層よりも小さなバンドギャップを有してもよい。
【００１９】
他の実施形態では、第１と第２のオーミックコンタクト領域が、保護層に近接しかつ保護層から離間して障壁層上に形成されてもよい。そのようなものとして、保護層は、第１と第２のオーミックコンタクト領域の間にある可能性がある。障壁層の一部を露出させるように保護層をパターニングして、パターニングされた保護層に近接しかつパターニングされた保護層から離間されたオーミック金属領域を障壁層の露出された部分の上に形成し、さらにオーミック金属領域をアニールすることによって、第１と第２のオーミックコンタクト領域が形成されてもよい。
【００２０】
いくつかの実施形態では、障壁層は、ＩＩＩ族窒化物層で形成されてもよく、チャネル層は、アンドープＩＩＩ族窒化物層で形成されてもよい。例えば、障壁層は、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）で形成されてもよく、チャネル層は窒化ガリウム（ＧａＮ）で形成されてもよい。保護層は、窒化珪素（ＳｉＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、および／または二酸化珪素（ＳｉＯ２）などの誘電体材料であってもよい。
【００２１】
本発明のさらなる実施形態によると、トランジスタを作製する方法は、基板上に第１の層を形成することを含むことができる。第１の層は、誘電体材料であってもよい。この第１の層の上に第２の層が形成されてもよい。第２の層は、第１の層の一部を露出させる孔を備えてもよい。第１の層を貫通する第１の開口が、第２の層をマスクとして使用して形成されてもよい。第１の開口を形成した後で、第２の層の孔は、第２の開口を形成するように広くされてもよい。第２の開口は、第１の開口の相対する側の第１の層の表面部分に加えて、第１の開口も露出させることができる。ゲート電極が、第１および第２の開口に形成されてもよい。例えば、ゲート電極は、第１の開口の対向する側壁に直接に形成されてもよい。ゲート電極の第１の部分は、第１の開口の外側に存在する第１の層の表面部分に延在してもよく、ゲート電極の第２の部分は、第２の開口の外側に存在する第２の層の表面部分に延在してもよい。
【００２２】
いくつかの実施形態では、ゲート電極の第１の部分は、開口の外側に存在する第１の層の表面部分で横方向に延在してもよい。ゲート電極の第２の部分は、第２の開口の外側に存在する第２の層の表面部分で、ゲート電極の第１の部分を越えて横方向に延在してもよい。
【００２３】
他の実施形態では、第１の層および第２の層は、異なる材料で形成されてもよい。例えば、第１の層は、窒化珪素、窒化アルミニウム、および／または二酸化珪素などの誘電体材料で形成されてもよい。第２の層は、第１の層よりも小さな誘電率を有する材料で形成されてもよい。
【００２４】
いくつかの実施形態では、第２の層の孔は、第２の開口と第１の開口が自己整合されるように第２の層の孔を対称的に拡大することによって広くされてもよい。
【００２５】
他の実施形態では、第２の層は、フォトレジスト層であってもよい。第２の層の孔は、酸素プラズマを使用して第２の層をアッシングすることによって、かつ／または基板をハードベークすることによって、広くされてもよい。さらに他の実施形態では、第２の層は、ポリイミド層であってもよい。
【００２６】
いくつかの実施形態では、第１の層は、孔によって露出された第１の層の部分を、低損傷エッチング技術を使用して選択的にエッチングすることによって、第１の開口を形成するようにパターニングされてもよい。
【００２７】
他の実施形態では、第２の層の孔は、ウェットエッチングを使用して第２の層を選択的にエッチングすることによって、第２の開口を形成するように広くされてもよい。
【００２８】
いくつかの実施形態では、チャネル層が基板上に形成されてもよく、さらに障壁層がチャネル層上に形成されてもよい。第１の層は、障壁層上に形成されてもよい。ゲート電極は、第１の層の第１の開口を貫通して延在し、障壁層に接触するように形成されもよい。チャネル層と障壁層との間の接合は、ヘテロ接合を画定してもよい。
【００２９】
本発明の他の実施形態によると、トランジスタは、基板と、基板上の保護層と、ゲート電極とを備えることができる。保護層は、貫通する開口を備えてもよく、ゲート電極がこの開口の中にあってもよい。例えば、ゲート電極は、保護層の開口の対向する側壁に直接に接していてもよい。例えば、ゲート電極は、開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在する第１の部分と、保護層から離間され第１の部分を越えて横方向に延在する第２の部分とを備えることができる。
【００３０】
いくつかの実施形態では、トランジスタは、保護層上に第２の層を備えることができる。例えば、第２の層は、犠牲層であってもよい。第２の層は、保護層よりも小さな誘電率を有してもよい。第２の層は、第１の開口よりも広い貫通する第２の開口を備えてもよい。ゲート電極は、第２の開口の中にあってもよく、ゲート電極の第２の部分は、第２の開口の外側に存在する第２の層の部分で横方向に延在してもよい。第１および第２の開口は、階段状外形を画定してもよい。
【００３１】
他の実施形態では、トランジスタは、保護層およびゲート電極上にパシベーション層を備えることができる。保護層およびパシベーション層は、同じ材料で形成されてもよい。
【００３２】
さらに他の実施形態では、トランジスタは、基板上にチャネル層を、さらにチャネル層上に障壁層を備えることができる。保護層は障壁層上にあってもよい。ゲート電極は、障壁層に接触するように保護層の開口を貫通して延在してもよい。チャネル層および障壁層は、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を実現するように構成されてもよい。例えば、チャネル層と障壁層は異なる格子定数を有し、そのようなものとして、擬似格子整合ＨＥＭＴを形成してもよい。
【００３３】
いくつかの実施形態では、トランジスタは、第１および第２のオーミックコンタクト領域を障壁層上に備えることができる。第１および第２のオーミックコンタクト領域は、ゲート電極の相対する側に保護層から離間して配置されてもよい。
【００３４】
保護層は、オーミックコンタクト領域の厚さと少なくともほぼ同じ厚さを有してもよい。
【００３５】
他の実施形態では、障壁層はＩＩＩ族窒化物層であってもよく、チャネル層はアンドープＩＩＩ族窒化物層であってもよい。例えば、障壁層は、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）であってもよく、チャネル層は窒化ガリウム（ＧａＮ）であってもよい。保護層は誘電体材料であってもよい。例えば、保護層は、窒化珪素、窒化アルミニウム、および／または二酸化珪素であってもよい。他の実施形態では、基板は炭化珪素であってもよい。
【００３６】
本発明のいくつかの実施形態によると、トランジスタを作製する方法は、貫通する第１の開口を備える保護層を形成することを含むことができる。誘電体層が保護層の上に形成されてもよい。この誘電体層は、第１の開口よりも広い貫通する第２の開口を備えてもよい。ゲート電極の第１の部分が、第１の開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在し、かつゲート電極の第２の部分が、第２の開口の外側に存在する誘電体層の部分で第１の部分を越えて横方向に延在するように、ゲート電極は、第１および第２の開口に形成されてもよい。
【００３７】
いくつかの実施形態では、誘電体層は、保護層よりも小さな誘電率を有してもよい。例えば、誘電体層は、酸化物層であってもよい。より詳細には、誘電体層は、高温酸化物（ＨＴＯ）層であってもよく、保護層は、高純度窒化物（ＨＰＮ）層であってもよい。例えば、保護層は化学量論的窒化珪素であってもよく、誘電体層は二酸化珪素であってもよい。
【００３８】
他の実施形態では、誘電体層は、高品質酸化物層であってもよい。高品質酸化物層は、約１．５未満の誘電率を有していてもよい。
【００３９】
いくつかの実施形態では、誘電体層は、保護層の厚さよりも大きな厚さを有してもよい。例えば、誘電体層は、約５００オングストローム（Å）から約３０００Åの厚さを有してもよく、保護層は約２００Åから約２０００Åの厚さを有してもよい。誘電体層の厚さ及び／又は誘電率は、デバイスのゲート・ドレイン間キャパシタンス及び／又はゲート・ソース間キャパシタンスを低減するのに十分であってもよい。
【００４０】
他の実施形態では、誘電体層の形成は、化学気相成長（ＣＶＤ）プロセスを使用して保護層上に酸化物層を堆積させることを含んでもよい。酸化物層は、約５００℃を超える温度で堆積されてもよい。
【００４１】
いくつかの実施形態では、貫通する第２の開口を備える誘電体層の形成は、保護層の上に貫通するリセスを含む誘電体層を形成することを含んでもよい。このリセスは、保護層の一部を露出させてもよい。誘電体層内のリセスは、第２の開口を画定するように広くされてもよい。第２の開口は、第１の開口を露出させてもよく、さらに、第１の開口の相対する側に保護層の表面部分を露出させてもよい。
【００４２】
他の実施形態では、保護層および誘電体層は、異なる材料で形成されてもよい。したがって、誘電体層のリセスを拡大する前に、保護層を貫通する第１の開口を形成するために、誘電体層をマスクとして使用して保護層がパターニングされてもよい。
【００４３】
いくつかの実施形態では、誘電体層のリセスは、第２の開口と第１の開口が自己整合されるように、誘電体層のリセスを対称的に拡大することによって広くされてもよい。例えば、緩衝酸化物エッチング液（ＢＯＥ）などの保護層に対して選択的なウェット酸化物エッチング液を使用して誘電体層をエッチングすることによって、リセスが対称的に拡大されてもよい。
【００４４】
他の実施形態では、トランジスタを作製する方法は、チャネル層を形成することと、チャネル層上に障壁層を形成することとを含むことができる。保護層が障壁層の上に形成されてもよい。ゲート電極は、障壁層に接触するように保護層の第１の開口を貫通して形成されてもよい。チャネル層と障壁層の接合は、ヘテロ接合を画定してもよい。
【００４５】
いくつかの実施形態では、第１と第２のオーミックコンタクト領域は、保護層が第１と第２のオーミックコンタクト領域の間にあるように、保護層に近接しかつ保護層から離間して障壁層上に形成されてもよい。より詳細には、誘電体層および保護層は、障壁層の第１および第２の部分を露出させるようにパターニングされてもよい。誘電体層および保護層をパターニングした後で、第１および第２のオーミックコンタクト領域が、パターニングされた保護層に近接しかつこの保護層から離間して障壁層の第１および第２の部分にそれぞれ形成されてもよい。第１および第２のオーミック金属領域をアニールして、第１および第２のオーミックコンタクトを形成してもよい。
【００４６】
他の実施形態では、誘電体層を形成する前に、障壁層の第１および第２の部分を露出させるように保護層がパターニングされてもよい。誘電体層は、保護層の上に、および障壁層の第１および第２の部分の上に形成されてもよい。障壁層の第１および第２の部分をそれぞれ露出させる第１および第２のリセスを誘電体層に画定するように、誘電体層がパターニングされてもよい。さらに、誘電体層の第１および第２のリセスは、緩衝酸化物エッチング液（ＢＯＥ）などのウェット酸化物エッチング液を使用して対称的に拡大されてもよい。
【００４７】
いくつかの実施形態では、誘電体層は、保護層の第１および第２の部分を露出させるようにパターニングされてもよい。保護層は、障壁層の第１および第２の部分を露出させるために、誘電体層をマスクとして使用してパターニングされてもよい。
【００４８】
他の実施形態では、ゲート電極は、第１の開口の中の保護層の対向する側壁に直接形成されてもよい。
【００４９】
いくつかの実施形態では、第１の開口の中の保護層の対向する側壁に誘電体ライナ（ｌｉｎｅｒ）が形成されてもよい。例えば、誘電体ライナは、二酸化珪素ライナまたは窒化物ライナであってもよい。誘電体ライナを形成した後で、ゲート電極が、第１の開口の中の誘電体ライナに直接に形成されてもよい。
【００５０】
いくつかの実施形態では、障壁層は、ＩＩＩ族窒化物層で形成されてもよく、チャネル層は、アンドープＩＩＩ族窒化物層で形成されてもよい。例えば、障壁層は、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）で形成されてもよく、チャネル層は窒化ガリウム（ＧａＮ）で形成されてもよい。保護層は、窒化珪素（ＳｉＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、および／または二酸化珪素（ＳｉＯ２）などの誘電体材料であってもよい。
【００５１】
本発明のさらなる実施形態によると、トランジスタは、貫通する第１の開口を備える保護層と、保護層上の誘電体層とを備えることができる。誘電体層は、第１の開口よりも広い貫通する第２の開口を備えてもよい。トランジスタはまた、第１および第２の開口にゲート電極を含んでもよい。ゲート電極は、第１の開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在する第１の部分と、第２の開口の外側に存在する誘電体層の部分で第１の部分を越えて横方向に延在する第２の部分とを含んでもよい。例えば、第１および第２の開口は、階段状外形を画定してもよい。
【００５２】
いくつかの実施形態では、誘電体層と保護層は異なる材料で形成されてもよい。誘電体層は、保護層よりも小さな誘電率を有してもよい。例えば、誘電体層は、酸化物層であってもよい。より詳細には、誘電体層は、高温酸化物（ＨＴＯ）層であってもよく、保護層は、高純度窒化物（ＨＰＮ）層であってもよい。例えば、保護層は化学量論的窒化珪素であってもよく、誘電体層は二酸化珪素であってもよい。
【００５３】
他の実施形態では、誘電体層は、高品質酸化物層であってもよい。高品質酸化物層は、約１．５未満の誘電率を有してもよい。
【００５４】
さらに他の実施形態では、誘電体層は、保護層の厚さよりも大きな厚さを有してもよい。例えば、誘電体層は、約５００オングストローム（Å）から約３０００Åの厚さを有してもよく、保護層は約２００Åから約２０００Åの厚さを有してもよい。誘電体層の厚さおよび／または誘電率は、デバイスのゲート−ドレインおよび／またはゲート−ソースキャパシタンスを減少させるのに十分であってもよい。
【００５５】
いくつかの実施形態では、トランジスタは、チャネル層と、チャネル層上の障壁層とをさらに備えることができる。保護層は障壁層上にあってもよく、ゲート電極は、保護層の第１の開口を貫通して障壁層に接触してもよい。チャネル層および障壁層は、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を実現するように構成されてもよい。例えば、チャネル層と障壁層は異なる格子定数を有し、そのようなものとして、擬似格子整合ＨＥＭＴを実現してもよい。
【００５６】
他の実施形態では、トランジスタは、ゲート電極の相対する側の障壁層上に保護層から間隔を空けて配置された第１および第２のオーミックコンタクト領域を備えることができる。例えば、誘電体層は、第１および第２のオーミックコンタクト領域と保護層との間に延在することがある。
【００５７】
いくつかの実施形態では、ゲート電極は、保護層の第１の開口の対向する側壁に直接に接してもよい。
他の実施形態では、誘電体ライナは、第１の開口の中で、保護層の側壁とゲート電極との間に延在してもよい。ゲート電極は、誘電体ライナに直接接していてもよい。
【００５８】
いくつかの実施形態では、障壁層は、ＩＩＩ族窒化物層であってもよく、チャネル層は、アンドープＩＩＩ族窒化物層であってもよい。例えば、障壁層は、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）であってもよく、チャネル層は窒化ガリウム（ＧａＮ）であってもよい。保護層は、また、誘電体材料であってもよい。例えば、保護層は、窒化珪素、窒化アルミニウム、および／または二酸化珪素であってもよい。他の実施形態では、基板は炭化珪素であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図２】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図３】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図４】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図５】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図６】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図７】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図８】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図９】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図１０】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを示す断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図１３】本発明の他の実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図１５】本発明の他の実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図１６】本発明の他の実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図１７】本発明の他の実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図１８】本発明の他の実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００６０】
ここで、本発明の実施形態が示される添付の図面を参照して、以下で本発明がより完全に説明される。しかし、この発明は、本明細書に記載される実施形態に限定されるものと解釈されるべきでない。むしろ、これらの実施形態は、この開示が徹底的で、本発明の範囲を当業者に十分に伝えるように提供される。図面では、層および領域の厚さが、はっきりさせるために誇張されている。同様の番号は、全体を通して同様の要素を参照する。
【００６１】
理解されることであろうが、層、領域または基板のような要素が、別の要素の「上に」存在する又は「上に」延在すると言われるとき、その要素は、他方の要素の直ぐ上にあってもよく、または他の要素の直ぐ上へ延びてもよく、または、介在要素が存在してもよい。対照的に、ある要素が、別の要素の「直ぐ上に」存在する又は「直ぐ上に」延在すると言われるとき、介在する要素は存在しない。また、理解されることであろうが、ある要素が、別の要素に「接続」または「結合」されていると言われるとき、その要素は、他方の要素に直接に接続または結合されていてもよく、または介在要素が存在してもよい。対照
的に、ある要素が、別の要素に「直接に接続」または「直接に結合」されていると言われるとき、介在要素は存在しない。
【００６２】
また理解されることであろうが、第１、第２などの用語は、本明細書で、様々な要素を記述するために使用されることがあるが、これらの要素は、これらの用語によって限定されるべきでない。これらの用語は、１つの要素を別の要素と区別するために使用されだけである。例えば、本発明の範囲から逸脱することなく、第１の要素は第２の要素と呼ぶことができ、同様に、第２の要素は第１の要素と呼ぶことができたものである。
【００６３】
さらに、「より下の」または「最下部の」および「より上の」または「最上部の」などの相対的な用語が、図示されるように別の要素に対する１つの要素の関係を記述するために本明細書で使用されることがある。理解されることであろうが、相対的な用語は、図示された位置付けのほかに、デバイスの異なる位置付けを包含する意図である。例えば、１つの図のデバイスがひっくり返されると、他の要素の「より下の」側にあると記述された要素は、そのとき、他の要素の「より上の」側に位置付けされるだろう。したがって、「より下の」という例示的用語は、図の特定の位置付けに応じて、「より下の」と「より上の」の両方の位置付けを包含することができる。同様に、１つの図のデバイスがひっくり返されると、そのとき、他の要素「の下の」または「の真下の」と記述された要素は、他の要素「の上に」位置付けされるだろう。したがって、「の下の」または「の真下の」という例示的用語は、上と下の両方の位置付けを包含することができる。
【００６４】
本明細書において本発明の説明で使用される専門用語は、特定の実施形態を説明することのみを目的としており、本発明を限定する意図ではない。本発明の説明および添付の特許請求の範囲で使用されるとき、単数形（「ａ」、「ａｎ」、「ｔｈｅ」）は、文脈が明らかにそうではないと示さない限り、複数形も含むことが意図されている。また理解されることであろうが、本明細書で使用される用語「および／または」は、関連付けて列挙された項目の１つまたは複数の可能なすべての組み合わせを言及し、かつ包含する。さらに理解されることであろうが、用語「備える」、「含む」（「ｃｏｍｐｒｉｓｅ」）は、この明細書で使用されるとき、述べられた形体、完全体（ｉｎｔｅｇｅｒ）、ステップ、作業、要素、および／または部品の存在を明示するが、１つまたは複数の他の形体、完全体、ステップ、作業、要素、部品および／またはそれらのグループの存在または追加を排除しない。
【００６５】
