【課題】耐圧および電流コラプス抑制性能をさらに向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】この電界効果トランジスタによれば、ゲート絶縁膜２０を、ストイキオメトリなシリコン窒化膜よりもシリコンの比率が高いシリコン窒化膜で作製されたコラプス抑制膜１８と上記コラプス抑制膜１８上に形成されたＳｉＯ_２絶縁膜１７とを有する複層構造とすることにより、耐圧を向上できるだけでなく、電流コラプスも抑制できる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ナノデバイスに関し、基板上における臨界膜厚を超えた厚さの歪のある半導体薄膜を形成してデバイス領域とする。
【解決手段】 長径が１μｍ未満の半導体ナノワイヤコアと、前記半導体ナノワイヤコアの側壁に形成され、前記半導体ナノワイヤコアの構成材料との歪εが１％以上異なる半導体材料からなり、且つ、膜厚ｔ〔ｎｍ〕と歪ε〔％〕とが、
−０．７２０＋０．０９８８ε^−１．２＜ｔ≦−０．７０５＋０．２２７ε^−１．２
の関係を満たす少なくとも一層の半導体薄膜との接合界面或いは前記半導体薄膜同士の接合界面を機能領域とする。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体層を形成する前の基板の状態で非接触のスクリーニングを行うことで、事前に化合物半導体層の不良発生を認識してこれを防止することができ、歩留まりの向上及び製造コストの削減を可能とする信頼性の高い化合物半導体装置を得る。
【解決手段】偏光レーザ１２によりＳｉＣ基板１の基板面に偏光レーザ光を照射し、検出部１３によりＳｉＣ基板１からの発光を検出し、表示部１４によりＳｉＣ基板１の発光強度の面内分布を得て、ＳｉＣ基板１の窒素混入量を評価した後、ＳｉＣ基板１の上方に化合物半導体積層構造２を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを実装できる幅を増大し、実装基板上を有効に使用可能な高周波用半導体装置を提供する。
【解決手段】導体ベースプレートと、導体ベースプレート上に配置されたマルチセル構成の半導体チップと、導体ベースプレート上に配置され、半導体チップを内在する矩形のキャビティを形成する金属壁と、金属壁の入出力部に設けられた貫通孔とを備え、半導体チップを、金属壁に囲まれた矩形のキャビティ内において、半導体チップの長手方向が、貫通孔の設けられていない金属壁の延伸方向から０度より大で、９０度より小の所定の角度に配置した半導体装置。 （もっと読む）

【課題】耐圧を向上できる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ＧａＮ系ＨＦＥＴは、ゲート絶縁膜１７をなす半絶縁膜の抵抗率ρが、電流密度が６.２５×１０^−４(Ａ/ｃｍ^２)であるとき、３.９×１０^９Ωｃｍであった。抵抗率ρ＝３.９×１０^９Ωｃｍの半絶縁膜によるゲート絶縁膜１５を備えたことで、１０００Ｖの耐圧が得られた。ゲート絶縁膜の抵抗率が、１×１０^１１Ωｃｍを超えると耐圧が急減し、ゲート絶縁膜の抵抗率が、１×１０^７Ωｃｍを下回るとゲートリーク電流が増大する。 （もっと読む）

【課題】特性ばらつきの少ない絶縁ゲートを備えた窒化物半導体の半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置が備える絶縁ゲートは、窒化物半導体層１上に設けられているアモルファスの酸化シリコン膜２と、酸化シリコン膜２上に設けられているゲート電極８を有している。ゲート電極８に対向する窒化物半導体層１が酸化されている。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤの長さを長くすることなくインダクタンスの値を大きくできる高周波用半導体装置を提供する。
【解決手段】高周波半導体装置１は、マルチセル構成の半導体チップ２４と、整合回路と、半導体チップ２４と整合回路間に並列に接続された複数本のボンディングワイヤ１２、１４とを備え、複数本のボンディングワイヤ１２、１４は、半導体チップ２４に対して平面上で９０°以下の所定の角度を有する。 （もっと読む）

