高周波半導体装置
【課題】半導体チップを実装できる幅を増大し、実装基板上を有効に使用可能な高周波用半導体装置を提供する。
【解決手段】導体ベースプレートと、導体ベースプレート上に配置されたマルチセル構成の半導体チップと、導体ベースプレート上に配置され、半導体チップを内在する矩形のキャビティを形成する金属壁と、金属壁の入出力部に設けられた貫通孔とを備え、半導体チップを、金属壁に囲まれた矩形のキャビティ内において、半導体チップの長手方向が、貫通孔の設けられていない金属壁の延伸方向から0度より大で、90度より小の所定の角度に配置した半導体装置。
【解決手段】導体ベースプレートと、導体ベースプレート上に配置されたマルチセル構成の半導体チップと、導体ベースプレート上に配置され、半導体チップを内在する矩形のキャビティを形成する金属壁と、金属壁の入出力部に設けられた貫通孔とを備え、半導体チップを、金属壁に囲まれた矩形のキャビティ内において、半導体チップの長手方向が、貫通孔の設けられていない金属壁の延伸方向から0度より大で、90度より小の所定の角度に配置した半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、高周波半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
高周波パッケージ装置の空洞(Cavity:キャビティ)はキャビティ幅に依存した共振周波数を有し、キャビティ内に設ける高周波回路は、通常、キャビティ幅に依存した共振周波数と相違する周波数帯で用いられる。たとえば、キャビティ幅に依存した共振周波数を高周波回路の使用周波帯よりも高くしている。
【0003】
ところで、近年、高周波パッケージ装置は高出力化している。高出力化に伴いキャビティに収納する回路素子の数が増加し、キャビティ幅が大きくなる傾向がある。キャビティ幅が大きくなると共振周波数が低くなる。その結果、キャビティ幅に依存した共振周波数と高周波回路の使用周波数が接近し、高周波回路の電気的特性が劣化する。
【0004】
従来の高周波半導体装置においては、パッケージのキャビティは空洞共振周波数を使用周波数以上に保つために、その幅に上限がある。限られた幅に並べられるチップの大きさには上限が生じる。この上限のために、出力電力の上限やチップの密集による温度上昇が生じる。
【0005】
より大きな出力電力を得るために電極本数を増やすと、チップの大きさ(幅)は限られているため、電極間隔を狭めることになる。電極間隔を狭めると発熱密度が高くなり、放熱しにくくなり、結果としてチップの温度が高くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開平10−327031号公報
【特許文献2】特許第4575247号公報
【特許文献3】特開2001−185966号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
従来の高周波半導体装置においては、パッケージの端子が対向する面の中心に配され、一方の端子から分配しながら配線を広げて、半導体チップに信号を供給し、合成しながら配線を束ねて他方の端子に繋げているため、端子の両脇付近が有効に使われていない。
【0008】
本実施の形態は、半導体チップを実装できる幅を増大し、実装基板上を有効に使用可能な高周波半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本実施の形態に係る高周波半導体装置は、導体ベースプレートと、マルチセル構成の半導体チップと、金属壁と、貫通孔とを備える。マルチセル構成の半導体チップは、導体ベースプレート上に配置される。金属壁は、導体ベースプレート上に配置され、半導体チップを内在する矩形のキャビティを形成する。貫通孔は、金属壁の入出力部に設けられる。ここで、半導体チップを、金属壁に囲まれた矩形のキャビティ内において、半導体チップの長手方向が、貫通孔の設けられていない金属壁の延伸方向から0度より大で、90度より小の所定の角度に配置する。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】第1の実施の形態に係る高周波半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図2】図1のI−I線に沿う模式的断面構造図。
【図3】図1のII−II線に沿う模式的断面構造図。
【図4】図1のIII−III線に沿う模式的断面構造図。
【図5】図1のIV−IV線に沿う模式的断面構造図。
【図6】比較例に係る高周波半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図7】第1の実施の形態に係る高周波半導体装置を収納するパッケージの模式的鳥瞰図であって、(a)メタルキャップ10、(b)メタルシールリング10a、(c)金属壁16、(d)導体ベースプレート200、フィードスルー下層部20、フィードスルー上層部22およびフィードスルー下層部20上に配置されたストリップライン19a・19bの模式的構成図。
【図8】(a)第1の実施の形態に係る高周波半導体装置を構成する半導体チップの模式的平面パターン構成の拡大図、(b)図8(a)のJ部分の拡大図。
【図9】第1の実施の形態に係る高周波半導体装置に搭載される半導体チップの構成例であって、図8(b)のV−V線に沿う模式的断面構造図。
【図10】(a)矩形のキャビティのほぼ対角線上に半導体チップが配置されている第1の実施の形態に係る高周波半導体装置において、入力端子Piおよび出力端子Poの配置例、(b)矩形のキャビティのほぼ対角線上に半導体チップが配置されている第1の実施の形態に係る高周波半導体装置において、入力端子Piおよび出力端子Poの別の配置例。
【図11】第2の実施の形態に係る高周波半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図12】第2の実施の形態の変形例1に係る高周波半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図13】第2の実施の変形例2に係る高周波半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【発明を実施するための形態】
【0011】
次に、図面を参照して、実施の形態を説明する。以下において、同じ要素には同じ符号を付して説明の重複を避け、説明を簡略にする。図面は模式的なものであり、現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【0012】
以下に示す実施の形態は、技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、実施の形態は、各構成部品の配置などを下記のものに特定するものでない。この実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【0013】
[第1の実施の形態]
(高周波半導体装置)
第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1の模式的平面パターン構成は、図1に示すように表され、図1のI−I線に沿う模式的断面構造は、図2に示すように表され、図1のII−II線に沿う模式的断面構造は、図3に示すように表され、図1のIII−III線に沿う模式的断面構造は、図4に示すように表され、図1のIV−IV線に沿う模式的断面構造は、図5に示すように表される。
【0014】
また、第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1を収納するパッケージの模式的鳥瞰構成は、図7に示すように表される。図7(a)はメタルキャップ10、図7(b)はメタルシールリング10a、図7(c)は、金属壁16、図7(d)は、導体ベースプレート200、フィードスルー下層部20、フィードスルー上層部22およびフィードスルー下層部20上に配置されたストリップライン19a・19bの模式的構成をそれぞれ表す。