本発明の実施形態は、本明細書で、本発明の理想化された実施形態（および中間構造（ｉｎｔｅｒｍｅｄｅｉａｔｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ））の模式図である断面図を参照して説明される。そのようなものとして、例えば製造技術および／または公差の結果としての図示の形からの変化は、予想されることである。したがって、本発明の実施形態は、本明細書に図示された領域の特定の形に限定されるように解釈されるべきでなく、例えば製造に起因する形のずれを含むものである。例えば、長方形として図示された注入領域は、一般に、注入領域から非注入領域への２値的な変化ではなく、縁部に、円形の若しくは湾曲した形体および／または注入濃度の勾配を有している。同様に、注入によって形成された埋め込み領域は、埋め込み領域と注入が行われた表面との間の領域にいくらかの注入をもたらす可能性がある。したがって、図示された領域は、本質的に模式的なものであり、それの形は、デバイスの領域の実際の形を図示する意図でなく、さらに、本発明の範囲を限定する意図でない。
【００６６】
別段の定めがない限り、技術的および科学的用語を含む、本発明の実施形態の開示で使用されるすべての用語は、本発明が属する分野の当業者によって一般的に理解されるのと同じ意味を有し、本発明が説明される時に知られている特定の定義に必ずしも限定されない。したがって、これらの用語は、そのような時の後でつくられる同等な用語を含むことができる。さらに理解されることであろうが、一般に使用される辞書で定義されるものなどの用語は、本明細書および関連技術の文脈での意味と一致した意味を有するものとして解釈されるべきであり、本明細書でそうであると明確に定義されなければ、理想化された
意味、または過度に形式的な意味で解釈されないだろう。本明細書で言及されるすべての出版物、特許出願、特許、その他の文献は、その全体が参照して組み込まれる。
【００６７】
本発明の実施形態は、ＩＩＩ族窒化物ベースのデバイスなどの窒化物ベースのＨＥＭＴで使用するのに特に適している可能性がある。本明細書で使用されるとき、「ＩＩＩ族窒化物」という用語は、窒素と周期律表のＩＩＩ族の元素、通常アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、および／またはインジウム（Ｉｎ）との間で形成される半導体化合物を意味する。また、この用語は、ＡｌＧａＮおよびＡｌＩｎＧａＮのような三元および四元化合物も意味する。当業者がよく理解しているように、ＩＩＩ族元素は、二元（例えば、ＧａＮ）、三元（例えば、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ）、および四元（例えば、ＡｌＩｎＧａＮ）化合物を形成するように窒素と結合することができる。これらの化合物は、すべて、１モルの窒素が合計１モルのＩＩＩ族元素と結合される実験式を有している可能性がある。したがって、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）のような式がこれらの化合物を記述するために使用されることがある。
【００６８】
本発明の実施形態を利用することができるＧａＮベースのＨＥＭＴの適切な構造は、特許文献３、および５〜７に記載されており、これらの開示は、参照してその全体が本明細書に組み込まれる。
【００６９】
（例えば、Ｘ帯域周波数範囲より高い）比較的高周波で動作するデバイス、特にミリ波無線周波（ＲＦ）デバイスには、最高電界および／または表面関連捕獲の最小化と、比較的小さなキャパシタンス値の維持との間にトレードオフが存在することがあるという認識から、本発明のいくつかの実施形態が生じる可能性がある。したがって、本発明のいくつかの実施形態は、（比較的小さなゲート抵抗および／または比較的小さなｃｇｄおよびｃｇｓなどの）Ｔゲートの優れた側面のいくつかと、（ゲート前パシベーションおよび／または最高電界減少など）ガンマゲートの優れた特性のいくつかとを兼ね備えるトランジスタデバイスを提供する。
【００７０】
図１から９は、本発明のいくつかの実施形態に従ってトランジスタデバイスを作製する方法における例示的な中間作製ステップを示す断面図である。ここで図１を参照すると、トランジスタデバイスがその上に形成されてもよい基板１０が用意される。チャネル層２０が基板１０上に形成され、障壁層２２がチャネル層２０上に形成されている。基板１０は、例えば４Ｈポリタイプの炭化珪素であってもよい半絶縁性炭化珪素（ＳｉＣ）基板であることがある。他の炭化珪素候補のポリタイプには、３Ｃ、６Ｈ、および１５Ｒポリタイプがある可能性がある。用語「半絶縁性」は、絶対的な意味ではなく、本明細書では記述的に使用される。本発明のいくつかの実施形態では、炭化珪素バルク結晶は、室温で約１×１０５Ω−ｃｍ以上の抵抗率を有することができる。
【００７１】
炭化珪素は、ＩＩＩ族窒化物デバイス用の一般的な基板材料である可能性のあるサファイア（Ａｌ２Ｏ３）よりも（チャネル層２０および／または障壁層２２で使用されることがある）ＩＩＩ族窒化物に対して遥かに近い結晶格子整合を有している。より近い格子整合によって、一般にサファイア上で利用可能なものよりも高品質のＩＩＩ族窒化物膜がもたらされる。炭化珪素は、また、比較的高い熱伝導率を有し、そのようなものとして、炭化珪素上に形成されたＩＩＩ族窒化物デバイスの全出力電力は、サファイアおよび／またはシリコン上に形成された同様なデバイスほど基板の熱散逸によって制限されない可能性がある。また、半絶縁性炭化珪素基板は、デバイス分離および寄生キャパシタンスの減少を可能にする可能性がある。本発明のいくつかの実施形態で使用されてもよい例示的ＳｉＣ基板は、本件特許出願人によって製造され、そのような基板を製造する方法は、例えば、特許文献８〜１１に記載され、これらの開示はその全体が参照して本明細書に組み込まれる。同様に、ＩＩＩ族窒化物のエピタキシャル成長の技術は、例えば、特許文献１２〜１５に開示されており、これらの開示は、また、参照してその全体が本明細書に組み込まれる。
【００７２】
理解されるべきことであるが、炭化珪素が基板として使用されてもよいが、本発明の実施形態は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、シリコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、ＬＧＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＬＡＯ、インジウム燐（ＩｎＰ）などの基板１０に適したどんな基板でも利用することができる。
【００７３】
随意の緩衝層、核形成層および／または遷移層（図示せず）もまた基板１０上に形成されてもよい。例えば、炭化珪素基板とデバイスの残りの部分との間に適切な結晶構造遷移を提供するためにＡｌＮ緩衝層を設けてもよい。さらに、特許文献１６及び１７に記載されているように、歪み平衡遷移層（ｓｔｒａｉｎ ｂａｌａｎｃｉｎｇ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）がまた設けられてもよい。これらの開示は、あたかも本明細書で完全に述べられたかのように参照して本明細書に組み込まれる。
【００７４】
依然として図１を参照すると、チャネル層２０が基板１０上に設けられている。チャネル層２０は、上で説明されたように緩衝層、遷移層および／または核形成層を使用して基板１０上に堆積されてもよい。チャネル層２０は圧縮歪みを受けていることがある。さらに、チャネル層２０および／または緩衝層、核形成層および／または遷移層は、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によって、または分子線ビームエピタキシ（ＭＢＥ）および／または水素化物気相エピタキシ（ＨＶＰＥ）などの当業者に知られている他の技術によって堆積されてもよい。本発明のいくつかの実施形態では、チャネル層２０は、ＧａＮなどのＩＩＩ族窒化物層であってもよい。チャネル層２０はまた、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）などの他のＩＩＩ族窒化物層を含んでもよい。チャネル層２０は、アンドープ（すなわち、「非意図的にドープされた」）であってもよく、約２０Åを超える厚さに成長されてもよい。チャネル層２０はまた、ＧａＮ、ＡｌＧａＮなどの超格子または組み合わせなどの多層構造であってもよい。
【００７５】
さらに図１に示されるように、障壁層２２がチャネル層２０上に形成される。例えば、障壁層２２は、チャネル層２０上に堆積されてもよい。障壁層２２は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）などのＩＩＩ族窒化物層であってもよい。障壁層２２は、また、ＡｌＩｎＧａＮ、ＡｌＮおよび／またはこれらの層の組み合わせなどの他のＩＩＩ族窒化物層も含んでもよい。障壁層２２は、例えば、厚さが約０．１ｎｍから約１００ｎｍであってもよいが、亀裂（ｃｒａｃｋｉｎｇ）または実質的な欠陥形成を生じさせるほど厚くてはいけない。本発明のある特定の実施形態では、障壁層２２は、高濃度ドープｎ型層であることがある。例えば、障壁層２２は、約１０１９ｃｍ−３未満の濃度にドープされることがある。
【００７６】
本発明のいくつかの実施形態は、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）に応用可能である可能性がある。より詳細には、チャネル層２０および障壁層２２は、チャネル層と障壁層との間の界面がヘテロ接合を画定するように異なるバンドギャップを有する材料から形成されてもよい。例えば、チャネル層２０は、障壁層２２のバンドギャップよりも小さなバンドギャップであってもよい。そのようなものとして、チャネル層２０の伝導帯端のエネルギーは、チャネル層２０と障壁層２２との間の接合での障壁層２２の伝導帯端のエネルギーよりも小さい可能性があり、さらにチャネル層２０は、障壁層２２よりも大きな電子親和力を有する可能性がある。例えば、チャネル層２０と障壁層２２の両方がＩＩＩ族窒化物層で形成される場合、チャネル層２０はＧａＮ層であってもよく、障壁層２２はＡｌＧａＮ層であってもよい。
【００７７】
本発明のある特定の実施形態に従った層の例は、特許文献６に記載されており、この開示は、あたかも本明細書で完全に述べられたかのように参照して本明細書に組み込まれる。本発明の特定の実施形態では、障壁層２２は、障壁層２２がオーミックコンタクト金属の下に埋め込まれているときに、チャネル層２０と障壁層２２との間の界面に分極効果によってかなりのキャリア濃度を誘起するのに十分な厚さ、Ａｌ成分、および／またはドーピングを有することができる。また、障壁層２２は、障壁層２２とその後で形成される保護層との間の界面に堆積されたイオン化不純物によるチャネル中の電子の散乱を減少させるか、または最小限にすることができるほど十分に厚くてもよい。
【００７８】
さらに、本発明の他の実施形態では、チャネル層２０および障壁層２２は、異なる格子定数を有してもよい。例えば、これら２つの層の間の界面で障壁層２２が「伸びる（ｓｔｒｅｃｈ）」ように、障壁層２２は、チャネル層２０よりも小さな格子定数を有する比較的薄い層であってもよい。したがって、擬似格子整合ＨＥＭＴ（ｐＨＥＭＴ）デバイスが実現されることがある。
【００７９】
図２は、障壁層２２上の保護層２４の形成を示している。保護層２４は、窒化珪素（ＳｉｘＮｙ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、および／または他の適切な保護材料などの誘電体材料であってもよい。また、他の材料が保護層２４に利用されてもよい。例えば、保護層２４は、また、酸化マグネシウム、酸化スカンジウム、酸化アルミニウムおよび／または酸窒化アルミニウムを含んでもよい。さらに、保護層２４は、単層であってもよく、または、均一組成および／または不均一組成の多層を含んでもよい。
【００８０】
保護層２４は、障壁層２２の上に一面に形成されてもよい。例えば、保護層２４は、高品質スパッタリングおよび／またはプラズマ増速化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）によって形成された窒化珪素（ＳｉＮ）層であってもよい。保護層２４は、約３０ｎｍの厚さである可能性があるが、他の厚さの層も利用されてもよい。例えば、保護層は、オーミックコンタクトの後のアニール中に下にある層を保護するように十分に厚くてもよい。そのような目的のために、２または３の単分子層程度の薄い層で十分である可能性がある。しかし、一般に、保護層２４は、約１０ｎｍから約５００ｎｍの厚さを有する可能性がある。また、高品質ＳｉＮ保護層は、ＩＩＩ族窒化物層のＭＯＣＶＤ成長と共にその場（ｉｎ−ｓｉｔｕ）成長されてもよい。
【００８１】
本発明の特定の実施形態では、保護層２４はＳｉＮであってもよい。ＳｉＮ保護層は、ＰＶＤおよび／またはＣＶＤによって形成されてもよく、圧縮または引っ張り歪みのために非化学量論的である可能性がある。例えば、ＳｉＮ保護層は、約−１００ＭＰａから約１００ＭＰａの応力を受ける可能性がある。本発明のある特定の実施形態では、ＳｉＮ保護層は、６３３ｎｍ波長で約１．６から約２．２の屈折率を有することがある。特定の実施形態では、ＳｉＮ保護層の屈折率は、１．９８±０．０５であることがある。
【００８２】
図３は、障壁層２２上へのオーミックコンタクト領域３０の形成を示している。ここで図３を参照すると、保護層２４は、障壁層２２の部分を露出させるようにパターニングされ、第１および第２のオーミックコンタクト領域３０が障壁層２２上に形成される。例えば、下にある障壁層２２を露出させるために、保護層２４に窓がエッチングされてもよい。この窓は、パターニングされたマスクと障壁層２２に対する低損傷エッチングとを利用して、エッチングされてもよい。低損傷エッチング技術の例には、誘導結合プラズマ、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）またはプラズマに対してＤＣ成分のない下流プラズマエッチング（ｄｏｗｎｓｔｒｅａｍ ｐｌａｓｍａ ｅｔｃｈｉｎｇ）などの、反応性イオンエッチング以外のエッチング技術が挙げられる。例えば、ＳｉＯ２障壁層に対しては、緩衝フッ化水素酸を用いたウェットエッチングが使用されてもよい。ＩＴＯ、ＳＣＯ、ＭｇＯなどのエッチング停止層に対するＳｉＮおよび／またはＳｉＯ２の選択エッチング、およびこれに続くエッチング停止層の低損傷除去が、行われてもよい。ＳｉＮ障壁層の場合、ＳｉＯ２がエッチング停止層として使用されてもよい。そのような実施形態では、保護層２４は、エッチング停止層だけでなくＳｉＮ層、ＡｌＮ層、および／またはＳｉＯ２層を含んでもよい。このように、本発明のある特定の実施形態では、保護層２４は多層を含むことができる。
【００８３】
依然として図３を参照すると、引き続いてフォトリソグラフィステップおよび蒸着を使用して、障壁層２２の露出部分にオーミック金属が形成される。オーミック金属は、保護層２４の窓よりも小さくなるようにパターニングされ、オーミック金属は第１および第２のオーミックコンタクト領域３０を形成するようにアニールされる。そのようなものとして、オーミックコンタクト領域３０の縁は近接した保護層２４から間隔を空けて配置される可能性がある。
【００８４】
アニールは、比較的高温のアニールであってもよい。例えば、アニールは、約９００℃を超える温度で行われてもよい。そのようなオーミックコンタクトアニールを使用することによって、オーミックコンタクト領域３０の抵抗は、比較的高抵抗から例えば約１Ω−ｍｍ未満に減少させることができる。したがって、本明細書で使用されるとき、用語「オーミックコンタクト」は、約１Ω−ｍｍ未満の接触抵抗を有する非整流性コンタクトを意味することができる。高温プロセスステップ中に保護層２４が存在することで、そのようなステップで生じることがある障壁層２２の損傷が減少し、かつ／または抑制されることがある。したがって、例えば、高温オーミックコンタクトアニール後のゲート領域２１（すなわち、オーミックコンタクト領域３０間のチャネルの長さ）のシート抵抗は、成長されたまま（すなわち、コンタクトアニール前）のゲート領域２１のシート抵抗と実質的に同じである可能性がある。
【００８５】
オーミックコンタクト領域３０は、オーミックコンタクト金属の形成および／またはパターニングでの位置合わせ不整合公差（ｍｉｓａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｔｏｒｅｌａｎｃｅ）を許容するのに十分な距離だけ保護層２４から間隔を空けて配置される可能性がある。例えば、オーミックコンタクト領域３０の端は、約０．１マイクロメートル（μｍ）から約０．２μｍの距離だけ保護層２４から間隔を空けて配置されることがある。その後の加熱ステップ中に金属が保護層２４に拡散する可能性を減少させるために、オーミック金属と保護層２４との接触を防ぐことが望ましい可能性があり、この金属拡散は、ゲートコンタクトとオーミックコンタクト領域３０との間のショートをもたらすことがある。しかし、オーミックコンタクト領域３０と保護層２４との間の隙間は、保護層２４の保護目的を駄目にするほど（かつ／またはデバイスの性能を実質的に悪くするほど）大きい必要はないが、オーミック材料と保護層２４との間の接触のおそれがあるほど小さくてはいけない。したがって、本発明のある特定の実施形態では、この隙間は、約０．１マイクロメートル（μｍ）から約０．５μｍの範囲であってもよい。
【００８６】
図４は、オーミックコンタクト領域３０および保護層２４の上への第２の層３１の形成を示している。第２の層３１は、保護層２４よりも小さな誘電率を有する誘電体層であってもよい。例えば、第２の層３１は、高温酸化物（ＨＴＯ）層などの高品質酸化物層であってもよい。また、第２の層３１は犠牲層であってもよく、この犠牲層は、後のステップで除去される可能性がある。例えば、第２の層３１は、フォトレジスト層であってもよい。また、第２の層３１は、ポリイミド層であってもよい。図４に示されるように、第２の層３１は、第２の層３１を貫通して保護層２４の一部を露出させる孔またはリセス３を含む。例えば、第２の層３１は、リセス３を形成するようにフォトリソグラフィでパターニングされてもよい。
【００８７】
図５は、保護層２４への開口または「窓」の形成を示し、その後のステップで、ここにゲート電極が形成されてもよい。図５に示されるように、開口４は、保護層２４を貫通して障壁層２２の一部を露出させるように形成される。より詳細には、開口４を形成するために、第２の層３１をマスクとして使用して保護層２４の露出部分がパターニングされる。障壁層２２の露出表面への低漏れショットキーゲートコンタクトの形成を容易にするために、上述のように、第２の層３１のリセス３によって露出された保護層２４の部分を、低損傷エッチング技術を使用して選択的にエッチングすることによって、開口４が形成されてもよい。留意されたいことであるが、保護層２４の開口４は、エッチングの等方性（すなわち、アンダーカット）のために第２の層３１のリセス３よりも広くなる可能性がある。特定の実施形態では、オーミックコンタクト３０はソースコンタクト及びドレインコンタクトを与えることができ、開口４が、したがってゲートコンタクトが、ドレインコンタクトよりもソースコンタクトに近くなるように、開口４がソースコンタクトとドレインコンタクトとの間で片寄っていることがある。
【００８８】
ここで図６を参照すると、第２の層３１のリセス３は、第１の開口４よりも広い第２の開口５を画定するように広くされる。そのようなものとして、第２の開口５は、第１の開口４と、第１の開口４の相対する側の保護層２４の表面部を露出させる。第２の層３１のリセス３は、第２の開口５と第１の開口４が自己整合されるように対称的に拡大されてもよい。例えば、第２の層３１が保護層２４と異なる材料で形成されている場合、第２の層３１のリセス３は、ウェットエッチング技術を使用して第２の層３１を選択的にエッチングすることによって広くされてもよい。より詳細には、第２の層３１が酸化物層である場合、リセス３は、緩衝酸化物エッチング液（ＢＯＥ）を使用して第２の層３１を選択的にエッチングして広くされてもよい。その上または代替的に、第２の層３１がフォトレジスト層である場合、酸素プラズマを使用して第２の層３１をアッシングし、かつ／または、例えば摂氏１００度（Ｃ）より高いが１５０度Ｃより低い温度で、デバイスをハードベークすることによって、このリセスが広くされてもよい。
【００８９】
したがって、図５および６に示されるように、第１の開口４を形成するために第２の層３１をマスクとして使用して、保護層２４が選択的にエッチングされてもよく、第２の層３１のリセス３は、第２の開口５を形成するように第１の開口４のまわりで選択的に広くされてもよい。そのようなものとして、第１の開口４と第２の開口５は自己整合される可能性がある。いくつかの実施形態では、第２の層３１は、保護層２４に対して選択的にエッチング可能などんな材料であってもよい。
【００９０】
図７は、ゲート電極３２の形成を示している。図７に示されるように、ゲート電極３２は、第２の開口５および第１の開口４に形成され、保護層２４を貫通して延在し、障壁層２２の露出部分に接触する。ゲート電極３２は、ゲート電極３２と保護層２４との間に隙間が形成されないように、保護層２４の対向する側壁に直接に接して第１の開口４に形成されてもよい。適切なゲート材料は、障壁層２４の組成に依存する可能性がある。しかし、ある特定の実施形態では、Ｎｉ、Ｐｔ、ＮｉＳｉｘ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、ＴａＮ、Ｗおよび／またはＷＳｉＮなどの、窒化物ベースの半導体材料に対してショットキーコンタクトを作ることができる従来の材料が使用されてもよい。
【００９１】
依然として図７を参照すると、ゲート電極３２の第１の部分６（「ウィング」または「サイドローブ」とも呼ばれる。）は、第１の開口４の外側に存在する保護層２４の表面部分で横方向に延在し、さらに、保護層２４から縦方向に間隔を空けて配置されたゲート電極３２の第２の部分７は、第２の開口５の外側に存在する第２の層３１の表面部分で横方向に延在している。本明細書で使用されるとき、用語「横方向」は、基板の表面に対して実質的に平行な方向を意味する。ゲート電極３２の第２の部分７は、第１の部分６を越えて横方向に延在してもよい。第１の開口４と第２の開口５は、これまで説明されたプロセスによって自己整合される可能性があるので、ゲート電極３２の第１の部分６が保護層２４上に延在する長さは、制御される可能性がある。そのようなものとして、本発明のいくつかの実施形態によると、ゲート電極３２の保護層２４上での延長によって生じる可能性があるトランジスタデバイスのゲート−ドレインキャパシタンス（ｃｇｄ）および／またはゲート−ソースキャパシタンス（ｃｇｓ）は、また、制御される可能性がある。したがって、自己整合サイドローブ６を備える修正ガンマゲート３２が形成される可能性がある。