【課題】チャージアップに起因するリーク電流及び閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体層内に、活性領域３０を含むＦＥＴ３４、活性領域３０からなるスクライブライン３６、ＦＥＴ３４とスクライブライン３６との間に位置する不活性領域３２、及び不活性領域３２を横断してＦＥＴ３４とスクライブライン３６とを電気的に接続する接続領域３８を設ける工程と、半導体層上に絶縁膜２０を形成する工程と、ドライエッチング法により絶縁膜２０に選択的に開口部２１を形成する工程と、を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 寄生ダイオードを介したリーク電流を抑えること。
【解決手段】 半導体装置１は、ｃ面を表面とする窒化物半導体の半導体層１３と、厚みが減少する厚み減少部１４ａを有する窒化物半導体のｐ型の埋込み層１４と、を備える。埋込み層１４では、厚み減少部１４ａの内部に酸素濃度がピークとなる部分が存在しており、そのピーク部分と厚み減少部１４ａの傾斜面の間のｐ型不純物の濃度が酸素濃度よりも高い部分が存在する。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフで動作するとともに、高い耐圧と低いオン抵抗を具備した半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１では、ドレイン電極２１が第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ソース電極２９が第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層から電気的に絶縁可能に構成されているとともに第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ゲート部２８が第２ヘテロ接合面３４に対向しており、導通電極２５が第１ヘテロ接合面３２及び第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層の双方に対して電気的に接続可能に構成されている。第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層の電子濃度は、第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層の電子濃度よりも濃い。 （もっと読む）

【課題】櫛型形状のソース電極とドレイン電極が交差指状に配置された電極構造を有し、各櫛形電極の先端部での電界集中が緩和された窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極５と電気的に接続され、ゲート電極５とドレイン電極４間で絶縁膜７上に配置されたゲートフィールドプレート５０と、ソース電極３と電気的に接続され、絶縁膜８を介して窒化物半導体層と対向するようにゲートフィールドプレート５０とドレイン電極４間の上方に配置されたソースフィールドプレート３０とを備え、ゲート電極５とドレイン電極４間の距離、ゲートフィールドプレート５０のドレイン側端部とゲート電極５のドレイン側端部間の距離、及びソースフィールドプレート３０のドレイン側端部とゲートフィールドプレート５０のドレイン側端部間の距離の少なくともいずれかが、ソース電極３とドレイン電極４の、歯部分の直線領域よりも歯部分の先端領域において長い。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体を用い耐圧の異なるトランジスタを作り分ける。
【解決手段】基板１上方に第１、第２ＧａＮ系半導体層３，４、電極層５、第１絶縁膜６を積層し、電極層５及び第１絶縁膜６をパターニングして、第１ゲート電極５と第１絶縁膜６が積層された第１構造と、第２ゲート電極５と第１絶縁膜６が積層された第２構造を形成し、第１、第２構造を覆って第２絶縁膜７を形成し、第１ゲート電極５とその両側領域を露出する第１開口８ＳＤ、第２ゲート電極５を挟んでそれぞれ一方側、他方側に配置された第２、第３開口８Ｓ，８Ｄを有する第１マスクを用いて、第２絶縁膜７を異方性エッチングし、第１開口内８ＳＤにおいて、第１構造の側面上にサイドウォール絶縁膜７ＳＷを残しつつ、第１ゲート電極を挟んでコンタクトホール９Ｓ，９Ｄを形成し、第２、第３開口内に、それぞれコンタクトホール９Ｓ，９Ｄを形成し、各コンタクトホールに電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】 従来に比べて小型で、素子機能部間で、高い周波数の信号を高精度に伝送することができる集積型半導体装置を提供する。
【解決手段】
サファイア単結晶基板１０の一方主面１０Ａ上に配置された第１素子機能部２６と、一方主面上１０Ａに配置された第１アンテナ部２３と、他方主面１０Ｂに配置された第２素子機能部３６と、他方主面１０Ｂ上に配置された第２アンテナ部３３とを備え、第１素子機能部２６が第１アンテナ部２３に送信用電気信号を送り、第１アンテナ部２３が送信用電気信号に応じた電波を発信し、第２アンテナ部３３がサファイア単結晶基板１０を透過した電波を受信することで、高い周波数の信号を基板の上下面で高精度に処理することができる。 （もっと読む）