【0015】
第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1は、図1〜図5、および図7に示すように、導体ベースプレート200と、導体ベースプレート200上に配置されたマルチセル構成の半導体チップ24a・24bと、導体ベースプレート200上に配置され、半導体チップ24a・24bを内在する矩形のキャビティを形成する金属壁16と、金属壁16の入出力部に設けられた貫通孔34とを備える。ここで、半導体チップ24a・24bを、金属壁16に囲まれた矩形のキャビティ内において、半導体チップ24a・24bの長手方向が、貫通孔34の設けられていない金属壁の延伸方向から0度より大で、90度より小の所定の角度に配置する。
【0016】
また、第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1は、図1〜図5、および図7に示すように、金属壁16上に配置されたメタルシールリング10aと、メタルシールリング10a上に配置されたメタルキャップ10とを備え、導体ベースプレート200と、導体ベースプレート200上に配置された金属壁16と、金属壁16上に配置されたメタルキャップ10によって、矩形状のキャビティが形成される。
【0017】
また、第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1は、図1〜図5、および図7に示すように、金属壁16に囲まれた導体ベースプレート200上に半導体チップ24a・24bに隣接して配置された入力回路基板26および出力回路基板28と、入力回路基板26上に配置された入力整合回路17a・17b・入力分配回路17c・ストリップライン17dと、出力回路基板28上に配置された出力整合回路18a・18b・出力合成回路18c・ストリップライン18dと、半導体チップ24a・24bと入力整合回路17a・17b・出力整合回路18a・18bを接続する複数本の入力ボンディングワイヤ12a・12b・複数本の出力ボンディングワイヤ14a・14bとを備える。
【0018】
ここで、図1に示すように、入力ボンディングワイヤ12a・12bおよび出力ボンディングワイヤ14a・14bは、半導体チップ24a・24bに対して平面上で90°の角度を有する。
【0019】
また、第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1は、図1〜図5、および図7に示すように、貫通孔34にはめ込まれ、かつ導体ベースプレート200上に配置されたフィードスルー下層部20と、貫通孔34にはめ込まれ、かつフィードスルー下層部20上に配置されたフィードスルー上層部22と、フィードスルー下層部20とフィードスルー上層部22の間に配置された入力ストリップライン19aおよび出力ストリップライン19bと、入力ストリップライン19aおよび出力ストリップライン19b上にそれぞれ配置された入力端子電極21aおよび出力端子電極21bとを備える。
【0020】
第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1においては、図1に示すように、複数チップの半導体チップ24a・24bを配置している。ここで、図1においては、2チップ構成の例が示されているが、さらに3チップ以上であっても同様に構成可能である。
【0021】
また、第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1においては、図1に示すように、2合成の回路パターン例が示されているが、4合成の回路パターン、6合成の回路パターンなどにも同様に適用可能である。
【0022】
また、第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1においては、図1に示すように、半導体チップ24a・24bを金属壁16に囲まれた矩形のキャビティの1つの対角線にほぼ平行に配置している。
【0023】
また、第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1においては、図1に示すように、入力回路基板26および出力回路基板28は、上記の対角線に対してほぼ直交する線上に配置しても良い。
【0024】
また、第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1においては、図1に示すように、入力端子電極21aおよび出力端子電極21bは、上記の対角線に対してほぼ直交する方向に配置しても良い。
【0025】
また、第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1においては、図1に示すように、入力回路基板および出力回路基板は、三角形状を有していても良い。
【0026】
導体ベースプレート200は、例えば、銅、モリブデン、銅モリブデン合金などの導電性金属によって形成されている。さらに、導体ベースプレート200の表面には、例えば、Au、Ni、Ag、Ag−Pt合金、Ag−Pd合金などのメッキ導体を形成してもよい。
【0027】
金属壁16は、例えば、Fe-Ni-Co、アルミニウム、モリブデン、銅モリブデン合金などの導電性金属によって形成される。
【0028】
金属壁16の上面には、メタルシールリング10aを介して、半田付けのためのハンダメタル層(図示省略)が形成される。ハンダメタル層としては、例えば、金ゲルマニウム合金、金錫合金などから形成可能である。
【0029】
メタルキャップ10は、図1に示すように、平板形状を備える。メタルキャップ10は、例えば、Fe-Ni-Co、アルミニウム、モリブデン、銅モリブデン合金などの導電性金属によって形成される。
【0030】
また、フィードスルー下層部20とフィードスルー上層部22は、例えば、セラミックで形成されていても良い。セラミックの材質としては、例えば、アルミナ(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)などから形成可能である。
【0031】
また、端子電極21a・21bは、ストリップライン19a・19b上に銀ロウ付けなどによって固定されている。
【0032】
一方、比較例に係る高周波半導体装置1aの模式的平面パターン構成は、図6に示すように表される。比較例に係る高周波半導体装置1aにおいては、半導体チップ24a・24bを、半導体チップ24a・24bの長手方向が貫通孔34が配置された金属壁16に対して平行に配置している。比較例に係る高周波半導体装置1aにおいては、矩形のキャビティにおいて、辺と並行して半導体チップ24a・24bを配しているため、半導体チップ24a・24bチップを配置できる幅はキャビティーの辺の長さ以下となる。
【0033】
第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1においては、半導体チップ24a・24bを所定の角度に回転させて配置するため、キャビティ内の導体ベースプレート上を有効に活用することができる。例えば、半導体チップ24a・24bを45°回転させて配置する場合には、半導体チップ24a・24bを実装できる幅が比較例に比べて、約1.4倍となる。
【0034】
第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1においては、入力側のフィードスルー構成(20・19a・22)と出力側のフィードスルー構成(20・19b・22)は、図1に示すように、導体ベースプレート200上の互いに対向する辺上において、シフトして配置され、従って、入力端子電極21a・出力端子電極21bもシフトして配置されている。