【００９２】
図８は、犠牲的な第２の層３１の除去を示している。図８に示されるように、第２の層３１は、ゲート電極３２が形成された後に除去される。第２の層３１は、第２の層３１の組成に応じて従来の技術を使用して形成されてもよい。
【００９３】
図９は、パシベーション層３４の形成を示している。パシベーション層３４は、トランジスタデバイスのための環境保護を行うことができる。例えば、パシベーション層３４は、比較的厚い窒化物または比較的ローｋの封入層であってもよく、保護層２４の被覆率を改善するために形成されることがある。パシベーション層３４は、第２の層３１の除去後に、図８の構造の上に一面に堆積されてもよい。そのようなものとして、ゲート電極３２の第２の部分７は、パシベーション層３４の部分の上で横方向に延在する。特定の実施形態では、パシベーション層３４は、保護層２４とオーミックコンタクト３０との間の隙間を実質的に埋めるように堆積されることがある。本発明のある特定の実施形態では、パシベーション層３４は、窒化珪素、窒化アルミニウム、二酸化珪素、および／または酸窒化物であってもよい。さらに、パシベーション層３４は、均一組成および／または不均一組成の単層または多層であってもよい。
【００９４】
図１０は、本発明のさらなる実施形態に従った高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）デバイス１００を示す断面図である。図１０に示されるように、ＨＥＭＴデバイス１００のゲート電極３２は、保護層２４を貫通して延在し、障壁層２２に接触している。ゲート電極３２は、開口の外側に存在する保護層２４の表面部分で横方向に延在する第１の部分６と、パシベーション層３４によって保護層２４から縦方向に間隔を空けて配置され、かつパシベーション層３４の部分の上で第１の部分６を越えて横方向に延在する第２の部分７とを備える。言い換えると、ゲート電極３２の第１および第２の部分６および７は、階段状外形を画定している。ゲート電極３２の第２の部分７は、保護層２４から約１０００オングストローム（Å）から約６０００Åだけ間隔を空けて配置されてもよい。ゲート電極３２は、また、ゲート電極３２と保護層２４との間に隙間が存在しないように、保護層２４の開口の対向する側壁に直接に接して延びている。ゲート電極３２の第１の部分６は、また、保護層２４上に直接に形成されてもよい。
【００９５】
その上、（保護層２４の中の）第１の開口および（図６の第２の層３１の中の）第２の開口は、上述のプロセスによって自己整合される可能性があるので、第２の開口の幅（ＬＧ２として示される）は、第１の開口の幅のまわりに自己整合され、かつ対称である可能性があり、この第１の開口の幅がゲート長ＬＧ１を画定する。そのようなものとして、保護層２４の開口の形成に基づいて関心のある動作周波数を得るように、ゲート長ＬＧ１が調整されてもよい。例えば、ゲート長ＬＧ１は、約０．０５マイクロメートル（μｍ）から約２．０μｍであってもよい。その上、ゲート電極３２の第１の部分６が保護層２４の上に延在する長さΔＬＧは、また、上述のように犠牲的な第２の層の開口を広くすることによって制御されてもよい。ピークゲート−ドレイン電圧ＶＧＤに確実に耐え、かつゲート−ドレインキャパシタンスｃｇｄおよびゲート−ソースキャパシタンスｃｇｓを最小限にし、かつ／または減少させるように、保護層２４の厚さｄ１およびゲート電極３２の第１の部分の長さΔＬＧが最適化されてもよい。例えば、長さΔＬＧは約０．１マイクロメートル（μｍ）から約０．６μｍであってもよく、厚さｄ１は約３００オングストローム（Å）から約５０００Åであってもよい。その上、第１の開口を画定する保護層２４の側壁の角度Φは、また、例えば、約４５度から約９０度の間で最適化されてもよい。
【００９６】
上述のように、いくつかの実施形態では、保護層２４はＳｉＮであってもよく、障壁層２２はＡｌＧａＮであってもよく、さらにチャネル層２０はＧａＮであってもよい。上でも述べられたように、トランジスタ１００は、また、基板１０とチャネル層２０の間に核形成層１５を備える。
【００９７】
また、図１０は、オーミックコンタクト領域がソース／ドレインコンタクト領域３０であってもよいことを示している。保護層２４は、オーミックコンタクト領域と少なくともほぼ同じくらいの厚さに形成されてもよい。例えば、保護層２４は、約５００オングストローム（Å）から約５０００Åの範囲の厚さに形成されてもよい。その上、パシベーション層３４は、保護層２４とソース／ドレイン領域３０との間の隙間を実質的に埋めることができる。本発明のある特定の実施形態では、パシベーション層３４は、保護層２４と同じ材料で形成されてもよい。そのようなものとして、パシベーション層３４は、窒化珪素、窒化アルミニウム、二酸化珪素および／または酸窒化物であってもよい。さらに、パシベーション層３４は、均一組成および／または不均一組成の単層または多層であってもよい。
【００９８】
本発明の他の実施形態では、第２の層３１は犠牲層でなくてもよい。そのようなものとして、第２の層３１は除去されなくてもよく、パシベーション層３４は形成されなくてもよい。したがって、図７は、本発明の他の実施形態に従った高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）デバイスを示している。例えば、上で言及されたように、第２の層３１は誘電体層であってもよい。より詳細には、第２の層３１は、ＨＴＯ層および／または他の高品質酸化物層などの酸化物層であってもよく、さらに保護層２４は、高純度窒化物（ＨＰＮ）層などの窒化物層、および／または酸化物層に対して選択的にエッチング可能な他の保護層であってもよい。そのような酸化物層は、パシベーション層３４に比較して低不純物濃度および／または他の改善された電気的特性を実現することができる。したがって、本発明のさらなる実施形態は、図１１から１８を参照して説明される。
【００９９】
図１１から１８は、本発明のさらなる実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する方法における中間（ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ）作製ステップの例を示す断面図である。ここで図１１を参照すると、図１を参照して上で説明されたように、トランジスタデバイスが形成されてもよい基板１０に障壁層２２およびチャネル層２０が形成されてもよい。例えば、基板１０は、半絶縁性炭化珪素（ＳｉＣ）基板であってもよい。例えば、炭化珪素基板とデバイスの残りの部分との間に適切な結晶構造遷移をもたらすために、随意の緩衝層、核形成層および／または遷移層（図示せず）が基板１０上に形成されてもよい。チャネル層２０は、超格子等の単層または多層ＩＩＩ族窒化物層であってもよい。障壁層２２は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）などのＩＩＩ族窒化物層であってもよい。障壁層２２は、また、ＡｌＩｎＧａＮ、ＡｌＮおよび／またはこれらの層の組み合わせなどの他のＩＩＩ族窒化物層も備えてもよい。
【０１００】
チャネル層２０および障壁層２２は、チャネル層と障壁層との間の界面がヘテロ接合を画定するように、異なるバンドギャップを有する材料で形成されてもよい。より詳細には、チャネル層２０は、障壁層２２のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有してもよい。例えば、チャネル層２０及び障壁層２２の両方がＩＩＩ族窒化物層で形成されている場合、チャネル層２０はＧａＮ層であってもよく、障壁層２２はＡｌＧａＮ層であってもよい。さらに、チャネル層２０および障壁層２２は、異なる格子定数を有してもよい。例えば、それら２つの層の間の界面で障壁層２２が「伸びる」ように、障壁層２２は、チャネル層２０よりも小さな格子定数を有する比較的薄い層であってもよい。したがって、擬似格子整合ＨＥＭＴ（ｐＨＥＭＴ）デバイスが形成される可能性がある。
【０１０１】
依然として図１１を参照すると、保護層２４が障壁層２２上に形成されている。保護層２４は、窒化珪素（ＳｉｘＮｙ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、および／または他の適切な保護材料などの誘電体材料であってもよい。保護層２４は、単層であってもよく、または、均一組成および／または不均一組成の多層を含んでもよい。また、他の材料が保護層２４に利用されてもよい。
【０１０２】
本発明のいくつかの実施形態では、保護層２４は高純度窒化物（ＨＰＮ）層であってもよい。本明細書で説明されるように、ＨＰＮ層は、いくつかの他の窒化物層に比べてかなり低い全不純物レベルを有する窒化物層を意味することができる。より詳細には、ＨＰＮ層の不純物レベルは、一般に、ＰＥＣＶＤおよび／またはスパッタリングによって成長された窒化物層の不純物レベルよりも１桁から３桁小さい可能性がある。例えば、ＨＰＮは、Ｓｉ３Ｎ４層と下の層との界面だけでなく、Ｓｉ３Ｎ４層自体に比較的低い不純物濃度を有するほぼ化学量論的な窒化珪素（すなわち、Ｓｉ３Ｎ４）を意味することができる。これは、下の層と同じ反応炉でＨＰＮ層を堆積し、かつ本明細書でさらに述べられる条件を使用することによって、達成される可能性がある。
【０１０３】
例えば、保護層２４は、特許文献１８に記載されるような高純度ＳｉＮ層を含んでもよく、この開示は、あたかも本明細書で完全に述べられたかのように参照して本明細書に組み込まれる。ＳｉＮ層は、例えば、減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ）および／または有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によって形成されてもよい。特に、本発明のある特定の実施形態に従って、ＳｉＮ保護層２４は、ＩＩＩ族窒化物層のＭＯＣＶＤ成長と共にその場で（例えば、約７００℃より高い）比較的高温で成長されてもよい。例えば、チャネル層２０がＧａＮである場合、保護層２４は、ＩＩＩ族窒化物層の成長温度から基板１０を冷やすことなくＧａＮエピタキシャル反応炉で成長されてもよい。特定の実施形態では、ＳｉＮ層は、約９００℃から約１０００℃の範囲の温度で成長されてもよい。そのような高温成長はまた、ＳｉＮ層の不純物レベル、およびＩＩＩ族窒化物層とＳｉＮ層との間の界面の不純物レベルの減少を助長することができる。その上、ＳｉＮ層に組み込まれるバックグラウンド反応炉不純物（ｂａｃｋｇｒｏｕｎｄ ｒｅａｃｔｏｒ ｉｍｐｕｒｉｔｙ）のレベルの減少を助長することができる高成長速度が使用されてもよい。
【０１０４】
ＳｉＮ層のその場形成は、また、一番上のＩＩＩ族窒化物層の上面および／またはＳｉＮ層自体に組み込まれる不純物のレベルを減少させることができる。特に、デバイスが反応炉から取り出され、さらにＳｉＮ層が、例えばスパッタリングまたはＰＥＣＶＤのようなＭＯＣＶＤ後の成長プロセスによって形成されるとき、いくつかの異なるメカニズムで不純物が導入される可能性がある。例えば、特許文献１９に詳細に述べられているように、ＩＩＩ族窒化物層の成長中にＭＯＣＶＤ反応炉に水素が存在すると、成長に続く反応炉の冷却中に水素がＩＩＩ族窒化物層に混入する傾向がある可能性がある。同様に、反応炉から取り出してすぐにデバイスを大気にさらすと、酸素原子の混入が可能になる場合がある。さらに、デバイスの取り扱いおよび／またはデバイスの化学洗浄の結果として、特にデバイスの外側表面の近接に、様々な他の不純物が取り込まれる可能性がある。ウェットエッチング、電極堆積、アニーリングステップなどの成長後処理が、ＳｉＮ保護／パシベーション層の堆積前に行われる場合には、また、不純物が追加される可能性がある。望ましくない、かつ／または制御／再現し難い可能性のあるやり方で、これらの不純物は、ＩＩＩ族窒化物層とＳｉＮ層との間の界面の表面状態を変える可能性がある。例えば、不純物が存在することで、ＳｉＮ層と下のＩＩＩ族窒化物層との間の界面での捕獲（ｔｒａｐｐｉｎｇ）が増加し、それによってチャネルのシート抵抗が高くなることがある。
【０１０５】
本発明のある特定の実施形態では、窒化珪素層は、高純度シリコンガス（例えば、純度９９．９９％）供給源を使用して形成されてもよい。例えば、高純度シラン（ＳｉＨ４）が、ＳｉＮ層の成長で供給源ガスとして使用されてもよい。当業者には知られているように、シランは、ｎ型ドープＩＩＩ族窒化物層の成長において、シリコンドーパントの供給源としてしばしば使用される。一般に、希釈シランガスは、純粋シランよりも高価でなくかつ使用し易いので、そのような用途に使用され、純粋シランは非常に燃えやすい可能性がある。そのような純粋シランを使用することで、例えば、ＩＩＩ族窒化物層とＳｉＮ層との界面および／またはＳｉＮ層中の不純物のレベルを減少させることが容易になる可能性があり、このことは、ある特定の環境で、デバイスの性能および／または再現性を改善する可能性がある。特に、より高品質の（すなわち、より純粋な）ＳｉＮ層は、絶縁層の本体中の捕獲を減少させ、または最小限にするのに役立ち、それによってより高い破壊臨界電界を可能にする可能性がある。純粋ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）または他の純粋シリコンガス供給源が、高純度シラン（ＳｉＨ４）の代わりに使用されてもよい。そのような純粋シランガス供給源が反応炉に含まれるとき、例えばｎ型ドープまたはコドープ（ｃｏ−ｄｏｐｅｄ）ＩＩＩ族窒化物層の成長中に希釈シランガスをドーパントガス供給源として使用することができるように、希釈シラン供給源も含むことがいっそう望ましい可能性がある。
【０１０６】
いくつかの実施形態では、高純度ＳｉＮ層２４は、化学量論的である可能性がある。用語「化学量論」は、化学量論的化合物中の元素のモル比を意味することができる。そのような化学量論的化合物では、モル比は整数である。例えば、Ｓｉ３Ｎ４におけるシリコンおよび窒素の化学量論は、約３：４である。ＳｉＮ層の化学量論は、また、この層の屈折率に影響を及ぼす可能性がある。本発明のある特定の実施形態では、ＳｉＮ保護層２４は、６３３ｎｍの波長で約１．６から約２．２の屈折率を有することがある。化学量論的ＳｉＮは、また、緩衝酸化物エッチング液（ＢＯＥ）で比較的小さなエッチング速度を特徴とする可能性がある。例えば、化学量論的ＳｉＮのＢＯＥでのエッチング速度は、約１０オングストローム／分よりも小さいことがある。対照的に、ＰＥＣＶＤ窒化珪素は、約１００オングストローム／分のオーダのＢＯＥエッチング速度を有することがあり、スパッタ窒化珪素は、約１０００オングストローム／分以上のオーダのＢＯＥエッチング速度を有することがある。ＳｉＮ層の化学量論は、例えば、ＣＶＤプロセスにおいてＳｉＨ４およびＮＨ３の供給源ガスの相対的な流速を調整することによって、調整されてもよい。さらに、比較的高温で形成されるとき、ＣＶＤ成長のＳｉＮは化学量論的である傾向がある。
【０１０７】
本発明のいくつかの実施形態では、保護層２４は、その後の高温プロセスステップ時の障壁層２２への損傷を減少させ、かつ／または妨げるように、十分に厚いＨＰＮ層を含んでもよい。例えば、ＨＰＮ層２２は、約２００オングストローム（Å）から約２０００Åの厚さを有してもよい。さらに、保護層２４は、ＨＰＮおよび二酸化珪素（ＳｉＯ２）および／またはプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）窒化珪素（ＳｉＮ）の多層を含んでもよい。理解されることであろうが、用語「ＳｉｘＮｙ」、「ＳｉＮ」および「窒化珪素」は、本明細書では、化学量論的窒化珪素と非化学量論的窒化珪素の両方を意味するように交換可能に使用される。しかし、本発明の実施形態は、これらの例によって限定されず、例えば、どんなＨＰＮでも高品質誘電体保護層２４として使用されることがある。もっと一般的に、保護層２４の材料は、適切な界面特性を持つべきであり、比較的高温に耐えることができるべきであり、さらに、下にある障壁層２２を大きく損傷することなく除去可能であるべきである。
【０１０８】
図１２は、保護層２４上への酸化物層３３などの誘電体層の形成を示している。例えば、酸化物層３３は、約５００℃を超える温度の化学気相成長（ＣＶＤ）プロセスを使用して保護層２４上に堆積されてもよい。その上かつ／または代わりに、酸化物層３３は、その場形成されてもよい。酸化物層３３は、保護層２４の厚さよりも大きな厚さに形成されてもよい。例えば、酸化物層３３は、約３００オングストローム（Å）から約５０００Åの厚さを有してもよい。
【０１０９】
酸化物層３３はまた、保護層２４よりも小さな誘電率を有する可能性がある。例えば、酸化物層３３は、高温酸化物（ＨＴＯ）層等の高品質酸化物層であってもよい。高品質酸化物層３３は、約１．５未満の誘電定数または誘電率を有する可能性がある。さらに、高品質酸化物層３３は比較的低不純物濃度を有する可能性があり、これは例えば、二次イオン質量スペクトロスコピー（ＳＩＭＳ）分析によって測定されることがある。そのようなものとして、本発明のいくつかの実施形態に従った高品質酸化物層は、図１０のゲート後パシベーション層３４などのＰＥＣＶＤプロセスによって形成された層に比べて改善された電気特性を有している可能性がある。
【０１１０】
例えば、いくつかの実施形態では、ＨＴＯ層は、約９００℃の温度のＬＰＣＶＤプロセスで堆積された二酸化珪素（ＳｉＯ２）層であってもよい。この堆積のＬＰＣＶＤの性質によって、下の半導体層に及ぼすマイナスの影響を減らしながら、かつ／または最小限にしながら酸化物層３３を形成することができるようになることがある。さらに、堆積が比較的高温であることで、約８〜９ＭＶ／ｃｍの測定絶縁耐力（ｍｅａｓｕｒｅｄ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｓｔｒｅｎｇｔｈ）（すなわち、ＳｉＯ２の理論値の約８０〜９０％）を有する比較的高密度の酸化物層３３の形成が可能になることがある。
【０１１１】
本発明のある実施形態では、酸化物層３３は、化学量論的ＳｉＯ２であってもよい。このＳｉＯ２層は、６３３ｎｍの波長で約１．３６から約１．５６の屈折率を有することがある。特定の実施形態では、ＳｉＯ２保護層の屈折率は、偏光解析法で測定された場合に１．４６±０．０３であることがある。さらに、このＳｉＯ２層は、電荷、トラップ、および他の電気的に活性な非理想的性質（不純物）のレベルの減少を実現することができ、これは、ある特定の環境で、デバイスの性能および／または再現性を改善する可能性がある。特に、高品質の（すなわち、いっそう純粋な）ＳｉＯ２層は、絶縁層の本体中の捕獲を減少させるか、最小限にするのに役立ち、それによっていっそう高い破壊臨界電界を可能にする可能性がある。もっと一般的に、酸化物層３３は、ＨＥＭＴデバイスのゲート−ドレインおよび／またはゲート−ソースキャパシタンスを減少させるのに十分である可能性のある厚さ、不純物濃度、誘電率および／または他の特性を与えるように選ばれてもよい。
【０１１２】
ここで図１３を参照すると、酸化物層３３および保護層２４は、障壁層２２の部分を露出させるようにパターニングされている。例えば、保護層２４の第１および第２の部分を露出させるリセス９を画定するために、パターンニングされたマスク（図示せず）を利用して酸化物層３３がパターニングされてもよく、さらに、障壁層２２の部分を露出させる窓８を画定するために、酸化物層３３をマスクとして利用して保護層２４がパターニングされてもよい。より詳細には、酸化物層３３にリセス９を画定するためにドライエッチングプロセスが使用されてもよく、窓８を画定するように保護層２４を選択的にエッチングするために、低損傷ウェットエッチングプロセスが使用されてもよい。ＩＴＯ、ＳＣＯ、ＭｇＯなどのエッチング停止層までの保護層２４の選択エッチング、その後に続くエッチング停止層の低損傷除去が、また、行われてもよい。そのような実施形態では、保護層２４は、エッチング停止層だけでなくＳｉＮ層、ＡｌＮ層、および／またはＳｉＯ２層を含むことがある。あるいは、層３３と２４の両方が堆積された状態で、酸化物層３３と保護層２４の両方を通して単一ステップでエッチングするために、低損傷ドライエッチングが使用されてもよい。そのような低損傷エッチング技術の例には、誘導結合プラズマエッチングまたは電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）エッチングまたはプラズマに対してＤＣ成分のない下流プラズマエッチングなどの反応性イオンエッチング以外のエッチング技術がある可能性がある。
【０１１３】
また、いくつかの実施形態では、保護層２４は、酸化物層３３を形成する前に、障壁層２２の部分を露出させる窓８を画定するようにパターニングされてもよい。そのようなものとして、酸化物層は、保護層２４の上に、さらに障壁層２２の第１および第２の部分の上に形成されてもよい。酸化物層は、次に、障壁層２２の部分を露出させるリセス９を画定するようにパターニングされてもよい。リセス９は、保護層２４にエッチングされた窓８よりも狭くてもよい。そのようなものとして、保護層２４の窓８の側壁に沿って酸化物層３３の部分が残っている可能性がある。したがって、次のステップで、オーミックコンタクト領域が障壁層２２に形成されたとき、オーミックコンタクト領域と保護層２４との間に酸化物層３３が存在するために、オーミックコンタクト領域の縁は、近接した保護層２４から間隔を空けて配置されている可能性がある。
【０１１４】