【0035】
(半導体素子構造)
第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1に搭載される半導体チップ24の模式的平面パターン構成の拡大図は、図8(a)に示すように表され、図8(a)のJ部分の拡大図は、図8(b)に示すように表される。また、実施の形態に係る高周波半導体装置に搭載される半導体チップ24の構成例であって、図8(b)のV−V線に沿う模式的断面構成例は、図9に示すように表される。
【0036】
第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1に搭載される半導体チップ24において、複数のFETセルFET1〜FET8は、図8に示すように、半導体基板110と、半導体基板110の第1表面に配置され、それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極124、ソースフィンガー電極120およびドレインフィンガー電極122と、半導体基板110の第1表面に配置され、ゲートフィンガー電極124、ソースフィンガー電極120およびドレインフィンガー電極122ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成した複数のゲート端子電極G1,G2,…,G8、複数のソース端子電極S1,S2,…,S9よびドレイン端子電極D1,D2,…,D8と、ソース端子電極S1,S2,…,S9の下部に配置されたVIAホールSC1,SC2,…,SC9と、半導体基板110の第1表面と反対側の第2表面に配置され、ソース端子電極S1,S2,…,S9に対してVIAホールSC1,SC2,…,SC9を介して接続された接地電極(図示省略)とを備える。
【0037】
VIAホールSC1,SC2,…,SC9の内壁に形成されたバリア金属層(図示省略)およびバリア金属層上に形成され、VIAホールを充填する充填金属層(図示省略)を介してソース端子電極S1,S2,…,S9は、接地電極(図示省略)に接続される。
【0038】
ゲート端子電極G1,G2,…,G8には、ボンディングワイヤ12が接続され、ドレイン端子電極D1,D2,…,D8には、ボンディングワイヤ14が接続される。
【0039】
半導体基板110は、GaAs基板、SiC基板、GaN基板、SiC基板上にGaNエピタキシャル層を形成した基板、SiC基板上にGaN/AlGaNからなるヘテロ接合エピタキシャル層を形成した基板、サファイア基板、若しくはダイヤモンド基板のいずれかである。
【0040】
(構造例)
第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1に搭載される半導体チップ24のFETセルの構成例は、図9に示すように、半導体基板110と、半導体基板110上に配置された窒化物系化合物半導体層112と、窒化物系化合物半導体層112上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)118と、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)118上に配置されたソースフィンガー電極(S)120、ゲートフィンガー電極(G)124およびドレインフィンガー電極(D)122とを備える。窒化物系化合物半導体層112とアルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)118との界面には、2次元電子ガス(2DEG:Two Dimensional Electron Gas)層116が形成されている。図9に示す構成例では、高電子移動度トランジスタ(HEMT:High Electron Mobility Transistor)が示されている。
【0041】
ソースフィンガー電極120およびドレインフィンガー電極122は、例えば、Ti/Alなどで形成される。ゲートフィンガー電極124は、例えばNi/Auなどで形成することができる。
【0042】
なお、実施の形態に係る高周波半導体装置に搭載される半導体チップ24において、ゲートフィンガー電極124、ソースフィンガー電極120およびドレインフィンガー電極122の長手方向のパターン長は、マイクロ波/ミリ波/サブミリ波と動作周波数が高くなるにつれて、短く設定される。例えば、ミリ波帯においては、パターン長は、約25μm〜50μmである。
【0043】
また、ソースフィンガー電極120の幅は、例えば、約40μm程度であり、ソース端子電極S1,S2,…,S9の幅は、例えば、約100μm程度である。また、VIAホールSC1,SC2,…,SC9の形成幅は、例えば、約10μm〜40μm程度である。
【0044】
矩形のキャビティのほぼ対角線上に半導体チップ24a・24bが配置されている第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1において、入力端子Piおよび出力端子Poの配置例は、図10(a)および図10(b)に示すように表される。図10(a)では、金属壁16の対向する辺に入力端子Piおよび出力端子Poが配置されている。一方、図10(b)では、金属壁16の隣り合う辺に入力端子Piおよび出力端子Poが配置されている。
【0045】
第1の実施の形態によれば、半導体チップ24a・24bを、金属壁16に囲まれた矩形のキャビティ内において、半導体チップ24a・24bの長手方向が、貫通孔34の設けられていない金属壁16の延伸方向から0度より大で、90度より小の所定の角度θに配置することによって、金属壁16に囲まれた矩形のキャビティ内の導体ベースプレート領域を有効利用することができる。
【0046】
第1の実施の形態によれば、マイクロ波やミリ波などの高周波帯で用いる高周波回路を空洞内に収納した高周波半導体装置において、半導体チップを実装できる幅を増大し、実装基板上を有効に使用可能な高周波用半導体装置を提供することができる。
【0047】
[第2の実施の形態]
第2の実施の形態に係る高周波半導体装置の模式的平面パターン構成は、図11に示すように表される。また、第2の実施の形態の変形例1および変形例2に係る高周波半導体装置の模式的平面パターン構成は、図12〜図13に示すように表される。
【0048】
第2の実施の形態およびその変形例1〜変形例2に係る高周波半導体装置1においては、図11〜図13に示すように、複数チップの半導体チップ24a・24bを矩形のキャビティのほぼ対角線上に配置し、かつ出力ボンディングワイヤ14a・14bを、半導体チップ24a・24bに対して平面上で90°以下の所定の角度で斜めに配置している。ここで、図11〜図13においては、2チップ構成の例が示されているが、さらに3チップ以上であっても良い。
【0049】
第2の実施の形態に係る高周波半導体装置1においては、図11に示すように、半導体チップ24a・24bの長手方向が、それぞれ金属壁16の2つの対角線にほぼ並行になるように配置されている。
【0050】
また、出力ボンディングワイヤ14a・14bは、半導体チップ24a・24bに対して平面上で約+45°の角度を有する。尚、入力ボンディングワイヤ12a・12bは、半導体チップ24a・24bに対して平面上で実質的に90°となるように配置されている。
【0051】
また、第2の実施の形態の変形例1に係る高周波半導体装置1においては、図12に示すように、半導体チップ24a・24bを、金属壁16の対角線に対して実質的に平行に配置すると共に、出力ボンディングワイヤ14a・14bは、半導体チップ24a・24bに対して平面上で約−45°の角度を有する。尚、入力ボンディングワイヤ12a・12bは、半導体チップ24a・24bに対して平面上で実質的に90°となるように配置されている。
【0052】