図１４は、障壁層２４へのオーミックコンタクト３０の形成を示している。ここで図１４を参照すると、障壁層２２にオーミック金属領域を形成するために、窓８およびリセス９によって露出された障壁層２２の部分に、蒸着によって金属が堆積されもよい。適切な金属には、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、シリコン（Ｓｉ）、窒化チタンタングステン（ＴｉＷＮ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、レニウム（Ｒｅ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タングステンシリコン（ＷＳｉＮ）、白金（Ｐｔ）などの耐熱金属がある可能性がある。どんな不要な金属も、例えば溶媒を使用して除去されてもよい。オーミック金属領域は、保護層２４の窓よりも小さくなるようにパターニングされてもよく、さらに、第１および第２のオーミックコンタクト領域３０を形成するようにアニールされてもよい。そのようなものとして、オーミックコンタクト領域３０は、オーミックコンタクト金属の形成および／またはパターニングでの位置合わせ不良公差（ｍｉｓａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｔｏｌｅｒａｎｃｅ）を許容するのに十分な距離だけ保護層２４から間隔を空けて配置される可能性がある。例えば、オーミックコンタクト領域３０の縁は、約０．１マイクロメートル（μｍ）から約０．５μｍの距離だけ保護層２４から間隔を空けて配置されてもよい。
【０１１５】
依然として図１４を参照すると、アニールは比較的高温のアニールであってもよい。例えば、アニールは、約９００℃を超える温度で行われてもよい。そのようなオーミックコンタクトアニールを使用することによって、オーミックコンタクト領域３０の抵抗は、比較的高い抵抗から例えば約１Ω−ｍｍ未満に減少することがある。したがって、本明細書で使用されるとき、用語「オーミックコンタクト」は、約１Ω−ｍｍ未満の接触抵抗を有する非整流性コンタクトを意味することができる。高温プロセスステップ中に保護層２４が存在することで、そのようなステップで生じることがある障壁層２２への損傷が減少し、かつ／または妨げられる可能性がある。したがって、例えば、高温オーミックコンタクトアニール後のゲート領域２１（すなわち、オーミックコンタクト領域３０間のチャネル長さ）のシート抵抗は、成長されたまま（すなわち、コンタクトアニール前）のゲート領域２１のシート抵抗と実質的に同じである可能性がある。
【０１１６】
理解されることであろうが、いくつかの実施形態では、オーミックコンタクト３０を形成するために、堆積された金属をアニールすることは必要でないことがある。例えば、障壁層２２の注入ソース／ドレイン領域にオーミックコンタクト３０が形成される場合、金属は、堆積されたままでオーミックであることがある。コンタクトアニールは必要でない可能性があるので、オーミックコンタクト３０の金属が保護層２４に接触することは許容できることがある。したがって、本発明のいくつかの実施形態では、オーミックコンタクト３０が保護層２４から確実に間隔を空けて配置されるようにするために、さもなれれば、必要とされることがあるリソグラフィステップは、障壁層２２中への不純物注入の結果として、回避される可能性がある。その上、オーミックコンタクト３０は、注入領域に形成されてもよいので、このオーミックコンタクトは、非注入領域に形成されたオーミックコンタクトよりも低い抵抗率を有している可能性がある。したがって、本発明のいくつかの実施形態に従って形成されたデバイスのオン抵抗は、小さくなる可能性がある。さらに、本発明のいくつかの実施形態は、特許文献２０及び２１に述べられているような半導体作製方法を使用することができる。これらの開示は、参照してその全体が本明細書に組み込まれる。
【０１１７】
図１５は、酸化物層３３への孔またはリセス３の形成を示している。より詳細には、オーミックコンタクト３０および酸化物層３３の上にマスク（図示せず）が形成され、リセス３を形成するように酸化物層３３がパターニングされる。酸化物層３３は、例えば、上述のエッチング技術の１つによって選択的にパターニングされてもよい。リセス３は、酸化物層３３を貫通して延在し、保護層２４の一部を露出させる。
【０１１８】
図１６は、次のステップでゲート電極が形成されてもよい保護層２４の開口または「窓」の形成を示している。図１６に示されるように、開口４は、障壁層２２の一部を露出させるように保護層２４を貫通して形成される。より詳細には、開口４を形成するために、酸化物層３３をマスクとして使用して保護層２４の露出部分がパターニングされる。酸化物層３３のリセス３によって露出された保護層２４の部分を、上述のように低損傷エッチング技術を使用して選択的にエッチングすることによって、開口４は形成され、それによって、障壁層２２の露出表面への低漏れ（ｌｏｗ−ｌｅａｋａｇｅ）ショットキーゲートコンタクトの形成を容易にすることができる。留意されたいことであるが、このエッチングの等方性（すなわち、アンダーカット）のために、保護層２４の開口４は、酸化物層３３のリセス３よりも広くなる可能性がある。特定の実施形態では、オーミックコンタクト３０は、ソースコンタクトおよびドレインコンタクトを与えることができ、開口４が、また後でゲートコンタクトが、ドレインコンタクトよりもソースコンタクトに近くなるように、開口４は、ソースコンタクトとドレインコンタクトの間で片寄っていてもよい。
【０１１９】
理解されるべきことであるが、いくつかの実施形態では、障壁層２２を露出させるように酸化物層３３のリセス３および保護層２４の開口４を画定するために、酸化物層３３と保護層２４の両方を通して単一ステップでエッチングするように低損傷ドライエッチングが使用されてもよい。その上、いくつかの実施形態では、酸化物層３３および保護層２４は、単一マスクを使用してリセス３および９ならびに開口４および８を画定するようにパターニングされてもよい。もっと一般的には、いくつかのステップは、特定の中間作製ステップを参照して図示され、説明されたが、本発明の特定の実施形態では、組み合わされ、分割され、かつ／または削除されてもよい。
【０１２０】
ここで図１７を参照すると、酸化物層３３のリセス３は、第１の開口４よりも広い第２の開口５を画定するように広くされている。そのようなものとして、第２の開口５は、第１の開口４と、第１の開口４の相対する側の保護層２４の表面部分を露出させる。酸化物層３３のリセス３は、第２の開口５と第１の開口４が自己整合されるように対称的に広げられてもよい。例えば、酸化物層３３のリセス３は、緩衝酸化物エッチング液（ＢＯＥ）を使用して酸化物層３３を選択的にエッチングすることによって広くされてもよい。さらに、いくつかの実施形態では、オーミックコンタクト３０の形成で使用される酸化物層３３のリセス９は、また、緩衝酸化物エッチング液（ＢＯＥ）によって対称的に広げられてもよい。
【０１２１】
したがって、図１６および１７に示されるように、保護層２４は、第１の開口４を形成するために酸化物層３３をマスクとして使用して選択的にエッチングされてもよく、酸化物層３３のリセス３は、第２の開口５を形成するように第１の開口４のまわりに選択的に広くされてもよい。そのようなものとして、第１の開口４と第２の開口５は、自己整合される可能性がある。いくつかの実施形態では、酸化物層３３は、保護層２４に対して選択的にエッチングされる可能性のある他の高品質誘電体材料で形成されてもよい。
【０１２２】
図１８は、本発明のさらなる実施形態に従った高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）デバイス２００を実現するためのゲート電極３２の形成を示している。図１８に示されるように、オーミックコンタクト領域は、ソース／ドレインコンタクト領域３０であることがある。また、ゲート電極３２は、第２の開口５および第１の開口４に形成され、保護層２４を貫通して障壁層２２の露出部分に接触している。ゲート電極３２は、保護層２４とゲート電極３２の間に隙間が形成されないように、第１の開口の中の保護層２４の対向する側壁に直接に形成されてもよい。その上および／または代わりに、高品質二酸化珪素ライナまたは窒化物ライナなどの誘電体ライナ（図示せず）が、第１の開口の中の保護層２４の対向する側壁に形成されてもよい。金属−絶縁体−半導体（ＭＩＳ）ＨＥＭＴデバイスを形成するように、ゲート電極３２が誘電体ライナに直接に形成されてもよい。
【０１２３】
適切なゲート材料は、障壁層２４の組成に依存する可能性がある。しかし、ある特定の実施形態では、窒化物ベースの半導体材料に対してショットキーコンタクトを作ることができる従来の材料、Ｎｉ、Ｐｔ、ＮｉＳｉｘ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、ＴａＮ、Ｗおよび／またはＷＳｉＮなどが、使用されてもよい。さらに、いくつかの実施形態では、ゲート材料は、また、ゲート電極３２の形成中にソース／ドレインコンタクト領域３０に堆積されてもよい。より詳細には、ゲート材料は、保護層２４の第１の開口４の中に、および酸化物層３３の第２の開口５およびリセス９の中に堆積されてもよい。次に、ゲート材料は、ゲート材料の部分がリセス９のソース／ドレインコンタクト領域３０上に残ったままになるようなやり方でゲート電極３２を画定するように、パターニングされてもよい。ソース／ドレインコンタクト領域３０上にゲート材料（または、他の導電材料）を形成することで、例えばプローブアクセス（ｐｒｏｂｅ ａｃｃｅｓｓ）および／またはワイヤボンディングのために、比較的小さなソース／ドレインコンタクト領域３０への接触が容易になる可能性がある。
【０１２４】
依然として図１８を参照すると、ゲート電極３２の第１の部分６（「ウィング」または「サイドローブ」とも呼ばれる。）は、第１の開口４の外側に存在する保護層２４の表面部分で横方向に延在し、さらに保護層２４から縦方向に間隔を空けて配置されたゲート電極３２の第２の部分７は、第２の開口５の外側に存在する酸化物層３３の部分の上で横方向に延在している。本明細書で使用されるとき、用語「横方向」は、基板の表面に対して実質的に平行な方向を意味する。ゲート電極３２の第２の部分７は、第１の部分６を越えて横方向に延在してもよい。言い換えると、ゲート電極３２の第１および第２の部分６および７は、階段状外形を画定する。したがって、自己整合（ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎｅｄ）サイドローブ６を有する（ｍｏｄｉｆｉｅｄ）修正ガンマゲート３２が形成される可能性がある。
【０１２５】
また、図１８に示されるように、上述のように酸化物層３３の開口を広くすることによって、第１の開口４と第２の開口５は自己整合される可能性があるので、ゲート電極３２の第１の部分６が保護層２４上に延在する長さΔＬＧは制御される可能性がある。さらに、ゲート電極３２の第２の部分７は、酸化物層３３の厚さに基づいて、保護層２４から間隔を空けて配置される可能性がある。そのようなものとして、本発明のいくつかの実施形態によると、ゲート電極３２の保護層２４上への延長によって生じる可能性があるトランジスタデバイスのゲート−ドレインキャパシタンス（ｃｇｄ）および／またはゲート−ソースキャパシタンス（ｃｇｓ）もまた、制御される可能性がある。高品質酸化物層３３の比較的小さな誘電率は、ゲート−ドレインおよび／またはゲート−ソースキャパシタンスの減少にさらに寄与する可能性がある。
【０１２６】
ピークゲート−ドレイン電圧ＶＧＤに確実に耐えるように、かつ／またはゲート−ドレインキャパシタンスｃｇｄおよび／またはゲート−ソースキャパシタンスｃｇｓを最小限にしかつ／または減少させるように、保護層２４の厚さｄ１およびゲート電極３２の第１の部分の長さΔＬＧが、また、最適化されてもよい。例えば、長さΔＬＧは、約０．１マイクロメートル（μｍ）から約０．６μｍであってもよく、厚さｄ１は約２００オングストローム（Å）から約２０００Åであってもよい。さらに、酸化物層３３の厚さｄ２は、約５００オングストローム（Å）から約３０００Åであってもよい。第１の開口を画定する保護層２４の側壁の角度φは、また、例えば約４５度から約９０度の間で、最適化されてもよい。また、（ＬＧ２として示されている）第２の開口の幅は、ゲート長ＬＧ１を画定する第１の開口の幅のまわりに自己整合され、対称である。そのようなものとして、ゲート長ＬＧ１は、保護層２４への開口の形成に基づいて、関心のある動作周波数を得るように調整されてもよい。例えば、ゲート長ＬＧ１は、約０．０５マイクロメートル（μｍ）から約２．０μｍであってもよい。
【０１２７】
したがって、本発明のいくつかの実施形態は、Ｔゲートの肯定的特性の多くを誘電的に支持されたゲート電極、またはガンマゲートの肯定的特性と組み合わせることができる。したがって、自己整合ウィング／サイドローブを有する修正ガンマゲート構造が、比較的小さなゲート抵抗、比較的小さなゲート−ドレインおよび／またはゲート−ソースキャパシタンス、および比較的高い利得を有するように実現される。さらに、ゲート電極と保護層との間の隙間は、減少され、かつ／または生じないようにされる可能性があり、ピーク電界は減少される可能性がある。
【０１２８】
本発明の実施形態を特定のＨＥＭＴ構造を参照して本明細書で説明したが、本発明は、そのような構造に限定されるものと解釈すべきでなく、擬似格子整合ＨＥＭＴ（ｐＨＥＭＴ）（ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ ｐＨＥＭＴを含む）および／またはＧａＮ ＭＥＳＦＥＴなどの多くの異なるトランジスタ構造のゲート電極の形成に応用してもよい。より一般的に、ゲート電極が形成される可能性があり、かつ／または成長されたままの表面特性の維持が絶対必要である可能性がある電子デバイスのいずれにおいても、本発明の実施形態を応用してもよい。例えば、窒化珪素および／またはその他の除去可能な封入剤を、ＡｌＧａＮ金属−半導体−金属（ＭＳＭ）検出器、ＲＦリミッタダイオード構造、および／または電力スイッチングショットキーダイオードの作製シーケンスにおいて使用することが可能である。
【０１２９】
また、依然として本発明の教示の恩恵を受けながら、トランジスタデバイスに追加の層が含まれることがある。そのような追加の層には、例えば、非特許文献１または特許文献５に記載されるようなＧａＮキャップ層がある可能性があり、これらの開示は、あたかも本明細書で完全に述べられたかのように参照して組み込まれる。いくつかの実施形態では、ＳｉＮｘのような絶縁層、または比較的高品質のＡｌＮが、ＭＩＳＨＥＭＴを作るために、かつ／または表面にパシベーション膜を被せるために、堆積されることがある。これらの追加の層は、また、１つまたは複数の組成傾斜遷移層を含むことがある。さらに、上述の障壁層２２は多層を含むことがある。したがって、本発明の実施形態は、障壁層を単一層に限定するように解釈されるべきでなく、例えば、ＧａＮ層、ＡｌＧａＮ層および／またはＡｌＮ層の組み合わせを有する障壁層を含むことができる。例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ構造が、合金散乱を減少させ、または防ぐために利用されることがある。
【０１３０】
図面および明細書で本発明の代表的な実施形態が開示され、また、特定の用語が使用されたが、これらの用語は、一般的な記述的な意味でだけ使用され、限定する目的に使用されていない。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスに関し、より詳細には、トランジスタおよびそれに関連するデバイスを作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン（Ｓｉ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）等の材料は、比較的低電力用途の半導体デバイスに、また、Ｓｉの場合には比較的低周波用途の半導体デバイスに広く応用されている。しかし、これらの比較的一般的な半導体材料は、例えば比較的小さなバンドギャップ（例えば、室温で、Ｓｉの場合に１．１２ｅＶ、ＧａＡｓの場合に１．４２ｅＶ）および／または比較的小さな破壊電圧のために、大電力用途および／または高周波用途に十分に適していない可能性がある。
【０００３】
ＳｉおよびＧａＡｓで生じた問題を考慮して、大電力、高温および／または高周波用途およびデバイスに対する関心は、炭化珪素（アルファＳｉＣの場合、室温で２．９９６ｅＶ）およびＩＩＩ族窒化物（例えば、ＧａＮの場合、室温で３．３６ｅＶ）のようなワイドバンドギャップの半導体材料に向いている。これらの材料は一般に、ガリウム砒素および／またはシリコンに比べて高い電界破壊強度および高い電子飽和速度を有している可能性がある。
【０００４】
大電力および／または高周波用途において特に関心のあるデバイスは、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であり、これは変調ドープ型電界効果トランジスタ（ＭＯＤＦＥＴ）としても知られている。ＨＥＭＴデバイスでは、異なるバンドギャップエネルギーを有する２つの半導体材料のヘテロ接合に２次元電子ガス（２ＤＥＧ）に形成することができる。より小さいバンドギャップの材料は、より広いバンドギャップの材料よりも高い電子親和力を有する可能性がある。２ＤＥＧは、アンドープの（「非意図的にドープされた」）より小さなバンドギャップ材料内の蓄積層であり、例えば１０１３キャリア／ｃｍ２を超える比較的高いシート電子濃度を含むことができる。さらに、より広いバンドギャップの半導体で生じた電子が２ＤＥＧに移動して、イオン化不純物散乱の減少のために比較的高い電子移動度を可能にすることができる。比較的高いキャリア濃度と比較的高いキャリア移動度のこの組合せは、ＨＥＭＴに比較的大きなトランスコンダクタンスを与えることができ、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）に優る性能上の利点を高周波用途にもたらすことができる。
【０００５】
窒化ガリウム／窒化アルミニウムガリウム（ＧａＮ／ＡｌＧａＮ）材料系で作製された高電子移動度トランジスタは、比較的高い破壊電界、比較的広いバンドギャップ、比較的大きな伝導帯オフセット、および／または比較的高い飽和電子ドリフト速度等の材料特性の組合せのために、大量のＲＦ電力を生成することができる。２ＤＥＧ中の電子の大部分は、ＡｌＧａＮの分極に帰することができる。
【０００６】
ＧａＮ／ＡｌＧａＮ系のＨＥＭＴは、すでに実証されている。例えば、特許文献１および２には、ＡｌＧａＮ／ＧａＮのＨＥＭＴ構造および製造方法が記載されている。さらに特許文献３には、半絶縁性炭化珪素基板、この基板上の窒化アルミニウム緩衝層、この緩衝層上の絶縁性窒化ガリウム層、この窒化ガリウム層上の窒化アルミニウムガリウム障壁層、およびこの窒化アルミニウムガリウム活性構造上のパシベーション層を備えるＨＥＭＴデバイスが記載されている、特許文献３は、参照して本明細書に組み込まれる。さらに、参照して本明細書に組み込まれる特許文献４には、保護層を備えるＨＥＭＴデバイス、および／または、デバイスのオーミックコンタクトのアニール中に生じうるトランジスタのゲート領域の半導体に対する損傷を減少させることができる低損傷リセス（ｒｅｃｅｓｓ）作製技術を記載している。
【０００７】
ＨＥＭＴデバイスの作製における１つのステップは、ゲート電極の形成である。従来のゲート電極形成方法は、誘電体を堆積するステップと、マスクおよび／またはその他の犠牲層を使用して誘電体を貫通してエッチングするステップと、この誘電体のエッチングされた部分の中に（「Ｔゲート」と呼ばれる）Ｔ型ゲート電極を堆積するステップを含むことがある。しかし、そのような従来の方法では、誘電体エッチングの等方性のために、誘電体の縁とゲート電極との間に隙間が形成されることがある。このことは、デバイス動作にとって有害であることがある。というのは、この隙間によって露出する不動態化されていない半導体表面は、デバイス内で電流崩壊（ｃｕｒｒｅｎｔ ｃｏｌｌａｐｓｅ）および／またはドリフトを引き起こすことがあるからである。さらに、ゲート形成後にこの隙間にパシベーション層を形成することができるが、そのようなゲート後（ｐｏｓｔ−ｇａｔｅ）パシベーション層のパシベーション特性は、初期のゲート前（ｐｒｅ−ｇａｔｅ）誘電体のパシベーション特性よりも劣っていることがある。これは、ゲート前誘電体を比較的高温で形成できることに起因する可能性があり、この高温形成は、いったんゲートメタライゼーションが堆積されてしまうと実施可能でなくなる場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第５１９２９８７号明細書
【特許文献２】米国特許第５２９６３９５号明細書
【特許文献３】米国特許第６３１６７９３号明細書
【特許文献４】米国特許出願公開第ＵＳ２００５／０１７０５７４号明細書
【特許文献５】米国特許出願公開第２００２／００６６９０８Ａ１号明細書
【特許文献６】米国特許出願公開第２００２／０１６７０２３Ａ１号明細書
【特許文献７】米国特許出願第１０／６１７，８４３号明細書
【特許文献８】米国特許第Ｒｅ．３４，８６１号明細書
【特許文献９】米国特許第４，９４６，５４７号明細書
【特許文献１０】米国特許第５，２００，０２２号明細書
【特許文献１１】米国特許第６，２１８，６８０号明細書
【特許文献１２】米国特許第５，２１０，０５１号明細書
【特許文献１３】米国特許第５，３９３，９９３号明細書
【特許文献１４】米国特許第５，５２３，５８９号明細書
【特許文献１５】米国特許第５，２９２，５０１号明細書
【特許文献１６】米国特許公開第２００３／０１０２４８２Ａ１号明細書
【特許文献１７】米国仮特許出願第６０／３３７，６８７号明細書
【特許文献１８】米国特許出願第１１／２８６，８０５号明細書
【特許文献１９】米国特許第６，４９８，１１１号明細書
【特許文献２０】米国特許出願第１１／３０２，０６２号明細書
【特許文献２１】米国特許出願第１１／４３４，８５３号明細書