また、第2の実施の形態の変形例2に係る高周波半導体装置1においては、図13に示すように、半導体チップ24a・24bを、金属壁16の対角線に対して実質的に平行に配置すると共に、出力ボンディングワイヤ14a・14bは、半導体チップ24a・24bに対して平面上で約+45°の角度を有する。尚、入力ボンディングワイヤ12a・12bは、半導体チップ24a・24bに対して平面上で実質的に90°となるように配置されている。
【0053】
第2の実施の形態およびその変形例1〜変形例2に係る高周波半導体装置1は、図11〜図13に示すように、導体ベースプレート200と、導体ベースプレート200上に配置された複数チップのマルチセル構成の半導体チップ24a・24bと、半導体チップ24a・24bを内在し、導体ベースプレート200上に配置された金属壁16と、金属壁16に囲まれた導体ベースプレート200上に半導体チップ24a・24bに隣接して配置された入力回路基板26・出力回路基板28と、入力回路基板26上に配置された入力整合回路17a・17b・入力分配回路17c・ストリップライン17dと、出力回路基板28上に配置された出力整合回路18a・18b・出力合成回路18c・ストリップライン18dと、半導体チップ24a・24bと入力整合回路17a・17bおよび出力整合回路18a・18bを接続する複数本の入力ボンディングワイヤ12a・12b・複数本の出力ボンディングワイヤ14a・14bとを備える。ここで、出力ボンディングワイヤ14a・14bは、半導体チップ24a・24bに対して平面上で90°以下の所定の角度を有する。尚、入力ボンディングワイヤ12a・12bは、半導体チップ24a・24bに対して平面上で実質的に90°となるように配置されているが、出力ボンディングワイヤ14a・14bと同様に、半導体チップ24a・24bに対して平面上で90°以下の所定の角度を有していても良い。その他の構成は、第1の実施の形態と同様であるため、重複説明は省略する。
【0054】
[その他の実施の形態]
本実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【0055】
なお、実施の形態に係る高周波半導体装置に搭載される半導体チップとしては、FET、HEMTに限らず、LDMOS(Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)やヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT:Hetero-junction Bipolar Transistor)などの増幅素子なども適用できることは言うまでもない。
【0056】
このように、ここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。
【符号の説明】
【0057】
1…高周波半導体装置
10…メタルキャップ
10a…メタルシールリング
11、12a、12b、14a、14b、15…ボンディングワイヤ
16…パッケージ外壁(金属壁)
17a、17b…入力整合回路
17c…入力分配回路
18a、18b…出力整合回路
18c…出力合成回路
17d、18d、19a、19b…ストリップライン
20…フィードスルー下層部
21、21a、21b…端子電極
22…フィードスルー上層部
24、24a、24b…半導体チップ
26…入力回路基板
28…出力回路基板
34…貫通孔
110…半導体基板
112…窒化物系化合物半導体層(GaNエピタキシャル成長層)
116…2次元電子ガス(2DEG)層
118…アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)
120…ソースフィンガー電極
122…ドレインフィンガー電極
124…ゲートフィンガー電極
200…導体ベースプレート
G,G1,G2,…,G8…ゲート端子電極
S,S1,S1,…,S9…ソース端子電極
D,D1,D2,…,D8…ドレイン端子電極
SC1,SC2,…,SC9…VIAホール
【技術分野】
【0001】
本発明の実施形態は、高周波半導体装置に関する。
【背景技術】
【0002】
高周波パッケージ装置の空洞(Cavity:キャビティ)はキャビティ幅に依存した共振周波数を有し、キャビティ内に設ける高周波回路は、通常、キャビティ幅に依存した共振周波数と相違する周波数帯で用いられる。たとえば、キャビティ幅に依存した共振周波数を高周波回路の使用周波帯よりも高くしている。
【0003】
ところで、近年、高周波パッケージ装置は高出力化している。高出力化に伴いキャビティに収納する回路素子の数が増加し、キャビティ幅が大きくなる傾向がある。キャビティ幅が大きくなると共振周波数が低くなる。その結果、キャビティ幅に依存した共振周波数と高周波回路の使用周波数が接近し、高周波回路の電気的特性が劣化する。
【0004】
従来の高周波半導体装置においては、パッケージのキャビティは空洞共振周波数を使用周波数以上に保つために、その幅に上限がある。限られた幅に並べられるチップの大きさには上限が生じる。この上限のために、出力電力の上限やチップの密集による温度上昇が生じる。
【0005】
より大きな出力電力を得るために電極本数を増やすと、チップの大きさ(幅)は限られているため、電極間隔を狭めることになる。電極間隔を狭めると発熱密度が高くなり、放熱しにくくなり、結果としてチップの温度が高くなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0006】
【特許文献1】特開平10−327031号公報
【特許文献2】特許第4575247号公報
【特許文献3】特開2001−185966号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
従来の高周波半導体装置においては、パッケージの端子が対向する面の中心に配され、一方の端子から分配しながら配線を広げて、半導体チップに信号を供給し、合成しながら配線を束ねて他方の端子に繋げているため、端子の両脇付近が有効に使われていない。
【0008】
本実施の形態は、半導体チップを実装できる幅を増大し、実装基板上を有効に使用可能な高周波半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0009】
本実施の形態に係る高周波半導体装置は、導体ベースプレートと、マルチセル構成の半導体チップと、金属壁と、貫通孔とを備える。マルチセル構成の半導体チップは、導体ベースプレート上に配置される。金属壁は、導体ベースプレート上に配置され、半導体チップを内在する矩形のキャビティを形成する。貫通孔は、金属壁の入出力部に設けられる。ここで、半導体チップを、金属壁に囲まれた矩形のキャビティ内において、半導体チップの長手方向が、貫通孔の設けられていない金属壁の延伸方向から0度より大で、90度より小の所定の角度に配置する。
【図面の簡単な説明】
【0010】
【図1】第1の実施の形態に係る高周波半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図2】図1のI−I線に沿う模式的断面構造図。
【図3】図1のII−II線に沿う模式的断面構造図。
【図4】図1のIII−III線に沿う模式的断面構造図。
【図5】図1のIV−IV線に沿う模式的断面構造図。
【図6】比較例に係る高周波半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図7】第1の実施の形態に係る高周波半導体装置を収納するパッケージの模式的鳥瞰図であって、(a)メタルキャップ10、(b)メタルシールリング10a、(c)金属壁16、(d)導体ベースプレート200、フィードスルー下層部20、フィードスルー上層部22およびフィードスルー下層部20上に配置されたストリップライン19a・19bの模式的構成図。
【図8】(a)第1の実施の形態に係る高周波半導体装置を構成する半導体チップの模式的平面パターン構成の拡大図、(b)図8(a)のJ部分の拡大図。