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｙｕ ｅｔ ａｌ．， “Ｓｃｈｏｔｔｋｙ ｂａｒｒｉｅｒ ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ ｉｎ ＩＩＩ−Ｖ ｎｉｔｒｉｄｅｓ ｖｉａ ｔｈｅ ｐｉｅｚｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｅｆｆｅｃｔ，” Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ， Ｖｏｌ． ７３， Ｎｏ． １３， １９９８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって、そのような隙間の形成を防ぐために、ゲート電極形成の他の方法が開発されてきた。例えば、誘電体のエッチングされた部分にゲート電極を形成するよりも前に、誘電体から、マスクおよび／またはその他の犠牲層を除去することができる。したがって、ゲート電極は誘電体のエッチングされた部分を完全に埋めることができ、誘電体表面の上に直接にゲート電極の「ウィング」またはサイドローブを形成することができる。そのようなゲート電極は、誘電的に支持された（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ−ｓｕｐｐｏｒｔｅｄ）Ｔゲートまたは「ガンマ」ゲートと呼ばれる。しかし、誘電体の部分がサイドローブと活性チャネルとの間にサンドイッチ状に挟まれることがあるので、ゲート−ドレインキャパシタンス（ｃｄｇ）および／またはゲート−ソースキャパシタンス（ｃｇｓ）が増加することがあり、これがデバイス性能に有害な影響を及ぼすことがある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のいくつかの実施形態によると、トランジスタを作製する方法は、基板上に保護層を形成することを含むことができる。保護層は、貫通する開口を備えることができる。ゲート電極は、この開口の中において、例えば保護層の対向する側壁に直接形成してもよい。ゲート電極の第１の部分は、開口の外側に存在する保護層の表面部分に横方向に延在してもよく、ゲート電極の第２の部分は、保護層から間隔を空けて配置してもよく、かつ第１の部分を越えて横方向に延在してもよい。
【００１２】
いくつかの実施形態では、ゲート電極が形成される前に、保護層上に第２の層が形成されてもよい。この第２の層は、前記第１の開口よりも広い、貫通する第２の開口を備えることができる。ゲート電極は、ゲート電極の第２の部分が、第２の開口の外側に存在する第２の層の表面部分に横方向に延在するように、第２の開口に形成されてもよい。
【００１３】
他の実施形態では、第２の層は、保護層よりも小さな誘電率を有する材料であってもよい。
いくつかの実施形態では、第２の層は、保護層上に形成されてもよく、かつ第２の層を貫通するリセスを含んでもよい。このリセスは、保護層の一部を露出させることができる。第２の層のリセスは、第１の開口を露出させ、かつ第１の開口の相対する側に保護層の表面部分を露出させる第２の開口を画定するように広くされてもよい。
【００１４】
他の実施形態では、保護層および第２の層は、異なる材料で形成されてもよい。第２の層のリセスを広げる前に、保護層を貫通する第１の開口を形成するために、保護層は、第２の層をマスクとして使用してパターニングされてもよい。第２の層のリセスは、第２の層のリセスを対称的に拡大することによって広くされてもよい。そのようなものとして、第２の開口と第１の開口は、自己整合される可能性がある。
【００１５】
いくつかの実施形態では、第２の層は、フォトレジスト層であってもよい。第２の層のリセスは、酸素プラズマを使用して第２の層をアッシング（ａａｓｈｉｎｇ）することによって、かつ／または基板をハードベークすること（ｈａｒｄ ｂａｋｉｎｇ）によって、広くされてもよい。他の実施形態では、第２の層は、ポリイミド層であってもよい。
【００１６】
他の実施形態では、第２の層は、犠牲層であってもよい。そのようなものとして、第２の層は、ゲート電極を形成した後で除去されてもよい。第２の層を除去した後で、パシベーション層が保護層およびゲート電極上に形成されてもよい。
【００１７】
さらに他の実施形態では、チャネル層が基板上に形成されてもよく、さらに、このチャネル層上に障壁層が形成されてもよい。保護層が障壁層上に形成されてもよい。ゲート電極は、保護層の開口を貫通して延在し、障壁層に接触するように形成されてもよい。チャネル層と障壁層の間の接合は、ヘテロ接合を画定してもよい。
【００１８】
いくつかの実施形態では、チャネル層は、障壁層よりも小さなバンドギャップを有してもよい。
【００１９】
他の実施形態では、第１と第２のオーミックコンタクト領域が、保護層に近接しかつ保護層から離間して障壁層上に形成されてもよい。そのようなものとして、保護層は、第１と第２のオーミックコンタクト領域の間にある可能性がある。障壁層の一部を露出させるように保護層をパターニングして、パターニングされた保護層に近接しかつパターニングされた保護層から離間されたオーミック金属領域を障壁層の露出された部分の上に形成し、さらにオーミック金属領域をアニールすることによって、第１と第２のオーミックコンタクト領域が形成されてもよい。
【００２０】
いくつかの実施形態では、障壁層は、ＩＩＩ族窒化物層で形成されてもよく、チャネル層は、アンドープＩＩＩ族窒化物層で形成されてもよい。例えば、障壁層は、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）で形成されてもよく、チャネル層は窒化ガリウム（ＧａＮ）で形成されてもよい。保護層は、窒化珪素（ＳｉＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、および／または二酸化珪素（ＳｉＯ２）などの誘電体材料であってもよい。
【００２１】
本発明のさらなる実施形態によると、トランジスタを作製する方法は、基板上に第１の層を形成することを含むことができる。第１の層は、誘電体材料であってもよい。この第１の層の上に第２の層が形成されてもよい。第２の層は、第１の層の一部を露出させる孔を備えてもよい。第１の層を貫通する第１の開口が、第２の層をマスクとして使用して形成されてもよい。第１の開口を形成した後で、第２の層の孔は、第２の開口を形成するように広くされてもよい。第２の開口は、第１の開口の相対する側の第１の層の表面部分に加えて、第１の開口も露出させることができる。ゲート電極が、第１および第２の開口に形成されてもよい。例えば、ゲート電極は、第１の開口の対向する側壁に直接に形成されてもよい。ゲート電極の第１の部分は、第１の開口の外側に存在する第１の層の表面部分に延在してもよく、ゲート電極の第２の部分は、第２の開口の外側に存在する第２の層の表面部分に延在してもよい。
【００２２】
いくつかの実施形態では、ゲート電極の第１の部分は、開口の外側に存在する第１の層の表面部分で横方向に延在してもよい。ゲート電極の第２の部分は、第２の開口の外側に存在する第２の層の表面部分で、ゲート電極の第１の部分を越えて横方向に延在してもよい。
【００２３】
他の実施形態では、第１の層および第２の層は、異なる材料で形成されてもよい。例えば、第１の層は、窒化珪素、窒化アルミニウム、および／または二酸化珪素などの誘電体材料で形成されてもよい。第２の層は、第１の層よりも小さな誘電率を有する材料で形成されてもよい。
【００２４】
いくつかの実施形態では、第２の層の孔は、第２の開口と第１の開口が自己整合されるように第２の層の孔を対称的に拡大することによって広くされてもよい。
【００２５】
他の実施形態では、第２の層は、フォトレジスト層であってもよい。第２の層の孔は、酸素プラズマを使用して第２の層をアッシングすることによって、かつ／または基板をハードベークすることによって、広くされてもよい。さらに他の実施形態では、第２の層は、ポリイミド層であってもよい。
【００２６】
いくつかの実施形態では、第１の層は、孔によって露出された第１の層の部分を、低損傷エッチング技術を使用して選択的にエッチングすることによって、第１の開口を形成するようにパターニングされてもよい。
【００２７】
他の実施形態では、第２の層の孔は、ウェットエッチングを使用して第２の層を選択的にエッチングすることによって、第２の開口を形成するように広くされてもよい。
【００２８】
いくつかの実施形態では、チャネル層が基板上に形成されてもよく、さらに障壁層がチャネル層上に形成されてもよい。第１の層は、障壁層上に形成されてもよい。ゲート電極は、第１の層の第１の開口を貫通して延在し、障壁層に接触するように形成されもよい。チャネル層と障壁層との間の接合は、ヘテロ接合を画定してもよい。
【００２９】
本発明の他の実施形態によると、トランジスタは、基板と、基板上の保護層と、ゲート電極とを備えることができる。保護層は、貫通する開口を備えてもよく、ゲート電極がこの開口の中にあってもよい。例えば、ゲート電極は、保護層の開口の対向する側壁に直接に接していてもよい。例えば、ゲート電極は、開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在する第１の部分と、保護層から離間され第１の部分を越えて横方向に延在する第２の部分とを備えることができる。
【００３０】
いくつかの実施形態では、トランジスタは、保護層上に第２の層を備えることができる。例えば、第２の層は、犠牲層であってもよい。第２の層は、保護層よりも小さな誘電率を有してもよい。第２の層は、第１の開口よりも広い貫通する第２の開口を備えてもよい。ゲート電極は、第２の開口の中にあってもよく、ゲート電極の第２の部分は、第２の開口の外側に存在する第２の層の部分で横方向に延在してもよい。第１および第２の開口は、階段状外形を画定してもよい。
【００３１】
他の実施形態では、トランジスタは、保護層およびゲート電極上にパシベーション層を備えることができる。保護層およびパシベーション層は、同じ材料で形成されてもよい。
【００３２】
さらに他の実施形態では、トランジスタは、基板上にチャネル層を、さらにチャネル層上に障壁層を備えることができる。保護層は障壁層上にあってもよい。ゲート電極は、障壁層に接触するように保護層の開口を貫通して延在してもよい。チャネル層および障壁層は、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を実現するように構成されてもよい。例えば、チャネル層と障壁層は異なる格子定数を有し、そのようなものとして、擬似格子整合ＨＥＭＴを形成してもよい。
【００３３】
いくつかの実施形態では、トランジスタは、第１および第２のオーミックコンタクト領域を障壁層上に備えることができる。第１および第２のオーミックコンタクト領域は、ゲート電極の相対する側に保護層から離間して配置されてもよい。
【００３４】
保護層は、オーミックコンタクト領域の厚さと少なくともほぼ同じ厚さを有してもよい。
【００３５】
他の実施形態では、障壁層はＩＩＩ族窒化物層であってもよく、チャネル層はアンドープＩＩＩ族窒化物層であってもよい。例えば、障壁層は、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）であってもよく、チャネル層は窒化ガリウム（ＧａＮ）であってもよい。保護層は誘電体材料であってもよい。例えば、保護層は、窒化珪素、窒化アルミニウム、および／または二酸化珪素であってもよい。他の実施形態では、基板は炭化珪素であってもよい。
【００３６】
本発明のいくつかの実施形態によると、トランジスタを作製する方法は、貫通する第１の開口を備える保護層を形成することを含むことができる。誘電体層が保護層の上に形成されてもよい。この誘電体層は、第１の開口よりも広い貫通する第２の開口を備えてもよい。ゲート電極の第１の部分が、第１の開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在し、かつゲート電極の第２の部分が、第２の開口の外側に存在する誘電体層の部分で第１の部分を越えて横方向に延在するように、ゲート電極は、第１および第２の開口に形成されてもよい。
【００３７】
いくつかの実施形態では、誘電体層は、保護層よりも小さな誘電率を有してもよい。例えば、誘電体層は、酸化物層であってもよい。より詳細には、誘電体層は、高温酸化物（ＨＴＯ）層であってもよく、保護層は、高純度窒化物（ＨＰＮ）層であってもよい。例えば、保護層は化学量論的窒化珪素であってもよく、誘電体層は二酸化珪素であってもよい。
【００３８】
他の実施形態では、誘電体層は、高品質酸化物層であってもよい。高品質酸化物層は、約１．５未満の誘電率を有していてもよい。
【００３９】
いくつかの実施形態では、誘電体層は、保護層の厚さよりも大きな厚さを有してもよい。例えば、誘電体層は、約５００オングストローム（Å）から約３０００Åの厚さを有してもよく、保護層は約２００Åから約２０００Åの厚さを有してもよい。誘電体層の厚さ及び／又は誘電率は、デバイスのゲート・ドレイン間キャパシタンス及び／又はゲート・ソース間キャパシタンスを低減するのに十分であってもよい。
【００４０】
他の実施形態では、誘電体層の形成は、化学気相成長（ＣＶＤ）プロセスを使用して保護層上に酸化物層を堆積させることを含んでもよい。酸化物層は、約５００℃を超える温度で堆積されてもよい。
【００４１】
いくつかの実施形態では、貫通する第２の開口を備える誘電体層の形成は、保護層の上に貫通するリセスを含む誘電体層を形成することを含んでもよい。このリセスは、保護層の一部を露出させてもよい。誘電体層内のリセスは、第２の開口を画定するように広くされてもよい。第２の開口は、第１の開口を露出させてもよく、さらに、第１の開口の相対する側に保護層の表面部分を露出させてもよい。
【００４２】
他の実施形態では、保護層および誘電体層は、異なる材料で形成されてもよい。したがって、誘電体層のリセスを拡大する前に、保護層を貫通する第１の開口を形成するために、誘電体層をマスクとして使用して保護層がパターニングされてもよい。
【００４３】
いくつかの実施形態では、誘電体層のリセスは、第２の開口と第１の開口が自己整合されるように、誘電体層のリセスを対称的に拡大することによって広くされてもよい。例えば、緩衝酸化物エッチング液（ＢＯＥ）などの保護層に対して選択的なウェット酸化物エッチング液を使用して誘電体層をエッチングすることによって、リセスが対称的に拡大されてもよい。
【００４４】
他の実施形態では、トランジスタを作製する方法は、チャネル層を形成することと、チャネル層上に障壁層を形成することとを含むことができる。保護層が障壁層の上に形成されてもよい。ゲート電極は、障壁層に接触するように保護層の第１の開口を貫通して形成されてもよい。チャネル層と障壁層の接合は、ヘテロ接合を画定してもよい。
【００４５】
いくつかの実施形態では、第１と第２のオーミックコンタクト領域は、保護層が第１と第２のオーミックコンタクト領域の間にあるように、保護層に近接しかつ保護層から離間して障壁層上に形成されてもよい。より詳細には、誘電体層および保護層は、障壁層の第１および第２の部分を露出させるようにパターニングされてもよい。誘電体層および保護層をパターニングした後で、第１および第２のオーミックコンタクト領域が、パターニングされた保護層に近接しかつこの保護層から離間して障壁層の第１および第２の部分にそれぞれ形成されてもよい。第１および第２のオーミック金属領域をアニールして、第１および第２のオーミックコンタクトを形成してもよい。
【００４６】
他の実施形態では、誘電体層を形成する前に、障壁層の第１および第２の部分を露出させるように保護層がパターニングされてもよい。誘電体層は、保護層の上に、および障壁層の第１および第２の部分の上に形成されてもよい。障壁層の第１および第２の部分をそれぞれ露出させる第１および第２のリセスを誘電体層に画定するように、誘電体層がパターニングされてもよい。さらに、誘電体層の第１および第２のリセスは、緩衝酸化物エッチング液（ＢＯＥ）などのウェット酸化物エッチング液を使用して対称的に拡大されてもよい。
【００４７】
いくつかの実施形態では、誘電体層は、保護層の第１および第２の部分を露出させるようにパターニングされてもよい。保護層は、障壁層の第１および第２の部分を露出させるために、誘電体層をマスクとして使用してパターニングされてもよい。
【００４８】
他の実施形態では、ゲート電極は、第１の開口の中の保護層の対向する側壁に直接形成されてもよい。
【００４９】
いくつかの実施形態では、第１の開口の中の保護層の対向する側壁に誘電体ライナ（ｌｉｎｅｒ）が形成されてもよい。例えば、誘電体ライナは、二酸化珪素ライナまたは窒化物ライナであってもよい。誘電体ライナを形成した後で、ゲート電極が、第１の開口の中の誘電体ライナに直接に形成されてもよい。
【００５０】
いくつかの実施形態では、障壁層は、ＩＩＩ族窒化物層で形成されてもよく、チャネル層は、アンドープＩＩＩ族窒化物層で形成されてもよい。例えば、障壁層は、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）で形成されてもよく、チャネル層は窒化ガリウム（ＧａＮ）で形成されてもよい。保護層は、窒化珪素（ＳｉＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、および／または二酸化珪素（ＳｉＯ２）などの誘電体材料であってもよい。
【００５１】
本発明のさらなる実施形態によると、トランジスタは、貫通する第１の開口を備える保護層と、保護層上の誘電体層とを備えることができる。誘電体層は、第１の開口よりも広い貫通する第２の開口を備えてもよい。トランジスタはまた、第１および第２の開口にゲート電極を含んでもよい。ゲート電極は、第１の開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在する第１の部分と、第２の開口の外側に存在する誘電体層の部分で第１の部分を越えて横方向に延在する第２の部分とを含んでもよい。例えば、第１および第２の開口は、階段状外形を画定してもよい。
【００５２】
いくつかの実施形態では、誘電体層と保護層は異なる材料で形成されてもよい。誘電体層は、保護層よりも小さな誘電率を有してもよい。例えば、誘電体層は、酸化物層であってもよい。より詳細には、誘電体層は、高温酸化物（ＨＴＯ）層であってもよく、保護層は、高純度窒化物（ＨＰＮ）層であってもよい。例えば、保護層は化学量論的窒化珪素であってもよく、誘電体層は二酸化珪素であってもよい。
【００５３】
他の実施形態では、誘電体層は、高品質酸化物層であってもよい。高品質酸化物層は、約１．５未満の誘電率を有してもよい。
【００５４】
さらに他の実施形態では、誘電体層は、保護層の厚さよりも大きな厚さを有してもよい。例えば、誘電体層は、約５００オングストローム（Å）から約３０００Åの厚さを有してもよく、保護層は約２００Åから約２０００Åの厚さを有してもよい。誘電体層の厚さおよび／または誘電率は、デバイスのゲート−ドレインおよび／またはゲート−ソースキャパシタンスを減少させるのに十分であってもよい。
【００５５】
いくつかの実施形態では、トランジスタは、チャネル層と、チャネル層上の障壁層とをさらに備えることができる。保護層は障壁層上にあってもよく、ゲート電極は、保護層の第１の開口を貫通して障壁層に接触してもよい。チャネル層および障壁層は、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を実現するように構成されてもよい。例えば、チャネル層と障壁層は異なる格子定数を有し、そのようなものとして、擬似格子整合ＨＥＭＴを実現してもよい。
【００５６】
他の実施形態では、トランジスタは、ゲート電極の相対する側の障壁層上に保護層から間隔を空けて配置された第１および第２のオーミックコンタクト領域を備えることができる。例えば、誘電体層は、第１および第２のオーミックコンタクト領域と保護層との間に延在することがある。
【００５７】
いくつかの実施形態では、ゲート電極は、保護層の第１の開口の対向する側壁に直接に接してもよい。
他の実施形態では、誘電体ライナは、第１の開口の中で、保護層の側壁とゲート電極との間に延在してもよい。ゲート電極は、誘電体ライナに直接接していてもよい。
【００５８】
いくつかの実施形態では、障壁層は、ＩＩＩ族窒化物層であってもよく、チャネル層は、アンドープＩＩＩ族窒化物層であってもよい。例えば、障壁層は、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）であってもよく、チャネル層は窒化ガリウム（ＧａＮ）であってもよい。保護層は、また、誘電体材料であってもよい。例えば、保護層は、窒化珪素、窒化アルミニウム、および／または二酸化珪素であってもよい。他の実施形態では、基板は炭化珪素であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図２】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図３】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図４】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図５】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図６】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図７】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図８】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図９】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図１０】本発明のいくつかの実施形態に従ったトランジスタデバイスを示す断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図１３】本発明の他の実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図１５】本発明の他の実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図１６】本発明の他の実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図１７】本発明の他の実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【図１８】本発明の他の実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する作業の中間作製ステップを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００６０】
ここで、本発明の実施形態が示される添付の図面を参照して、以下で本発明がより完全に説明される。しかし、この発明は、本明細書に記載される実施形態に限定されるものと解釈されるべきでない。むしろ、これらの実施形態は、この開示が徹底的で、本発明の範囲を当業者に十分に伝えるように提供される。図面では、層および領域の厚さが、はっきりさせるために誇張されている。同様の番号は、全体を通して同様の要素を参照する。
【００６１】
理解されることであろうが、層、領域または基板のような要素が、別の要素の「上に」存在する又は「上に」延在すると言われるとき、その要素は、他方の要素の直ぐ上にあってもよく、または他の要素の直ぐ上へ延びてもよく、または、介在要素が存在してもよい。対照的に、ある要素が、別の要素の「直ぐ上に」存在する又は「直ぐ上に」延在すると言われるとき、介在する要素は存在しない。また、理解されることであろうが、ある要素が、別の要素に「接続」または「結合」されていると言われるとき、その要素は、他方の要素に直接に接続または結合されていてもよく、または介在要素が存在してもよい。対照
的に、ある要素が、別の要素に「直接に接続」または「直接に結合」されていると言われるとき、介在要素は存在しない。
【００６２】
また理解されることであろうが、第１、第２などの用語は、本明細書で、様々な要素を記述するために使用されることがあるが、これらの要素は、これらの用語によって限定されるべきでない。これらの用語は、１つの要素を別の要素と区別するために使用されだけである。例えば、本発明の範囲から逸脱することなく、第１の要素は第２の要素と呼ぶことができ、同様に、第２の要素は第１の要素と呼ぶことができたものである。
【００６３】
さらに、「より下の」または「最下部の」および「より上の」または「最上部の」などの相対的な用語が、図示されるように別の要素に対する１つの要素の関係を記述するために本明細書で使用されることがある。理解されることであろうが、相対的な用語は、図示された位置付けのほかに、デバイスの異なる位置付けを包含する意図である。例えば、１つの図のデバイスがひっくり返されると、他の要素の「より下の」側にあると記述された要素は、そのとき、他の要素の「より上の」側に位置付けされるだろう。したがって、「より下の」という例示的用語は、図の特定の位置付けに応じて、「より下の」と「より上の」の両方の位置付けを包含することができる。同様に、１つの図のデバイスがひっくり返されると、そのとき、他の要素「の下の」または「の真下の」と記述された要素は、他の要素「の上に」位置付けされるだろう。したがって、「の下の」または「の真下の」という例示的用語は、上と下の両方の位置付けを包含することができる。
【００６４】
本明細書において本発明の説明で使用される専門用語は、特定の実施形態を説明することのみを目的としており、本発明を限定する意図ではない。本発明の説明および添付の特許請求の範囲で使用されるとき、単数形（「ａ」、「ａｎ」、「ｔｈｅ」）は、文脈が明らかにそうではないと示さない限り、複数形も含むことが意図されている。また理解されることであろうが、本明細書で使用される用語「および／または」は、関連付けて列挙された項目の１つまたは複数の可能なすべての組み合わせを言及し、かつ包含する。さらに理解されることであろうが、用語「備える」、「含む」（「ｃｏｍｐｒｉｓｅ」）は、この明細書で使用されるとき、述べられた形体、完全体（ｉｎｔｅｇｅｒ）、ステップ、作業、要素、および／または部品の存在を明示するが、１つまたは複数の他の形体、完全体、ステップ、作業、要素、部品および／またはそれらのグループの存在または追加を排除しない。
【００６５】
本発明の実施形態は、本明細書で、本発明の理想化された実施形態（および中間構造（ｉｎｔｅｒｍｅｄｅｉａｔｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ））の模式図である断面図を参照して説明される。そのようなものとして、例えば製造技術および／または公差の結果としての図示の形からの変化は、予想されることである。したがって、本発明の実施形態は、本明細書に図示された領域の特定の形に限定されるように解釈されるべきでなく、例えば製造に起因する形のずれを含むものである。例えば、長方形として図示された注入領域は、一般に、注入領域から非注入領域への２値的な変化ではなく、縁部に、円形の若しくは湾曲した形体および／または注入濃度の勾配を有している。同様に、注入によって形成された埋め込み領域は、埋め込み領域と注入が行われた表面との間の領域にいくらかの注入をもたらす可能性がある。したがって、図示された領域は、本質的に模式的なものであり、それの形は、デバイスの領域の実際の形を図示する意図でなく、さらに、本発明の範囲を限定する意図でない。
【００６６】
別段の定めがない限り、技術的および科学的用語を含む、本発明の実施形態の開示で使用されるすべての用語は、本発明が属する分野の当業者によって一般的に理解されるのと同じ意味を有し、本発明が説明される時に知られている特定の定義に必ずしも限定されない。したがって、これらの用語は、そのような時の後でつくられる同等な用語を含むことができる。さらに理解されることであろうが、一般に使用される辞書で定義されるものなどの用語は、本明細書および関連技術の文脈での意味と一致した意味を有するものとして解釈されるべきであり、本明細書でそうであると明確に定義されなければ、理想化された
意味、または過度に形式的な意味で解釈されないだろう。本明細書で言及されるすべての出版物、特許出願、特許、その他の文献は、その全体が参照して組み込まれる。
【００６７】
本発明の実施形態は、ＩＩＩ族窒化物ベースのデバイスなどの窒化物ベースのＨＥＭＴで使用するのに特に適している可能性がある。本明細書で使用されるとき、「ＩＩＩ族窒化物」という用語は、窒素と周期律表のＩＩＩ族の元素、通常アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、および／またはインジウム（Ｉｎ）との間で形成される半導体化合物を意味する。また、この用語は、ＡｌＧａＮおよびＡｌＩｎＧａＮのような三元および四元化合物も意味する。当業者がよく理解しているように、ＩＩＩ族元素は、二元（例えば、ＧａＮ）、三元（例えば、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ）、および四元（例えば、ＡｌＩｎＧａＮ）化合物を形成するように窒素と結合することができる。これらの化合物は、すべて、１モルの窒素が合計１モルのＩＩＩ族元素と結合される実験式を有している可能性がある。したがって、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１）のような式がこれらの化合物を記述するために使用されることがある。
【００６８】
本発明の実施形態を利用することができるＧａＮベースのＨＥＭＴの適切な構造は、特許文献３、および５〜７に記載されており、これらの開示は、参照してその全体が本明細書に組み込まれる。
【００６９】
（例えば、Ｘ帯域周波数範囲より高い）比較的高周波で動作するデバイス、特にミリ波無線周波（ＲＦ）デバイスには、最高電界および／または表面関連捕獲の最小化と、比較的小さなキャパシタンス値の維持との間にトレードオフが存在することがあるという認識から、本発明のいくつかの実施形態が生じる可能性がある。したがって、本発明のいくつかの実施形態は、（比較的小さなゲート抵抗および／または比較的小さなｃｇｄおよびｃｇｓなどの）Ｔゲートの優れた側面のいくつかと、（ゲート前パシベーションおよび／または最高電界減少など）ガンマゲートの優れた特性のいくつかとを兼ね備えるトランジスタデバイスを提供する。
【００７０】
図１から９は、本発明のいくつかの実施形態に従ってトランジスタデバイスを作製する方法における例示的な中間作製ステップを示す断面図である。ここで図１を参照すると、トランジスタデバイスがその上に形成されてもよい基板１０が用意される。チャネル層２０が基板１０上に形成され、障壁層２２がチャネル層２０上に形成されている。基板１０は、例えば４Ｈポリタイプの炭化珪素であってもよい半絶縁性炭化珪素（ＳｉＣ）基板であることがある。他の炭化珪素候補のポリタイプには、３Ｃ、６Ｈ、および１５Ｒポリタイプがある可能性がある。用語「半絶縁性」は、絶対的な意味ではなく、本明細書では記述的に使用される。本発明のいくつかの実施形態では、炭化珪素バルク結晶は、室温で約１×１０５Ω−ｃｍ以上の抵抗率を有することができる。
【００７１】
炭化珪素は、ＩＩＩ族窒化物デバイス用の一般的な基板材料である可能性のあるサファイア（Ａｌ２Ｏ３）よりも（チャネル層２０および／または障壁層２２で使用されることがある）ＩＩＩ族窒化物に対して遥かに近い結晶格子整合を有している。より近い格子整合によって、一般にサファイア上で利用可能なものよりも高品質のＩＩＩ族窒化物膜がもたらされる。炭化珪素は、また、比較的高い熱伝導率を有し、そのようなものとして、炭化珪素上に形成されたＩＩＩ族窒化物デバイスの全出力電力は、サファイアおよび／またはシリコン上に形成された同様なデバイスほど基板の熱散逸によって制限されない可能性がある。また、半絶縁性炭化珪素基板は、デバイス分離および寄生キャパシタンスの減少を可能にする可能性がある。本発明のいくつかの実施形態で使用されてもよい例示的ＳｉＣ基板は、本件特許出願人によって製造され、そのような基板を製造する方法は、例えば、特許文献８〜１１に記載され、これらの開示はその全体が参照して本明細書に組み込まれる。同様に、ＩＩＩ族窒化物のエピタキシャル成長の技術は、例えば、特許文献１２〜１５に開示されており、これらの開示は、また、参照してその全体が本明細書に組み込まれる。
【００７２】
理解されるべきことであるが、炭化珪素が基板として使用されてもよいが、本発明の実施形態は、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、シリコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、ＬＧＯ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＬＡＯ、インジウム燐（ＩｎＰ）などの基板１０に適したどんな基板でも利用することができる。
【００７３】
随意の緩衝層、核形成層および／または遷移層（図示せず）もまた基板１０上に形成されてもよい。例えば、炭化珪素基板とデバイスの残りの部分との間に適切な結晶構造遷移を提供するためにＡｌＮ緩衝層を設けてもよい。さらに、特許文献１６及び１７に記載されているように、歪み平衡遷移層（ｓｔｒａｉｎ ｂａｌａｎｃｉｎｇ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）がまた設けられてもよい。これらの開示は、あたかも本明細書で完全に述べられたかのように参照して本明細書に組み込まれる。
【００７４】
依然として図１を参照すると、チャネル層２０が基板１０上に設けられている。チャネル層２０は、上で説明されたように緩衝層、遷移層および／または核形成層を使用して基板１０上に堆積されてもよい。チャネル層２０は圧縮歪みを受けていることがある。さらに、チャネル層２０および／または緩衝層、核形成層および／または遷移層は、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によって、または分子線ビームエピタキシ（ＭＢＥ）および／または水素化物気相エピタキシ（ＨＶＰＥ）などの当業者に知られている他の技術によって堆積されてもよい。本発明のいくつかの実施形態では、チャネル層２０は、ＧａＮなどのＩＩＩ族窒化物層であってもよい。チャネル層２０はまた、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）などの他のＩＩＩ族窒化物層を含んでもよい。チャネル層２０は、アンドープ（すなわち、「非意図的にドープされた」）であってもよく、約２０Åを超える厚さに成長されてもよい。チャネル層２０はまた、ＧａＮ、ＡｌＧａＮなどの超格子または組み合わせなどの多層構造であってもよい。
【００７５】
さらに図１に示されるように、障壁層２２がチャネル層２０上に形成される。例えば、障壁層２２は、チャネル層２０上に堆積されてもよい。障壁層２２は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）などのＩＩＩ族窒化物層であってもよい。障壁層２２は、また、ＡｌＩｎＧａＮ、ＡｌＮおよび／またはこれらの層の組み合わせなどの他のＩＩＩ族窒化物層も含んでもよい。障壁層２２は、例えば、厚さが約０．１ｎｍから約１００ｎｍであってもよいが、亀裂（ｃｒａｃｋｉｎｇ）または実質的な欠陥形成を生じさせるほど厚くてはいけない。本発明のある特定の実施形態では、障壁層２２は、高濃度ドープｎ型層であることがある。例えば、障壁層２２は、約１０１９ｃｍ−３未満の濃度にドープされることがある。
【００７６】
本発明のいくつかの実施形態は、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）に応用可能である可能性がある。より詳細には、チャネル層２０および障壁層２２は、チャネル層と障壁層との間の界面がヘテロ接合を画定するように異なるバンドギャップを有する材料から形成されてもよい。例えば、チャネル層２０は、障壁層２２のバンドギャップよりも小さなバンドギャップであってもよい。そのようなものとして、チャネル層２０の伝導帯端のエネルギーは、チャネル層２０と障壁層２２との間の接合での障壁層２２の伝導帯端のエネルギーよりも小さい可能性があり、さらにチャネル層２０は、障壁層２２よりも大きな電子親和力を有する可能性がある。例えば、チャネル層２０と障壁層２２の両方がＩＩＩ族窒化物層で形成される場合、チャネル層２０はＧａＮ層であってもよく、障壁層２２はＡｌＧａＮ層であってもよい。
【００７７】
本発明のある特定の実施形態に従った層の例は、特許文献６に記載されており、この開示は、あたかも本明細書で完全に述べられたかのように参照して本明細書に組み込まれる。本発明の特定の実施形態では、障壁層２２は、障壁層２２がオーミックコンタクト金属の下に埋め込まれているときに、チャネル層２０と障壁層２２との間の界面に分極効果によってかなりのキャリア濃度を誘起するのに十分な厚さ、Ａｌ成分、および／またはドーピングを有することができる。また、障壁層２２は、障壁層２２とその後で形成される保護層との間の界面に堆積されたイオン化不純物によるチャネル中の電子の散乱を減少させるか、または最小限にすることができるほど十分に厚くてもよい。
【００７８】
さらに、本発明の他の実施形態では、チャネル層２０および障壁層２２は、異なる格子定数を有してもよい。例えば、これら２つの層の間の界面で障壁層２２が「伸びる（ｓｔｒｅｃｈ）」ように、障壁層２２は、チャネル層２０よりも小さな格子定数を有する比較的薄い層であってもよい。したがって、擬似格子整合ＨＥＭＴ（ｐＨＥＭＴ）デバイスが実現されることがある。
【００７９】
図２は、障壁層２２上の保護層２４の形成を示している。保護層２４は、窒化珪素（ＳｉｘＮｙ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、および／または他の適切な保護材料などの誘電体材料であってもよい。また、他の材料が保護層２４に利用されてもよい。例えば、保護層２４は、また、酸化マグネシウム、酸化スカンジウム、酸化アルミニウムおよび／または酸窒化アルミニウムを含んでもよい。さらに、保護層２４は、単層であってもよく、または、均一組成および／または不均一組成の多層を含んでもよい。
【００８０】
保護層２４は、障壁層２２の上に一面に形成されてもよい。例えば、保護層２４は、高品質スパッタリングおよび／またはプラズマ増速化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）によって形成された窒化珪素（ＳｉＮ）層であってもよい。保護層２４は、約３０ｎｍの厚さである可能性があるが、他の厚さの層も利用されてもよい。例えば、保護層は、オーミックコンタクトの後のアニール中に下にある層を保護するように十分に厚くてもよい。そのような目的のために、２または３の単分子層程度の薄い層で十分である可能性がある。しかし、一般に、保護層２４は、約１０ｎｍから約５００ｎｍの厚さを有する可能性がある。また、高品質ＳｉＮ保護層は、ＩＩＩ族窒化物層のＭＯＣＶＤ成長と共にその場（ｉｎ−ｓｉｔｕ）成長されてもよい。
【００８１】
本発明の特定の実施形態では、保護層２４はＳｉＮであってもよい。ＳｉＮ保護層は、ＰＶＤおよび／またはＣＶＤによって形成されてもよく、圧縮または引っ張り歪みのために非化学量論的である可能性がある。例えば、ＳｉＮ保護層は、約−１００ＭＰａから約１００ＭＰａの応力を受ける可能性がある。本発明のある特定の実施形態では、ＳｉＮ保護層は、６３３ｎｍ波長で約１．６から約２．２の屈折率を有することがある。特定の実施形態では、ＳｉＮ保護層の屈折率は、１．９８±０．０５であることがある。
【００８２】
図３は、障壁層２２上へのオーミックコンタクト領域３０の形成を示している。ここで図３を参照すると、保護層２４は、障壁層２２の部分を露出させるようにパターニングされ、第１および第２のオーミックコンタクト領域３０が障壁層２２上に形成される。例えば、下にある障壁層２２を露出させるために、保護層２４に窓がエッチングされてもよい。この窓は、パターニングされたマスクと障壁層２２に対する低損傷エッチングとを利用して、エッチングされてもよい。低損傷エッチング技術の例には、誘導結合プラズマ、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）またはプラズマに対してＤＣ成分のない下流プラズマエッチング（ｄｏｗｎｓｔｒｅａｍ ｐｌａｓｍａ ｅｔｃｈｉｎｇ）などの、反応性イオンエッチング以外のエッチング技術が挙げられる。例えば、ＳｉＯ２障壁層に対しては、緩衝フッ化水素酸を用いたウェットエッチングが使用されてもよい。ＩＴＯ、ＳＣＯ、ＭｇＯなどのエッチング停止層に対するＳｉＮおよび／またはＳｉＯ２の選択エッチング、およびこれに続くエッチング停止層の低損傷除去が、行われてもよい。ＳｉＮ障壁層の場合、ＳｉＯ２がエッチング停止層として使用されてもよい。そのような実施形態では、保護層２４は、エッチング停止層だけでなくＳｉＮ層、ＡｌＮ層、および／またはＳｉＯ２層を含んでもよい。このように、本発明のある特定の実施形態では、保護層２４は多層を含むことができる。
【００８３】
依然として図３を参照すると、引き続いてフォトリソグラフィステップおよび蒸着を使用して、障壁層２２の露出部分にオーミック金属が形成される。オーミック金属は、保護層２４の窓よりも小さくなるようにパターニングされ、オーミック金属は第１および第２のオーミックコンタクト領域３０を形成するようにアニールされる。そのようなものとして、オーミックコンタクト領域３０の縁は近接した保護層２４から間隔を空けて配置される可能性がある。
【００８４】
アニールは、比較的高温のアニールであってもよい。例えば、アニールは、約９００℃を超える温度で行われてもよい。そのようなオーミックコンタクトアニールを使用することによって、オーミックコンタクト領域３０の抵抗は、比較的高抵抗から例えば約１Ω−ｍｍ未満に減少させることができる。したがって、本明細書で使用されるとき、用語「オーミックコンタクト」は、約１Ω−ｍｍ未満の接触抵抗を有する非整流性コンタクトを意味することができる。高温プロセスステップ中に保護層２４が存在することで、そのようなステップで生じることがある障壁層２２の損傷が減少し、かつ／または抑制されることがある。したがって、例えば、高温オーミックコンタクトアニール後のゲート領域２１（すなわち、オーミックコンタクト領域３０間のチャネルの長さ）のシート抵抗は、成長されたまま（すなわち、コンタクトアニール前）のゲート領域２１のシート抵抗と実質的に同じである可能性がある。
【００８５】
オーミックコンタクト領域３０は、オーミックコンタクト金属の形成および／またはパターニングでの位置合わせ不整合公差（ｍｉｓａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｔｏｒｅｌａｎｃｅ）を許容するのに十分な距離だけ保護層２４から間隔を空けて配置される可能性がある。例えば、オーミックコンタクト領域３０の端は、約０．１マイクロメートル（μｍ）から約０．２μｍの距離だけ保護層２４から間隔を空けて配置されることがある。その後の加熱ステップ中に金属が保護層２４に拡散する可能性を減少させるために、オーミック金属と保護層２４との接触を防ぐことが望ましい可能性があり、この金属拡散は、ゲートコンタクトとオーミックコンタクト領域３０との間のショートをもたらすことがある。しかし、オーミックコンタクト領域３０と保護層２４との間の隙間は、保護層２４の保護目的を駄目にするほど（かつ／またはデバイスの性能を実質的に悪くするほど）大きい必要はないが、オーミック材料と保護層２４との間の接触のおそれがあるほど小さくてはいけない。したがって、本発明のある特定の実施形態では、この隙間は、約０．１マイクロメートル（μｍ）から約０．５μｍの範囲であってもよい。
【００８６】
図４は、オーミックコンタクト領域３０および保護層２４の上への第２の層３１の形成を示している。第２の層３１は、保護層２４よりも小さな誘電率を有する誘電体層であってもよい。例えば、第２の層３１は、高温酸化物（ＨＴＯ）層などの高品質酸化物層であってもよい。また、第２の層３１は犠牲層であってもよく、この犠牲層は、後のステップで除去される可能性がある。例えば、第２の層３１は、フォトレジスト層であってもよい。また、第２の層３１は、ポリイミド層であってもよい。図４に示されるように、第２の層３１は、第２の層３１を貫通して保護層２４の一部を露出させる孔またはリセス３を含む。例えば、第２の層３１は、リセス３を形成するようにフォトリソグラフィでパターニングされてもよい。