【図9】第1の実施の形態に係る高周波半導体装置に搭載される半導体チップの構成例であって、図8(b)のV−V線に沿う模式的断面構造図。
【図10】(a)矩形のキャビティのほぼ対角線上に半導体チップが配置されている第1の実施の形態に係る高周波半導体装置において、入力端子Piおよび出力端子Poの配置例、(b)矩形のキャビティのほぼ対角線上に半導体チップが配置されている第1の実施の形態に係る高周波半導体装置において、入力端子Piおよび出力端子Poの別の配置例。
【図11】第2の実施の形態に係る高周波半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図12】第2の実施の形態の変形例1に係る高周波半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【図13】第2の実施の変形例2に係る高周波半導体装置の模式的平面パターン構成図。
【発明を実施するための形態】
【0011】
次に、図面を参照して、実施の形態を説明する。以下において、同じ要素には同じ符号を付して説明の重複を避け、説明を簡略にする。図面は模式的なものであり、現実のものとは異なることに留意すべきである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
【0012】
以下に示す実施の形態は、技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、実施の形態は、各構成部品の配置などを下記のものに特定するものでない。この実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【0013】
[第1の実施の形態]
(高周波半導体装置)
第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1の模式的平面パターン構成は、図1に示すように表され、図1のI−I線に沿う模式的断面構造は、図2に示すように表され、図1のII−II線に沿う模式的断面構造は、図3に示すように表され、図1のIII−III線に沿う模式的断面構造は、図4に示すように表され、図1のIV−IV線に沿う模式的断面構造は、図5に示すように表される。
【0014】
また、第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1を収納するパッケージの模式的鳥瞰構成は、図7に示すように表される。図7(a)はメタルキャップ10、図7(b)はメタルシールリング10a、図7(c)は、金属壁16、図7(d)は、導体ベースプレート200、フィードスルー下層部20、フィードスルー上層部22およびフィードスルー下層部20上に配置されたストリップライン19a・19bの模式的構成をそれぞれ表す。
【0015】
第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1は、図1〜図5、および図7に示すように、導体ベースプレート200と、導体ベースプレート200上に配置されたマルチセル構成の半導体チップ24a・24bと、導体ベースプレート200上に配置され、半導体チップ24a・24bを内在する矩形のキャビティを形成する金属壁16と、金属壁16の入出力部に設けられた貫通孔34とを備える。ここで、半導体チップ24a・24bを、金属壁16に囲まれた矩形のキャビティ内において、半導体チップ24a・24bの長手方向が、貫通孔34の設けられていない金属壁の延伸方向から0度より大で、90度より小の所定の角度に配置する。
【0016】
また、第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1は、図1〜図5、および図7に示すように、金属壁16上に配置されたメタルシールリング10aと、メタルシールリング10a上に配置されたメタルキャップ10とを備え、導体ベースプレート200と、導体ベースプレート200上に配置された金属壁16と、金属壁16上に配置されたメタルキャップ10によって、矩形状のキャビティが形成される。
【0017】
また、第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1は、図1〜図5、および図7に示すように、金属壁16に囲まれた導体ベースプレート200上に半導体チップ24a・24bに隣接して配置された入力回路基板26および出力回路基板28と、入力回路基板26上に配置された入力整合回路17a・17b・入力分配回路17c・ストリップライン17dと、出力回路基板28上に配置された出力整合回路18a・18b・出力合成回路18c・ストリップライン18dと、半導体チップ24a・24bと入力整合回路17a・17b・出力整合回路18a・18bを接続する複数本の入力ボンディングワイヤ12a・12b・複数本の出力ボンディングワイヤ14a・14bとを備える。
【0018】
ここで、図1に示すように、入力ボンディングワイヤ12a・12bおよび出力ボンディングワイヤ14a・14bは、半導体チップ24a・24bに対して平面上で90°の角度を有する。
【0019】
また、第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1は、図1〜図5、および図7に示すように、貫通孔34にはめ込まれ、かつ導体ベースプレート200上に配置されたフィードスルー下層部20と、貫通孔34にはめ込まれ、かつフィードスルー下層部20上に配置されたフィードスルー上層部22と、フィードスルー下層部20とフィードスルー上層部22の間に配置された入力ストリップライン19aおよび出力ストリップライン19bと、入力ストリップライン19aおよび出力ストリップライン19b上にそれぞれ配置された入力端子電極21aおよび出力端子電極21bとを備える。
【0020】
第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1においては、図1に示すように、複数チップの半導体チップ24a・24bを配置している。ここで、図1においては、2チップ構成の例が示されているが、さらに3チップ以上であっても同様に構成可能である。
【0021】
また、第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1においては、図1に示すように、2合成の回路パターン例が示されているが、4合成の回路パターン、6合成の回路パターンなどにも同様に適用可能である。
【0022】
また、第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1においては、図1に示すように、半導体チップ24a・24bを金属壁16に囲まれた矩形のキャビティの1つの対角線にほぼ平行に配置している。
【0023】
また、第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1においては、図1に示すように、入力回路基板26および出力回路基板28は、上記の対角線に対してほぼ直交する線上に配置しても良い。
【0024】
また、第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1においては、図1に示すように、入力端子電極21aおよび出力端子電極21bは、上記の対角線に対してほぼ直交する方向に配置しても良い。
【0025】
また、第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1においては、図1に示すように、入力回路基板および出力回路基板は、三角形状を有していても良い。
【0026】
導体ベースプレート200は、例えば、銅、モリブデン、銅モリブデン合金などの導電性金属によって形成されている。さらに、導体ベースプレート200の表面には、例えば、Au、Ni、Ag、Ag−Pt合金、Ag−Pd合金などのメッキ導体を形成してもよい。