【００８７】
図５は、保護層２４への開口または「窓」の形成を示し、その後のステップで、ここにゲート電極が形成されてもよい。図５に示されるように、開口４は、保護層２４を貫通して障壁層２２の一部を露出させるように形成される。より詳細には、開口４を形成するために、第２の層３１をマスクとして使用して保護層２４の露出部分がパターニングされる。障壁層２２の露出表面への低漏れショットキーゲートコンタクトの形成を容易にするために、上述のように、第２の層３１のリセス３によって露出された保護層２４の部分を、低損傷エッチング技術を使用して選択的にエッチングすることによって、開口４が形成されてもよい。留意されたいことであるが、保護層２４の開口４は、エッチングの等方性（すなわち、アンダーカット）のために第２の層３１のリセス３よりも広くなる可能性がある。特定の実施形態では、オーミックコンタクト３０はソースコンタクト及びドレインコンタクトを与えることができ、開口４が、したがってゲートコンタクトが、ドレインコンタクトよりもソースコンタクトに近くなるように、開口４がソースコンタクトとドレインコンタクトとの間で片寄っていることがある。
【００８８】
ここで図６を参照すると、第２の層３１のリセス３は、第１の開口４よりも広い第２の開口５を画定するように広くされる。そのようなものとして、第２の開口５は、第１の開口４と、第１の開口４の相対する側の保護層２４の表面部を露出させる。第２の層３１のリセス３は、第２の開口５と第１の開口４が自己整合されるように対称的に拡大されてもよい。例えば、第２の層３１が保護層２４と異なる材料で形成されている場合、第２の層３１のリセス３は、ウェットエッチング技術を使用して第２の層３１を選択的にエッチングすることによって広くされてもよい。より詳細には、第２の層３１が酸化物層である場合、リセス３は、緩衝酸化物エッチング液（ＢＯＥ）を使用して第２の層３１を選択的にエッチングして広くされてもよい。その上または代替的に、第２の層３１がフォトレジスト層である場合、酸素プラズマを使用して第２の層３１をアッシングし、かつ／または、例えば摂氏１００度（Ｃ）より高いが１５０度Ｃより低い温度で、デバイスをハードベークすることによって、このリセスが広くされてもよい。
【００８９】
したがって、図５および６に示されるように、第１の開口４を形成するために第２の層３１をマスクとして使用して、保護層２４が選択的にエッチングされてもよく、第２の層３１のリセス３は、第２の開口５を形成するように第１の開口４のまわりで選択的に広くされてもよい。そのようなものとして、第１の開口４と第２の開口５は自己整合される可能性がある。いくつかの実施形態では、第２の層３１は、保護層２４に対して選択的にエッチング可能などんな材料であってもよい。
【００９０】
図７は、ゲート電極３２の形成を示している。図７に示されるように、ゲート電極３２は、第２の開口５および第１の開口４に形成され、保護層２４を貫通して延在し、障壁層２２の露出部分に接触する。ゲート電極３２は、ゲート電極３２と保護層２４との間に隙間が形成されないように、保護層２４の対向する側壁に直接に接して第１の開口４に形成されてもよい。適切なゲート材料は、障壁層２４の組成に依存する可能性がある。しかし、ある特定の実施形態では、Ｎｉ、Ｐｔ、ＮｉＳｉｘ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、ＴａＮ、Ｗおよび／またはＷＳｉＮなどの、窒化物ベースの半導体材料に対してショットキーコンタクトを作ることができる従来の材料が使用されてもよい。
【００９１】
依然として図７を参照すると、ゲート電極３２の第１の部分６（「ウィング」または「サイドローブ」とも呼ばれる。）は、第１の開口４の外側に存在する保護層２４の表面部分で横方向に延在し、さらに、保護層２４から縦方向に間隔を空けて配置されたゲート電極３２の第２の部分７は、第２の開口５の外側に存在する第２の層３１の表面部分で横方向に延在している。本明細書で使用されるとき、用語「横方向」は、基板の表面に対して実質的に平行な方向を意味する。ゲート電極３２の第２の部分７は、第１の部分６を越えて横方向に延在してもよい。第１の開口４と第２の開口５は、これまで説明されたプロセスによって自己整合される可能性があるので、ゲート電極３２の第１の部分６が保護層２４上に延在する長さは、制御される可能性がある。そのようなものとして、本発明のいくつかの実施形態によると、ゲート電極３２の保護層２４上での延長によって生じる可能性があるトランジスタデバイスのゲート−ドレインキャパシタンス（ｃｇｄ）および／またはゲート−ソースキャパシタンス（ｃｇｓ）は、また、制御される可能性がある。したがって、自己整合サイドローブ６を備える修正ガンマゲート３２が形成される可能性がある。
【００９２】
図８は、犠牲的な第２の層３１の除去を示している。図８に示されるように、第２の層３１は、ゲート電極３２が形成された後に除去される。第２の層３１は、第２の層３１の組成に応じて従来の技術を使用して形成されてもよい。
【００９３】
図９は、パシベーション層３４の形成を示している。パシベーション層３４は、トランジスタデバイスのための環境保護を行うことができる。例えば、パシベーション層３４は、比較的厚い窒化物または比較的ローｋの封入層であってもよく、保護層２４の被覆率を改善するために形成されることがある。パシベーション層３４は、第２の層３１の除去後に、図８の構造の上に一面に堆積されてもよい。そのようなものとして、ゲート電極３２の第２の部分７は、パシベーション層３４の部分の上で横方向に延在する。特定の実施形態では、パシベーション層３４は、保護層２４とオーミックコンタクト３０との間の隙間を実質的に埋めるように堆積されることがある。本発明のある特定の実施形態では、パシベーション層３４は、窒化珪素、窒化アルミニウム、二酸化珪素、および／または酸窒化物であってもよい。さらに、パシベーション層３４は、均一組成および／または不均一組成の単層または多層であってもよい。
【００９４】
図１０は、本発明のさらなる実施形態に従った高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）デバイス１００を示す断面図である。図１０に示されるように、ＨＥＭＴデバイス１００のゲート電極３２は、保護層２４を貫通して延在し、障壁層２２に接触している。ゲート電極３２は、開口の外側に存在する保護層２４の表面部分で横方向に延在する第１の部分６と、パシベーション層３４によって保護層２４から縦方向に間隔を空けて配置され、かつパシベーション層３４の部分の上で第１の部分６を越えて横方向に延在する第２の部分７とを備える。言い換えると、ゲート電極３２の第１および第２の部分６および７は、階段状外形を画定している。ゲート電極３２の第２の部分７は、保護層２４から約１０００オングストローム（Å）から約６０００Åだけ間隔を空けて配置されてもよい。ゲート電極３２は、また、ゲート電極３２と保護層２４との間に隙間が存在しないように、保護層２４の開口の対向する側壁に直接に接して延びている。ゲート電極３２の第１の部分６は、また、保護層２４上に直接に形成されてもよい。
【００９５】
その上、（保護層２４の中の）第１の開口および（図６の第２の層３１の中の）第２の開口は、上述のプロセスによって自己整合される可能性があるので、第２の開口の幅（ＬＧ２として示される）は、第１の開口の幅のまわりに自己整合され、かつ対称である可能性があり、この第１の開口の幅がゲート長ＬＧ１を画定する。そのようなものとして、保護層２４の開口の形成に基づいて関心のある動作周波数を得るように、ゲート長ＬＧ１が調整されてもよい。例えば、ゲート長ＬＧ１は、約０．０５マイクロメートル（μｍ）から約２．０μｍであってもよい。その上、ゲート電極３２の第１の部分６が保護層２４の上に延在する長さΔＬＧは、また、上述のように犠牲的な第２の層の開口を広くすることによって制御されてもよい。ピークゲート−ドレイン電圧ＶＧＤに確実に耐え、かつゲート−ドレインキャパシタンスｃｇｄおよびゲート−ソースキャパシタンスｃｇｓを最小限にし、かつ／または減少させるように、保護層２４の厚さｄ１およびゲート電極３２の第１の部分の長さΔＬＧが最適化されてもよい。例えば、長さΔＬＧは約０．１マイクロメートル（μｍ）から約０．６μｍであってもよく、厚さｄ１は約３００オングストローム（Å）から約５０００Åであってもよい。その上、第１の開口を画定する保護層２４の側壁の角度Φは、また、例えば、約４５度から約９０度の間で最適化されてもよい。
【００９６】
上述のように、いくつかの実施形態では、保護層２４はＳｉＮであってもよく、障壁層２２はＡｌＧａＮであってもよく、さらにチャネル層２０はＧａＮであってもよい。上でも述べられたように、トランジスタ１００は、また、基板１０とチャネル層２０の間に核形成層１５を備える。
【００９７】
また、図１０は、オーミックコンタクト領域がソース／ドレインコンタクト領域３０であってもよいことを示している。保護層２４は、オーミックコンタクト領域と少なくともほぼ同じくらいの厚さに形成されてもよい。例えば、保護層２４は、約５００オングストローム（Å）から約５０００Åの範囲の厚さに形成されてもよい。その上、パシベーション層３４は、保護層２４とソース／ドレイン領域３０との間の隙間を実質的に埋めることができる。本発明のある特定の実施形態では、パシベーション層３４は、保護層２４と同じ材料で形成されてもよい。そのようなものとして、パシベーション層３４は、窒化珪素、窒化アルミニウム、二酸化珪素および／または酸窒化物であってもよい。さらに、パシベーション層３４は、均一組成および／または不均一組成の単層または多層であってもよい。
【００９８】
本発明の他の実施形態では、第２の層３１は犠牲層でなくてもよい。そのようなものとして、第２の層３１は除去されなくてもよく、パシベーション層３４は形成されなくてもよい。したがって、図７は、本発明の他の実施形態に従った高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）デバイスを示している。例えば、上で言及されたように、第２の層３１は誘電体層であってもよい。より詳細には、第２の層３１は、ＨＴＯ層および／または他の高品質酸化物層などの酸化物層であってもよく、さらに保護層２４は、高純度窒化物（ＨＰＮ）層などの窒化物層、および／または酸化物層に対して選択的にエッチング可能な他の保護層であってもよい。そのような酸化物層は、パシベーション層３４に比較して低不純物濃度および／または他の改善された電気的特性を実現することができる。したがって、本発明のさらなる実施形態は、図１１から１８を参照して説明される。
【００９９】
図１１から１８は、本発明のさらなる実施形態に従ったトランジスタデバイスを作製する方法における中間（ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ）作製ステップの例を示す断面図である。ここで図１１を参照すると、図１を参照して上で説明されたように、トランジスタデバイスが形成されてもよい基板１０に障壁層２２およびチャネル層２０が形成されてもよい。例えば、基板１０は、半絶縁性炭化珪素（ＳｉＣ）基板であってもよい。例えば、炭化珪素基板とデバイスの残りの部分との間に適切な結晶構造遷移をもたらすために、随意の緩衝層、核形成層および／または遷移層（図示せず）が基板１０上に形成されてもよい。チャネル層２０は、超格子等の単層または多層ＩＩＩ族窒化物層であってもよい。障壁層２２は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）などのＩＩＩ族窒化物層であってもよい。障壁層２２は、また、ＡｌＩｎＧａＮ、ＡｌＮおよび／またはこれらの層の組み合わせなどの他のＩＩＩ族窒化物層も備えてもよい。
【０１００】
チャネル層２０および障壁層２２は、チャネル層と障壁層との間の界面がヘテロ接合を画定するように、異なるバンドギャップを有する材料で形成されてもよい。より詳細には、チャネル層２０は、障壁層２２のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有してもよい。例えば、チャネル層２０及び障壁層２２の両方がＩＩＩ族窒化物層で形成されている場合、チャネル層２０はＧａＮ層であってもよく、障壁層２２はＡｌＧａＮ層であってもよい。さらに、チャネル層２０および障壁層２２は、異なる格子定数を有してもよい。例えば、それら２つの層の間の界面で障壁層２２が「伸びる」ように、障壁層２２は、チャネル層２０よりも小さな格子定数を有する比較的薄い層であってもよい。したがって、擬似格子整合ＨＥＭＴ（ｐＨＥＭＴ）デバイスが形成される可能性がある。
【０１０１】
依然として図１１を参照すると、保護層２４が障壁層２２上に形成されている。保護層２４は、窒化珪素（ＳｉｘＮｙ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、および／または他の適切な保護材料などの誘電体材料であってもよい。保護層２４は、単層であってもよく、または、均一組成および／または不均一組成の多層を含んでもよい。また、他の材料が保護層２４に利用されてもよい。
【０１０２】
本発明のいくつかの実施形態では、保護層２４は高純度窒化物（ＨＰＮ）層であってもよい。本明細書で説明されるように、ＨＰＮ層は、いくつかの他の窒化物層に比べてかなり低い全不純物レベルを有する窒化物層を意味することができる。より詳細には、ＨＰＮ層の不純物レベルは、一般に、ＰＥＣＶＤおよび／またはスパッタリングによって成長された窒化物層の不純物レベルよりも１桁から３桁小さい可能性がある。例えば、ＨＰＮは、Ｓｉ３Ｎ４層と下の層との界面だけでなく、Ｓｉ３Ｎ４層自体に比較的低い不純物濃度を有するほぼ化学量論的な窒化珪素（すなわち、Ｓｉ３Ｎ４）を意味することができる。これは、下の層と同じ反応炉でＨＰＮ層を堆積し、かつ本明細書でさらに述べられる条件を使用することによって、達成される可能性がある。
【０１０３】
例えば、保護層２４は、特許文献１８に記載されるような高純度ＳｉＮ層を含んでもよく、この開示は、あたかも本明細書で完全に述べられたかのように参照して本明細書に組み込まれる。ＳｉＮ層は、例えば、減圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ）および／または有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によって形成されてもよい。特に、本発明のある特定の実施形態に従って、ＳｉＮ保護層２４は、ＩＩＩ族窒化物層のＭＯＣＶＤ成長と共にその場で（例えば、約７００℃より高い）比較的高温で成長されてもよい。例えば、チャネル層２０がＧａＮである場合、保護層２４は、ＩＩＩ族窒化物層の成長温度から基板１０を冷やすことなくＧａＮエピタキシャル反応炉で成長されてもよい。特定の実施形態では、ＳｉＮ層は、約９００℃から約１０００℃の範囲の温度で成長されてもよい。そのような高温成長はまた、ＳｉＮ層の不純物レベル、およびＩＩＩ族窒化物層とＳｉＮ層との間の界面の不純物レベルの減少を助長することができる。その上、ＳｉＮ層に組み込まれるバックグラウンド反応炉不純物（ｂａｃｋｇｒｏｕｎｄ ｒｅａｃｔｏｒ ｉｍｐｕｒｉｔｙ）のレベルの減少を助長することができる高成長速度が使用されてもよい。
【０１０４】
ＳｉＮ層のその場形成は、また、一番上のＩＩＩ族窒化物層の上面および／またはＳｉＮ層自体に組み込まれる不純物のレベルを減少させることができる。特に、デバイスが反応炉から取り出され、さらにＳｉＮ層が、例えばスパッタリングまたはＰＥＣＶＤのようなＭＯＣＶＤ後の成長プロセスによって形成されるとき、いくつかの異なるメカニズムで不純物が導入される可能性がある。例えば、特許文献１９に詳細に述べられているように、ＩＩＩ族窒化物層の成長中にＭＯＣＶＤ反応炉に水素が存在すると、成長に続く反応炉の冷却中に水素がＩＩＩ族窒化物層に混入する傾向がある可能性がある。同様に、反応炉から取り出してすぐにデバイスを大気にさらすと、酸素原子の混入が可能になる場合がある。さらに、デバイスの取り扱いおよび／またはデバイスの化学洗浄の結果として、特にデバイスの外側表面の近接に、様々な他の不純物が取り込まれる可能性がある。ウェットエッチング、電極堆積、アニーリングステップなどの成長後処理が、ＳｉＮ保護／パシベーション層の堆積前に行われる場合には、また、不純物が追加される可能性がある。望ましくない、かつ／または制御／再現し難い可能性のあるやり方で、これらの不純物は、ＩＩＩ族窒化物層とＳｉＮ層との間の界面の表面状態を変える可能性がある。例えば、不純物が存在することで、ＳｉＮ層と下のＩＩＩ族窒化物層との間の界面での捕獲（ｔｒａｐｐｉｎｇ）が増加し、それによってチャネルのシート抵抗が高くなることがある。
【０１０５】
本発明のある特定の実施形態では、窒化珪素層は、高純度シリコンガス（例えば、純度９９．９９％）供給源を使用して形成されてもよい。例えば、高純度シラン（ＳｉＨ４）が、ＳｉＮ層の成長で供給源ガスとして使用されてもよい。当業者には知られているように、シランは、ｎ型ドープＩＩＩ族窒化物層の成長において、シリコンドーパントの供給源としてしばしば使用される。一般に、希釈シランガスは、純粋シランよりも高価でなくかつ使用し易いので、そのような用途に使用され、純粋シランは非常に燃えやすい可能性がある。そのような純粋シランを使用することで、例えば、ＩＩＩ族窒化物層とＳｉＮ層との界面および／またはＳｉＮ層中の不純物のレベルを減少させることが容易になる可能性があり、このことは、ある特定の環境で、デバイスの性能および／または再現性を改善する可能性がある。特に、より高品質の（すなわち、より純粋な）ＳｉＮ層は、絶縁層の本体中の捕獲を減少させ、または最小限にするのに役立ち、それによってより高い破壊臨界電界を可能にする可能性がある。純粋ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）または他の純粋シリコンガス供給源が、高純度シラン（ＳｉＨ４）の代わりに使用されてもよい。そのような純粋シランガス供給源が反応炉に含まれるとき、例えばｎ型ドープまたはコドープ（ｃｏ−ｄｏｐｅｄ）ＩＩＩ族窒化物層の成長中に希釈シランガスをドーパントガス供給源として使用することができるように、希釈シラン供給源も含むことがいっそう望ましい可能性がある。
【０１０６】
いくつかの実施形態では、高純度ＳｉＮ層２４は、化学量論的である可能性がある。用語「化学量論」は、化学量論的化合物中の元素のモル比を意味することができる。そのような化学量論的化合物では、モル比は整数である。例えば、Ｓｉ３Ｎ４におけるシリコンおよび窒素の化学量論は、約３：４である。ＳｉＮ層の化学量論は、また、この層の屈折率に影響を及ぼす可能性がある。本発明のある特定の実施形態では、ＳｉＮ保護層２４は、６３３ｎｍの波長で約１．６から約２．２の屈折率を有することがある。化学量論的ＳｉＮは、また、緩衝酸化物エッチング液（ＢＯＥ）で比較的小さなエッチング速度を特徴とする可能性がある。例えば、化学量論的ＳｉＮのＢＯＥでのエッチング速度は、約１０オングストローム／分よりも小さいことがある。対照的に、ＰＥＣＶＤ窒化珪素は、約１００オングストローム／分のオーダのＢＯＥエッチング速度を有することがあり、スパッタ窒化珪素は、約１０００オングストローム／分以上のオーダのＢＯＥエッチング速度を有することがある。ＳｉＮ層の化学量論は、例えば、ＣＶＤプロセスにおいてＳｉＨ４およびＮＨ３の供給源ガスの相対的な流速を調整することによって、調整されてもよい。さらに、比較的高温で形成されるとき、ＣＶＤ成長のＳｉＮは化学量論的である傾向がある。
【０１０７】
本発明のいくつかの実施形態では、保護層２４は、その後の高温プロセスステップ時の障壁層２２への損傷を減少させ、かつ／または妨げるように、十分に厚いＨＰＮ層を含んでもよい。例えば、ＨＰＮ層２２は、約２００オングストローム（Å）から約２０００Åの厚さを有してもよい。さらに、保護層２４は、ＨＰＮおよび二酸化珪素（ＳｉＯ２）および／またはプラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）窒化珪素（ＳｉＮ）の多層を含んでもよい。理解されることであろうが、用語「ＳｉｘＮｙ」、「ＳｉＮ」および「窒化珪素」は、本明細書では、化学量論的窒化珪素と非化学量論的窒化珪素の両方を意味するように交換可能に使用される。しかし、本発明の実施形態は、これらの例によって限定されず、例えば、どんなＨＰＮでも高品質誘電体保護層２４として使用されることがある。もっと一般的に、保護層２４の材料は、適切な界面特性を持つべきであり、比較的高温に耐えることができるべきであり、さらに、下にある障壁層２２を大きく損傷することなく除去可能であるべきである。
【０１０８】
図１２は、保護層２４上への酸化物層３３などの誘電体層の形成を示している。例えば、酸化物層３３は、約５００℃を超える温度の化学気相成長（ＣＶＤ）プロセスを使用して保護層２４上に堆積されてもよい。その上かつ／または代わりに、酸化物層３３は、その場形成されてもよい。酸化物層３３は、保護層２４の厚さよりも大きな厚さに形成されてもよい。例えば、酸化物層３３は、約３００オングストローム（Å）から約５０００Åの厚さを有してもよい。
【０１０９】
酸化物層３３はまた、保護層２４よりも小さな誘電率を有する可能性がある。例えば、酸化物層３３は、高温酸化物（ＨＴＯ）層等の高品質酸化物層であってもよい。高品質酸化物層３３は、約１．５未満の誘電定数または誘電率を有する可能性がある。さらに、高品質酸化物層３３は比較的低不純物濃度を有する可能性があり、これは例えば、二次イオン質量スペクトロスコピー（ＳＩＭＳ）分析によって測定されることがある。そのようなものとして、本発明のいくつかの実施形態に従った高品質酸化物層は、図１０のゲート後パシベーション層３４などのＰＥＣＶＤプロセスによって形成された層に比べて改善された電気特性を有している可能性がある。
【０１１０】