【0027】
金属壁16は、例えば、Fe-Ni-Co、アルミニウム、モリブデン、銅モリブデン合金などの導電性金属によって形成される。
【0028】
金属壁16の上面には、メタルシールリング10aを介して、半田付けのためのハンダメタル層(図示省略)が形成される。ハンダメタル層としては、例えば、金ゲルマニウム合金、金錫合金などから形成可能である。
【0029】
メタルキャップ10は、図1に示すように、平板形状を備える。メタルキャップ10は、例えば、Fe-Ni-Co、アルミニウム、モリブデン、銅モリブデン合金などの導電性金属によって形成される。
【0030】
また、フィードスルー下層部20とフィードスルー上層部22は、例えば、セラミックで形成されていても良い。セラミックの材質としては、例えば、アルミナ(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)などから形成可能である。
【0031】
また、端子電極21a・21bは、ストリップライン19a・19b上に銀ロウ付けなどによって固定されている。
【0032】
一方、比較例に係る高周波半導体装置1aの模式的平面パターン構成は、図6に示すように表される。比較例に係る高周波半導体装置1aにおいては、半導体チップ24a・24bを、半導体チップ24a・24bの長手方向が貫通孔34が配置された金属壁16に対して平行に配置している。比較例に係る高周波半導体装置1aにおいては、矩形のキャビティにおいて、辺と並行して半導体チップ24a・24bを配しているため、半導体チップ24a・24bチップを配置できる幅はキャビティーの辺の長さ以下となる。
【0033】
第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1においては、半導体チップ24a・24bを所定の角度に回転させて配置するため、キャビティ内の導体ベースプレート上を有効に活用することができる。例えば、半導体チップ24a・24bを45°回転させて配置する場合には、半導体チップ24a・24bを実装できる幅が比較例に比べて、約1.4倍となる。
【0034】
第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1においては、入力側のフィードスルー構成(20・19a・22)と出力側のフィードスルー構成(20・19b・22)は、図1に示すように、導体ベースプレート200上の互いに対向する辺上において、シフトして配置され、従って、入力端子電極21a・出力端子電極21bもシフトして配置されている。
【0035】
(半導体素子構造)
第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1に搭載される半導体チップ24の模式的平面パターン構成の拡大図は、図8(a)に示すように表され、図8(a)のJ部分の拡大図は、図8(b)に示すように表される。また、実施の形態に係る高周波半導体装置に搭載される半導体チップ24の構成例であって、図8(b)のV−V線に沿う模式的断面構成例は、図9に示すように表される。
【0036】
第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1に搭載される半導体チップ24において、複数のFETセルFET1〜FET8は、図8に示すように、半導体基板110と、半導体基板110の第1表面に配置され、それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極124、ソースフィンガー電極120およびドレインフィンガー電極122と、半導体基板110の第1表面に配置され、ゲートフィンガー電極124、ソースフィンガー電極120およびドレインフィンガー電極122ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成した複数のゲート端子電極G1,G2,…,G8、複数のソース端子電極S1,S2,…,S9よびドレイン端子電極D1,D2,…,D8と、ソース端子電極S1,S2,…,S9の下部に配置されたVIAホールSC1,SC2,…,SC9と、半導体基板110の第1表面と反対側の第2表面に配置され、ソース端子電極S1,S2,…,S9に対してVIAホールSC1,SC2,…,SC9を介して接続された接地電極(図示省略)とを備える。
【0037】
VIAホールSC1,SC2,…,SC9の内壁に形成されたバリア金属層(図示省略)およびバリア金属層上に形成され、VIAホールを充填する充填金属層(図示省略)を介してソース端子電極S1,S2,…,S9は、接地電極(図示省略)に接続される。
【0038】
ゲート端子電極G1,G2,…,G8には、ボンディングワイヤ12が接続され、ドレイン端子電極D1,D2,…,D8には、ボンディングワイヤ14が接続される。
【0039】
半導体基板110は、GaAs基板、SiC基板、GaN基板、SiC基板上にGaNエピタキシャル層を形成した基板、SiC基板上にGaN/AlGaNからなるヘテロ接合エピタキシャル層を形成した基板、サファイア基板、若しくはダイヤモンド基板のいずれかである。
【0040】
(構造例)
第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1に搭載される半導体チップ24のFETセルの構成例は、図9に示すように、半導体基板110と、半導体基板110上に配置された窒化物系化合物半導体層112と、窒化物系化合物半導体層112上に配置されたアルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)118と、アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)118上に配置されたソースフィンガー電極(S)120、ゲートフィンガー電極(G)124およびドレインフィンガー電極(D)122とを備える。窒化物系化合物半導体層112とアルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)118との界面には、2次元電子ガス(2DEG:Two Dimensional Electron Gas)層116が形成されている。図9に示す構成例では、高電子移動度トランジスタ(HEMT:High Electron Mobility Transistor)が示されている。
【0041】
ソースフィンガー電極120およびドレインフィンガー電極122は、例えば、Ti/Alなどで形成される。ゲートフィンガー電極124は、例えばNi/Auなどで形成することができる。
【0042】
なお、実施の形態に係る高周波半導体装置に搭載される半導体チップ24において、ゲートフィンガー電極124、ソースフィンガー電極120およびドレインフィンガー電極122の長手方向のパターン長は、マイクロ波/ミリ波/サブミリ波と動作周波数が高くなるにつれて、短く設定される。例えば、ミリ波帯においては、パターン長は、約25μm〜50μmである。
【0043】
また、ソースフィンガー電極120の幅は、例えば、約40μm程度であり、ソース端子電極S1,S2,…,S9の幅は、例えば、約100μm程度である。また、VIAホールSC1,SC2,…,SC9の形成幅は、例えば、約10μm〜40μm程度である。
【0044】
矩形のキャビティのほぼ対角線上に半導体チップ24a・24bが配置されている第1の実施の形態に係る高周波半導体装置1において、入力端子Piおよび出力端子Poの配置例は、図10(a)および図10(b)に示すように表される。図10(a)では、金属壁16の対向する辺に入力端子Piおよび出力端子Poが配置されている。一方、図10(b)では、金属壁16の隣り合う辺に入力端子Piおよび出力端子Poが配置されている。
【0045】