例えば、いくつかの実施形態では、ＨＴＯ層は、約９００℃の温度のＬＰＣＶＤプロセスで堆積された二酸化珪素（ＳｉＯ２）層であってもよい。この堆積のＬＰＣＶＤの性質によって、下の半導体層に及ぼすマイナスの影響を減らしながら、かつ／または最小限にしながら酸化物層３３を形成することができるようになることがある。さらに、堆積が比較的高温であることで、約８〜９ＭＶ／ｃｍの測定絶縁耐力（ｍｅａｓｕｒｅｄ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｓｔｒｅｎｇｔｈ）（すなわち、ＳｉＯ２の理論値の約８０〜９０％）を有する比較的高密度の酸化物層３３の形成が可能になることがある。
【０１１１】
本発明のある実施形態では、酸化物層３３は、化学量論的ＳｉＯ２であってもよい。このＳｉＯ２層は、６３３ｎｍの波長で約１．３６から約１．５６の屈折率を有することがある。特定の実施形態では、ＳｉＯ２保護層の屈折率は、偏光解析法で測定された場合に１．４６±０．０３であることがある。さらに、このＳｉＯ２層は、電荷、トラップ、および他の電気的に活性な非理想的性質（不純物）のレベルの減少を実現することができ、これは、ある特定の環境で、デバイスの性能および／または再現性を改善する可能性がある。特に、高品質の（すなわち、いっそう純粋な）ＳｉＯ２層は、絶縁層の本体中の捕獲を減少させるか、最小限にするのに役立ち、それによっていっそう高い破壊臨界電界を可能にする可能性がある。もっと一般的に、酸化物層３３は、ＨＥＭＴデバイスのゲート−ドレインおよび／またはゲート−ソースキャパシタンスを減少させるのに十分である可能性のある厚さ、不純物濃度、誘電率および／または他の特性を与えるように選ばれてもよい。
【０１１２】
ここで図１３を参照すると、酸化物層３３および保護層２４は、障壁層２２の部分を露出させるようにパターニングされている。例えば、保護層２４の第１および第２の部分を露出させるリセス９を画定するために、パターンニングされたマスク（図示せず）を利用して酸化物層３３がパターニングされてもよく、さらに、障壁層２２の部分を露出させる窓８を画定するために、酸化物層３３をマスクとして利用して保護層２４がパターニングされてもよい。より詳細には、酸化物層３３にリセス９を画定するためにドライエッチングプロセスが使用されてもよく、窓８を画定するように保護層２４を選択的にエッチングするために、低損傷ウェットエッチングプロセスが使用されてもよい。ＩＴＯ、ＳＣＯ、ＭｇＯなどのエッチング停止層までの保護層２４の選択エッチング、その後に続くエッチング停止層の低損傷除去が、また、行われてもよい。そのような実施形態では、保護層２４は、エッチング停止層だけでなくＳｉＮ層、ＡｌＮ層、および／またはＳｉＯ２層を含むことがある。あるいは、層３３と２４の両方が堆積された状態で、酸化物層３３と保護層２４の両方を通して単一ステップでエッチングするために、低損傷ドライエッチングが使用されてもよい。そのような低損傷エッチング技術の例には、誘導結合プラズマエッチングまたは電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）エッチングまたはプラズマに対してＤＣ成分のない下流プラズマエッチングなどの反応性イオンエッチング以外のエッチング技術がある可能性がある。
【０１１３】
また、いくつかの実施形態では、保護層２４は、酸化物層３３を形成する前に、障壁層２２の部分を露出させる窓８を画定するようにパターニングされてもよい。そのようなものとして、酸化物層は、保護層２４の上に、さらに障壁層２２の第１および第２の部分の上に形成されてもよい。酸化物層は、次に、障壁層２２の部分を露出させるリセス９を画定するようにパターニングされてもよい。リセス９は、保護層２４にエッチングされた窓８よりも狭くてもよい。そのようなものとして、保護層２４の窓８の側壁に沿って酸化物層３３の部分が残っている可能性がある。したがって、次のステップで、オーミックコンタクト領域が障壁層２２に形成されたとき、オーミックコンタクト領域と保護層２４との間に酸化物層３３が存在するために、オーミックコンタクト領域の縁は、近接した保護層２４から間隔を空けて配置されている可能性がある。
【０１１４】
図１４は、障壁層２４へのオーミックコンタクト３０の形成を示している。ここで図１４を参照すると、障壁層２２にオーミック金属領域を形成するために、窓８およびリセス９によって露出された障壁層２２の部分に、蒸着によって金属が堆積されもよい。適切な金属には、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）、シリコン（Ｓｉ）、窒化チタンタングステン（ＴｉＷＮ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）、レニウム（Ｒｅ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケルシリサイド（ＮｉＳｉ）、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タングステンシリコン（ＷＳｉＮ）、白金（Ｐｔ）などの耐熱金属がある可能性がある。どんな不要な金属も、例えば溶媒を使用して除去されてもよい。オーミック金属領域は、保護層２４の窓よりも小さくなるようにパターニングされてもよく、さらに、第１および第２のオーミックコンタクト領域３０を形成するようにアニールされてもよい。そのようなものとして、オーミックコンタクト領域３０は、オーミックコンタクト金属の形成および／またはパターニングでの位置合わせ不良公差（ｍｉｓａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｔｏｌｅｒａｎｃｅ）を許容するのに十分な距離だけ保護層２４から間隔を空けて配置される可能性がある。例えば、オーミックコンタクト領域３０の縁は、約０．１マイクロメートル（μｍ）から約０．５μｍの距離だけ保護層２４から間隔を空けて配置されてもよい。
【０１１５】
依然として図１４を参照すると、アニールは比較的高温のアニールであってもよい。例えば、アニールは、約９００℃を超える温度で行われてもよい。そのようなオーミックコンタクトアニールを使用することによって、オーミックコンタクト領域３０の抵抗は、比較的高い抵抗から例えば約１Ω−ｍｍ未満に減少することがある。したがって、本明細書で使用されるとき、用語「オーミックコンタクト」は、約１Ω−ｍｍ未満の接触抵抗を有する非整流性コンタクトを意味することができる。高温プロセスステップ中に保護層２４が存在することで、そのようなステップで生じることがある障壁層２２への損傷が減少し、かつ／または妨げられる可能性がある。したがって、例えば、高温オーミックコンタクトアニール後のゲート領域２１（すなわち、オーミックコンタクト領域３０間のチャネル長さ）のシート抵抗は、成長されたまま（すなわち、コンタクトアニール前）のゲート領域２１のシート抵抗と実質的に同じである可能性がある。
【０１１６】
理解されることであろうが、いくつかの実施形態では、オーミックコンタクト３０を形成するために、堆積された金属をアニールすることは必要でないことがある。例えば、障壁層２２の注入ソース／ドレイン領域にオーミックコンタクト３０が形成される場合、金属は、堆積されたままでオーミックであることがある。コンタクトアニールは必要でない可能性があるので、オーミックコンタクト３０の金属が保護層２４に接触することは許容できることがある。したがって、本発明のいくつかの実施形態では、オーミックコンタクト３０が保護層２４から確実に間隔を空けて配置されるようにするために、さもなれれば、必要とされることがあるリソグラフィステップは、障壁層２２中への不純物注入の結果として、回避される可能性がある。その上、オーミックコンタクト３０は、注入領域に形成されてもよいので、このオーミックコンタクトは、非注入領域に形成されたオーミックコンタクトよりも低い抵抗率を有している可能性がある。したがって、本発明のいくつかの実施形態に従って形成されたデバイスのオン抵抗は、小さくなる可能性がある。さらに、本発明のいくつかの実施形態は、特許文献２０及び２１に述べられているような半導体作製方法を使用することができる。これらの開示は、参照してその全体が本明細書に組み込まれる。
【０１１７】
図１５は、酸化物層３３への孔またはリセス３の形成を示している。より詳細には、オーミックコンタクト３０および酸化物層３３の上にマスク（図示せず）が形成され、リセス３を形成するように酸化物層３３がパターニングされる。酸化物層３３は、例えば、上述のエッチング技術の１つによって選択的にパターニングされてもよい。リセス３は、酸化物層３３を貫通して延在し、保護層２４の一部を露出させる。
【０１１８】
図１６は、次のステップでゲート電極が形成されてもよい保護層２４の開口または「窓」の形成を示している。図１６に示されるように、開口４は、障壁層２２の一部を露出させるように保護層２４を貫通して形成される。より詳細には、開口４を形成するために、酸化物層３３をマスクとして使用して保護層２４の露出部分がパターニングされる。酸化物層３３のリセス３によって露出された保護層２４の部分を、上述のように低損傷エッチング技術を使用して選択的にエッチングすることによって、開口４は形成され、それによって、障壁層２２の露出表面への低漏れ（ｌｏｗ−ｌｅａｋａｇｅ）ショットキーゲートコンタクトの形成を容易にすることができる。留意されたいことであるが、このエッチングの等方性（すなわち、アンダーカット）のために、保護層２４の開口４は、酸化物層３３のリセス３よりも広くなる可能性がある。特定の実施形態では、オーミックコンタクト３０は、ソースコンタクトおよびドレインコンタクトを与えることができ、開口４が、また後でゲートコンタクトが、ドレインコンタクトよりもソースコンタクトに近くなるように、開口４は、ソースコンタクトとドレインコンタクトの間で片寄っていてもよい。
【０１１９】
理解されるべきことであるが、いくつかの実施形態では、障壁層２２を露出させるように酸化物層３３のリセス３および保護層２４の開口４を画定するために、酸化物層３３と保護層２４の両方を通して単一ステップでエッチングするように低損傷ドライエッチングが使用されてもよい。その上、いくつかの実施形態では、酸化物層３３および保護層２４は、単一マスクを使用してリセス３および９ならびに開口４および８を画定するようにパターニングされてもよい。もっと一般的には、いくつかのステップは、特定の中間作製ステップを参照して図示され、説明されたが、本発明の特定の実施形態では、組み合わされ、分割され、かつ／または削除されてもよい。
【０１２０】
ここで図１７を参照すると、酸化物層３３のリセス３は、第１の開口４よりも広い第２の開口５を画定するように広くされている。そのようなものとして、第２の開口５は、第１の開口４と、第１の開口４の相対する側の保護層２４の表面部分を露出させる。酸化物層３３のリセス３は、第２の開口５と第１の開口４が自己整合されるように対称的に広げられてもよい。例えば、酸化物層３３のリセス３は、緩衝酸化物エッチング液（ＢＯＥ）を使用して酸化物層３３を選択的にエッチングすることによって広くされてもよい。さらに、いくつかの実施形態では、オーミックコンタクト３０の形成で使用される酸化物層３３のリセス９は、また、緩衝酸化物エッチング液（ＢＯＥ）によって対称的に広げられてもよい。
【０１２１】
したがって、図１６および１７に示されるように、保護層２４は、第１の開口４を形成するために酸化物層３３をマスクとして使用して選択的にエッチングされてもよく、酸化物層３３のリセス３は、第２の開口５を形成するように第１の開口４のまわりに選択的に広くされてもよい。そのようなものとして、第１の開口４と第２の開口５は、自己整合される可能性がある。いくつかの実施形態では、酸化物層３３は、保護層２４に対して選択的にエッチングされる可能性のある他の高品質誘電体材料で形成されてもよい。
【０１２２】
図１８は、本発明のさらなる実施形態に従った高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）デバイス２００を実現するためのゲート電極３２の形成を示している。図１８に示されるように、オーミックコンタクト領域は、ソース／ドレインコンタクト領域３０であることがある。また、ゲート電極３２は、第２の開口５および第１の開口４に形成され、保護層２４を貫通して障壁層２２の露出部分に接触している。ゲート電極３２は、保護層２４とゲート電極３２の間に隙間が形成されないように、第１の開口の中の保護層２４の対向する側壁に直接に形成されてもよい。その上および／または代わりに、高品質二酸化珪素ライナまたは窒化物ライナなどの誘電体ライナ（図示せず）が、第１の開口の中の保護層２４の対向する側壁に形成されてもよい。金属−絶縁体−半導体（ＭＩＳ）ＨＥＭＴデバイスを形成するように、ゲート電極３２が誘電体ライナに直接に形成されてもよい。
【０１２３】
適切なゲート材料は、障壁層２４の組成に依存する可能性がある。しかし、ある特定の実施形態では、窒化物ベースの半導体材料に対してショットキーコンタクトを作ることができる従来の材料、Ｎｉ、Ｐｔ、ＮｉＳｉｘ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｃｒ、ＴａＮ、Ｗおよび／またはＷＳｉＮなどが、使用されてもよい。さらに、いくつかの実施形態では、ゲート材料は、また、ゲート電極３２の形成中にソース／ドレインコンタクト領域３０に堆積されてもよい。より詳細には、ゲート材料は、保護層２４の第１の開口４の中に、および酸化物層３３の第２の開口５およびリセス９の中に堆積されてもよい。次に、ゲート材料は、ゲート材料の部分がリセス９のソース／ドレインコンタクト領域３０上に残ったままになるようなやり方でゲート電極３２を画定するように、パターニングされてもよい。ソース／ドレインコンタクト領域３０上にゲート材料（または、他の導電材料）を形成することで、例えばプローブアクセス（ｐｒｏｂｅ ａｃｃｅｓｓ）および／またはワイヤボンディングのために、比較的小さなソース／ドレインコンタクト領域３０への接触が容易になる可能性がある。
【０１２４】
依然として図１８を参照すると、ゲート電極３２の第１の部分６（「ウィング」または「サイドローブ」とも呼ばれる。）は、第１の開口４の外側に存在する保護層２４の表面部分で横方向に延在し、さらに保護層２４から縦方向に間隔を空けて配置されたゲート電極３２の第２の部分７は、第２の開口５の外側に存在する酸化物層３３の部分の上で横方向に延在している。本明細書で使用されるとき、用語「横方向」は、基板の表面に対して実質的に平行な方向を意味する。ゲート電極３２の第２の部分７は、第１の部分６を越えて横方向に延在してもよい。言い換えると、ゲート電極３２の第１および第２の部分６および７は、階段状外形を画定する。したがって、自己整合（ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎｅｄ）サイドローブ６を有する（ｍｏｄｉｆｉｅｄ）修正ガンマゲート３２が形成される可能性がある。
【０１２５】
また、図１８に示されるように、上述のように酸化物層３３の開口を広くすることによって、第１の開口４と第２の開口５は自己整合される可能性があるので、ゲート電極３２の第１の部分６が保護層２４上に延在する長さΔＬＧは制御される可能性がある。さらに、ゲート電極３２の第２の部分７は、酸化物層３３の厚さに基づいて、保護層２４から間隔を空けて配置される可能性がある。そのようなものとして、本発明のいくつかの実施形態によると、ゲート電極３２の保護層２４上への延長によって生じる可能性があるトランジスタデバイスのゲート−ドレインキャパシタンス（ｃｇｄ）および／またはゲート−ソースキャパシタンス（ｃｇｓ）もまた、制御される可能性がある。高品質酸化物層３３の比較的小さな誘電率は、ゲート−ドレインおよび／またはゲート−ソースキャパシタンスの減少にさらに寄与する可能性がある。
【０１２６】
ピークゲート−ドレイン電圧ＶＧＤに確実に耐えるように、かつ／またはゲート−ドレインキャパシタンスｃｇｄおよび／またはゲート−ソースキャパシタンスｃｇｓを最小限にしかつ／または減少させるように、保護層２４の厚さｄ１およびゲート電極３２の第１の部分の長さΔＬＧが、また、最適化されてもよい。例えば、長さΔＬＧは、約０．１マイクロメートル（μｍ）から約０．６μｍであってもよく、厚さｄ１は約２００オングストローム（Å）から約２０００Åであってもよい。さらに、酸化物層３３の厚さｄ２は、約５００オングストローム（Å）から約３０００Åであってもよい。第１の開口を画定する保護層２４の側壁の角度φは、また、例えば約４５度から約９０度の間で、最適化されてもよい。また、（ＬＧ２として示されている）第２の開口の幅は、ゲート長ＬＧ１を画定する第１の開口の幅のまわりに自己整合され、対称である。そのようなものとして、ゲート長ＬＧ１は、保護層２４への開口の形成に基づいて、関心のある動作周波数を得るように調整されてもよい。例えば、ゲート長ＬＧ１は、約０．０５マイクロメートル（μｍ）から約２．０μｍであってもよい。
【０１２７】
したがって、本発明のいくつかの実施形態は、Ｔゲートの肯定的特性の多くを誘電的に支持されたゲート電極、またはガンマゲートの肯定的特性と組み合わせることができる。したがって、自己整合ウィング／サイドローブを有する修正ガンマゲート構造が、比較的小さなゲート抵抗、比較的小さなゲート−ドレインおよび／またはゲート−ソースキャパシタンス、および比較的高い利得を有するように実現される。さらに、ゲート電極と保護層との間の隙間は、減少され、かつ／または生じないようにされる可能性があり、ピーク電界は減少される可能性がある。
【０１２８】
本発明の実施形態を特定のＨＥＭＴ構造を参照して本明細書で説明したが、本発明は、そのような構造に限定されるものと解釈すべきでなく、擬似格子整合ＨＥＭＴ（ｐＨＥＭＴ）（ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ ｐＨＥＭＴを含む）および／またはＧａＮ ＭＥＳＦＥＴなどの多くの異なるトランジスタ構造のゲート電極の形成に応用してもよい。より一般的に、ゲート電極が形成される可能性があり、かつ／または成長されたままの表面特性の維持が絶対必要である可能性がある電子デバイスのいずれにおいても、本発明の実施形態を応用してもよい。例えば、窒化珪素および／またはその他の除去可能な封入剤を、ＡｌＧａＮ金属−半導体−金属（ＭＳＭ）検出器、ＲＦリミッタダイオード構造、および／または電力スイッチングショットキーダイオードの作製シーケンスにおいて使用することが可能である。
【０１２９】
また、依然として本発明の教示の恩恵を受けながら、トランジスタデバイスに追加の層が含まれることがある。そのような追加の層には、例えば、非特許文献１または特許文献５に記載されるようなＧａＮキャップ層がある可能性があり、これらの開示は、あたかも本明細書で完全に述べられたかのように参照して組み込まれる。いくつかの実施形態では、ＳｉＮｘのような絶縁層、または比較的高品質のＡｌＮが、ＭＩＳＨＥＭＴを作るために、かつ／または表面にパシベーション膜を被せるために、堆積されることがある。これらの追加の層は、また、１つまたは複数の組成傾斜遷移層を含むことがある。さらに、上述の障壁層２２は多層を含むことがある。したがって、本発明の実施形態は、障壁層を単一層に限定するように解釈されるべきでなく、例えば、ＧａＮ層、ＡｌＧａＮ層および／またはＡｌＮ層の組み合わせを有する障壁層を含むことができる。例えば、ＧａＮ、ＡｌＮ構造が、合金散乱を減少させ、または防ぐために利用されることがある。
【０１３０】
図面および明細書で本発明の代表的な実施形態が開示され、また、特定の用語が使用されたが、これらの用語は、一般的な記述的な意味でだけ使用され、限定する目的に使用されていない。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保護層を形成するステップであって、前記保護層は、貫通して延在する開口を有するステップと、
ゲート電極の第１の部分が、前記開口の外側に存在する前記保護層の表面部分で横方向に延在するように、かつ、前記保護層から間隔を空けて配置された前記ゲート電極の第２の部分が、前記第１の部分を越えて横方向に延在するように、前記開口内に前記ゲート電極を形成するステップと
を含むことを特徴とするトランジスタを作製する方法。
【請求項１】
保護層を形成するステップであって、前記保護層は、貫通して延在する開口を有するステップと、
ゲート電極の第１の部分が、前記開口の外側に存在する前記保護層の表面部分で横方向に延在するように、かつ、前記保護層から間隔を空けて配置された前記ゲート電極の第２の部分が、前記第１の部分を越えて横方向に延在するように、前記開口内に前記ゲート電極を形成するステップと
を含むことを特徴とするトランジスタを作製する方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２０１３−５８７７４（Ｐ２０１３−５８７７４Ａ）
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２３７９１７（Ｐ２０１２−２３７９１７）
【出願日】平成２４年１０月２９日（２０１２．１０．２９）
【分割の表示】特願２００８−５５１３１６（Ｐ２００８−５５１３１６）の分割
【原出願日】平成１９年１月１６日（２００７．１．１６）
【出願人】（５９２０５４８５６）クリー インコーポレイテッド (468)
【氏名又は名称原語表記】ＣＲＥＥ ＩＮＣ．
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２８日（２０１３．３．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年１０月２９日（２０１２．１０．２９）
【分割の表示】特願２００８−５５１３１６（Ｐ２００８−５５１３１６）の分割
【原出願日】平成１９年１月１６日（２００７．１．１６）
【出願人】（５９２０５４８５６）クリー インコーポレイテッド (468)
【氏名又は名称原語表記】ＣＲＥＥ ＩＮＣ．
【Ｆターム（参考）】
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