第1の実施の形態によれば、半導体チップ24a・24bを、金属壁16に囲まれた矩形のキャビティ内において、半導体チップ24a・24bの長手方向が、貫通孔34の設けられていない金属壁16の延伸方向から0度より大で、90度より小の所定の角度θに配置することによって、金属壁16に囲まれた矩形のキャビティ内の導体ベースプレート領域を有効利用することができる。
【0046】
第1の実施の形態によれば、マイクロ波やミリ波などの高周波帯で用いる高周波回路を空洞内に収納した高周波半導体装置において、半導体チップを実装できる幅を増大し、実装基板上を有効に使用可能な高周波用半導体装置を提供することができる。
【0047】
[第2の実施の形態]
第2の実施の形態に係る高周波半導体装置の模式的平面パターン構成は、図11に示すように表される。また、第2の実施の形態の変形例1および変形例2に係る高周波半導体装置の模式的平面パターン構成は、図12〜図13に示すように表される。
【0048】
第2の実施の形態およびその変形例1〜変形例2に係る高周波半導体装置1においては、図11〜図13に示すように、複数チップの半導体チップ24a・24bを矩形のキャビティのほぼ対角線上に配置し、かつ出力ボンディングワイヤ14a・14bを、半導体チップ24a・24bに対して平面上で90°以下の所定の角度で斜めに配置している。ここで、図11〜図13においては、2チップ構成の例が示されているが、さらに3チップ以上であっても良い。
【0049】
第2の実施の形態に係る高周波半導体装置1においては、図11に示すように、半導体チップ24a・24bの長手方向が、それぞれ金属壁16の2つの対角線にほぼ並行になるように配置されている。
【0050】
また、出力ボンディングワイヤ14a・14bは、半導体チップ24a・24bに対して平面上で約+45°の角度を有する。尚、入力ボンディングワイヤ12a・12bは、半導体チップ24a・24bに対して平面上で実質的に90°となるように配置されている。
【0051】
また、第2の実施の形態の変形例1に係る高周波半導体装置1においては、図12に示すように、半導体チップ24a・24bを、金属壁16の対角線に対して実質的に平行に配置すると共に、出力ボンディングワイヤ14a・14bは、半導体チップ24a・24bに対して平面上で約−45°の角度を有する。尚、入力ボンディングワイヤ12a・12bは、半導体チップ24a・24bに対して平面上で実質的に90°となるように配置されている。
【0052】
また、第2の実施の形態の変形例2に係る高周波半導体装置1においては、図13に示すように、半導体チップ24a・24bを、金属壁16の対角線に対して実質的に平行に配置すると共に、出力ボンディングワイヤ14a・14bは、半導体チップ24a・24bに対して平面上で約+45°の角度を有する。尚、入力ボンディングワイヤ12a・12bは、半導体チップ24a・24bに対して平面上で実質的に90°となるように配置されている。
【0053】
第2の実施の形態およびその変形例1〜変形例2に係る高周波半導体装置1は、図11〜図13に示すように、導体ベースプレート200と、導体ベースプレート200上に配置された複数チップのマルチセル構成の半導体チップ24a・24bと、半導体チップ24a・24bを内在し、導体ベースプレート200上に配置された金属壁16と、金属壁16に囲まれた導体ベースプレート200上に半導体チップ24a・24bに隣接して配置された入力回路基板26・出力回路基板28と、入力回路基板26上に配置された入力整合回路17a・17b・入力分配回路17c・ストリップライン17dと、出力回路基板28上に配置された出力整合回路18a・18b・出力合成回路18c・ストリップライン18dと、半導体チップ24a・24bと入力整合回路17a・17bおよび出力整合回路18a・18bを接続する複数本の入力ボンディングワイヤ12a・12b・複数本の出力ボンディングワイヤ14a・14bとを備える。ここで、出力ボンディングワイヤ14a・14bは、半導体チップ24a・24bに対して平面上で90°以下の所定の角度を有する。尚、入力ボンディングワイヤ12a・12bは、半導体チップ24a・24bに対して平面上で実質的に90°となるように配置されているが、出力ボンディングワイヤ14a・14bと同様に、半導体チップ24a・24bに対して平面上で90°以下の所定の角度を有していても良い。その他の構成は、第1の実施の形態と同様であるため、重複説明は省略する。
【0054】
[その他の実施の形態]
本実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。この実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【0055】
なお、実施の形態に係る高周波半導体装置に搭載される半導体チップとしては、FET、HEMTに限らず、LDMOS(Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)やヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT:Hetero-junction Bipolar Transistor)などの増幅素子なども適用できることは言うまでもない。
【0056】
このように、ここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。
【符号の説明】
【0057】
1…高周波半導体装置
10…メタルキャップ
10a…メタルシールリング
11、12a、12b、14a、14b、15…ボンディングワイヤ
16…パッケージ外壁(金属壁)
17a、17b…入力整合回路
17c…入力分配回路
18a、18b…出力整合回路
18c…出力合成回路
17d、18d、19a、19b…ストリップライン
20…フィードスルー下層部
21、21a、21b…端子電極
22…フィードスルー上層部
24、24a、24b…半導体チップ
26…入力回路基板
28…出力回路基板
34…貫通孔
110…半導体基板
112…窒化物系化合物半導体層(GaNエピタキシャル成長層)
116…2次元電子ガス(2DEG)層
118…アルミニウム窒化ガリウム層(AlxGa1-xN)(0.1≦x≦1)
120…ソースフィンガー電極
122…ドレインフィンガー電極
124…ゲートフィンガー電極
200…導体ベースプレート
G,G1,G2,…,G8…ゲート端子電極
S,S1,S1,…,S9…ソース端子電極
D,D1,D2,…,D8…ドレイン端子電極
SC1,SC2,…,SC9…VIAホール
【特許請求の範囲】
【請求項1】
導体ベースプレートと、
前記導体ベースプレート上に配置されたマルチセル構成の半導体チップと、
前記導体ベースプレート上に配置され、前記半導体チップを内在する矩形のキャビティを形成する金属壁と、
前記金属壁の入出力部に設けられた貫通孔と
を備え、前記半導体チップを、前記金属壁に囲まれた矩形のキャビティ内において、前記半導体チップの長手方向が、前記貫通孔の設けられていない前記金属壁の延伸方向から0度より大で、90度より小の所定の角度に配置したことを特徴とする高周波半導体装置。
【請求項2】
前記金属壁に囲まれた前記導体ベースプレート上に前記半導体チップに隣接して配置された入力回路基板および出力回路基板と、
前記入力回路基板上に配置された入力整合回路および入力分配回路と、
前記出力回路基板上に配置された出力整合回路および出力合成回路と、
前記半導体チップと前記入力整合回路および前記出力整合回路を接続する複数本の入力ボンディングワイヤおよび複数本の出力ボンディングワイヤと
を備えることを特徴とする請求項1に記載の高周波半導体装置。
【請求項3】
前記貫通孔にはめ込まれ、かつ前記導体ベースプレート上に配置されたフィードスルー下層部と、
前記貫通孔にはめ込まれ、かつ前記フィードスルー下層部上に配置されたフィードスルー上層部と、
前記フィードスルー下層部と前記フィードスルー上層部の間に配置された入力ストリップラインおよび出力ストリップラインと、
前記入力ストリップラインおよび前記出力ストリップラインストリップライン上にそれぞれ配置された入力端子電極および出力端子電極と
を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の高周波半導体装置。
【請求項4】
前記半導体チップを複数チップ配置したことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の高周波半導体装置。
【請求項5】
前記半導体チップを前記金属壁に囲まれた矩形のキャビティのほぼ対角線に平行に配置したことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の高周波半導体装置。
【請求項6】
前記半導体チップを、前記半導体チップの長手方向がそれぞれ金属壁の2つの対角線に対してほぼ平行なるように配置したことを特徴とする請求項5に記載の高周波半導体装置。
【請求項7】
前記入力回路基板および前記出力回路基板は、前記対角線に対してほぼ直交する線上に配置したことを特徴とする請求項5に記載の高周波半導体装置。
【請求項8】
前記入力回路基板および前記出力回路基板は、三角形状を有することを特徴とする請求項7に記載の高周波半導体装置。
【請求項9】
前記半導体チップは、
半導体基板と、
前記半導体基板の第1表面に配置され,それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極、ソースフィンガー電極およびドレインフィンガー電極と、
前記半導体基板の第1表面に配置され,前記ゲートフィンガー電極、前記ソースフィンガー電極および前記ドレインフィンガー電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成した複数のゲート端子電極、複数のソース端子電極および複数の前記ドレイン端子電極と、
前記ソース端子電極の下部に配置されたVIAホールと、
前記半導体基板の第1表面と反対側の第2表面に配置され、前記ソース端子電極に対して前記VIAホールを介して接続された接地電極と
を備えることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の高周波半導体装置。
【請求項10】
前記半導体基板は、GaAs基板、SiC基板、GaN基板、SiC、Si、もしくはサファイア基板上にGaNエピタキシャル層を形成した基板、SiC、Si、もしくはサファイア基板上にGaN/AlGaNからなるヘテロ接合エピタキシャル層を形成した基板、若しくはダイヤモンド基板のいずれかであることを特徴とする請求項9に記載の高周波半導体装置。
【請求項1】
導体ベースプレートと、
前記導体ベースプレート上に配置されたマルチセル構成の半導体チップと、
前記導体ベースプレート上に配置され、前記半導体チップを内在する矩形のキャビティを形成する金属壁と、
前記金属壁の入出力部に設けられた貫通孔と
を備え、前記半導体チップを、前記金属壁に囲まれた矩形のキャビティ内において、前記半導体チップの長手方向が、前記貫通孔の設けられていない前記金属壁の延伸方向から0度より大で、90度より小の所定の角度に配置したことを特徴とする高周波半導体装置。
【請求項2】
前記金属壁に囲まれた前記導体ベースプレート上に前記半導体チップに隣接して配置された入力回路基板および出力回路基板と、
前記入力回路基板上に配置された入力整合回路および入力分配回路と、
前記出力回路基板上に配置された出力整合回路および出力合成回路と、
前記半導体チップと前記入力整合回路および前記出力整合回路を接続する複数本の入力ボンディングワイヤおよび複数本の出力ボンディングワイヤと
を備えることを特徴とする請求項1に記載の高周波半導体装置。
【請求項3】
前記貫通孔にはめ込まれ、かつ前記導体ベースプレート上に配置されたフィードスルー下層部と、
前記貫通孔にはめ込まれ、かつ前記フィードスルー下層部上に配置されたフィードスルー上層部と、
前記フィードスルー下層部と前記フィードスルー上層部の間に配置された入力ストリップラインおよび出力ストリップラインと、
前記入力ストリップラインおよび前記出力ストリップラインストリップライン上にそれぞれ配置された入力端子電極および出力端子電極と
を備えることを特徴とする請求項1または2に記載の高周波半導体装置。
【請求項4】
前記半導体チップを複数チップ配置したことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の高周波半導体装置。
【請求項5】
前記半導体チップを前記金属壁に囲まれた矩形のキャビティのほぼ対角線に平行に配置したことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の高周波半導体装置。
【請求項6】
前記半導体チップを、前記半導体チップの長手方向がそれぞれ金属壁の2つの対角線に対してほぼ平行なるように配置したことを特徴とする請求項5に記載の高周波半導体装置。
【請求項7】
前記入力回路基板および前記出力回路基板は、前記対角線に対してほぼ直交する線上に配置したことを特徴とする請求項5に記載の高周波半導体装置。
【請求項8】
前記入力回路基板および前記出力回路基板は、三角形状を有することを特徴とする請求項7に記載の高周波半導体装置。
【請求項9】
前記半導体チップは、
半導体基板と、
前記半導体基板の第1表面に配置され,それぞれ複数のフィンガーを有するゲートフィンガー電極、ソースフィンガー電極およびドレインフィンガー電極と、
前記半導体基板の第1表面に配置され,前記ゲートフィンガー電極、前記ソースフィンガー電極および前記ドレインフィンガー電極ごとに複数のフィンガーをそれぞれ束ねて形成した複数のゲート端子電極、複数のソース端子電極および複数の前記ドレイン端子電極と、
前記ソース端子電極の下部に配置されたVIAホールと、
前記半導体基板の第1表面と反対側の第2表面に配置され、前記ソース端子電極に対して前記VIAホールを介して接続された接地電極と
を備えることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の高周波半導体装置。
【請求項10】
前記半導体基板は、GaAs基板、SiC基板、GaN基板、SiC、Si、もしくはサファイア基板上にGaNエピタキシャル層を形成した基板、SiC、Si、もしくはサファイア基板上にGaN/AlGaNからなるヘテロ接合エピタキシャル層を形成した基板、若しくはダイヤモンド基板のいずれかであることを特徴とする請求項9に記載の高周波半導体装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図8】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図8】
【公開番号】特開2013−105977(P2013−105977A)
【公開日】平成25年5月30日(2013.5.30)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−250463(P2011−250463)
【出願日】平成23年11月16日(2011.11.16)
【出願人】(000003078)株式会社東芝 (54,554)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年5月30日(2013.5.30)
【国際特許分類】
【出願日】平成23年11月16日(2011.11.16)
【出願人】(000003078)株式会社東芝 (54,554)
【Fターム(参考)】
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