【課題】優れたホール輸送性を有する重合体を提供すること。
【解決手段】式（１）で表される構造単位及び式（２）で表される構造単位を有する重合体。
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【課題】ドレイン電極からのホールリークが防止された横型のＦＥＴを提供することを課題とする。
【解決手段】基板の表面上に形成された第１導電型のチャネル層と、前記チャネル層上に形成されたソース電極、ドレイン電極及びゲート電極とを備え、前記ソース電極及びドレイン電極を前記チャネル層とオーミックコンタクトさせて電界効果型トランジスタを構成し、前記ドレイン電極の下部の前記チャネル層に第１導電型の拡散領域を備え、前記拡散領域が、式（１）Ｎｓ≧ε×Ｖｍａｘ／（ｑ×ｔ）（式中、εは前記チャネル層の誘電率［Ｆ／ｍ］、Ｖｍａｘは前記電界効果型トランジスタの仕様最大電圧［Ｖ］、ｑは電荷量（１．６０９×１０^-19）［Ｃ］、ｔは前記基板の表面から前記拡散領域の底面までの距離［ｍ］である）で表されるシート不純物濃度Ｎｓ［ｃｍ^-2］を有していることを特徴とする電界効果型トランジスタにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を有し光起電力を利用する有機電子デバイス、該デバイスを容易なプロセスで作製する方法を提供する。
【解決手段】従来とは異なる特定の環状構造のビシクロ化合物を溶媒に溶解した溶液を基板上に塗布することにより膜を製膜し、次いで加熱等の外部作用を加えることで、該ビシクロ化合物からエチレン誘導体を脱離させることにより基板上で変換された化合物を有機半導体として用いてなる光起電力を利用する有機電子デバイス、及びその作製方法。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯトランジスタ又はＨＥＭＴのようなＺｎＯデバイスにおいて、ソース・ドレインのコンタクト抵抗を減少させることを課題とする。
【解決手段】 Ｚｎ極性面を有するアンドープＺｎＯ層をチャンネル層とし、該Ｚｎ極性面を有するＺｎＯ層上には、極性面反転層を介して、ソース・ドレインに接続されたＯ極性高濃度ｎ型ＺｎＯ層が、選択的に形成されていることを特徴とするＺｎＯデバイスである。 （もっと読む）

【課題】 有機物を利用して薄膜トランジスタを製造しようとする場合、有機半導体薄膜のキャリア移動度が小さく、実用的な動作速度を有する有機薄膜トランジスタは得られなかった。この課題を解決するために縦型有機薄膜トランジスタが検討され、高速動作が期待されているが、十分な電流オンオフ比が得られないという課題がある。
【解決手段】 本発明の有機薄膜トランジスタは、基板上に第１の電極（ソース又はドレイン）、第１の有機半導体層、第３の電極（ゲート）、第２の有機半導体層、第２の電極（ドレイン又はソース）の順に積層した構造を有する。第３の電極の膜厚を８０ｎｍ以上の厚膜とする。第３の電極の膜厚を厚くすることで、大きなオンオフ比を有する有機薄膜トランジスタが得られる。 （もっと読む）

【課題】 有機物を利用して薄膜トランジスタを製造しようとする場合、有機半導体薄膜のキャリア移動度が小さく、実用的な動作速度を有する有機薄膜トランジスタは得られなかった。この課題を解決するために縦型有機薄膜トランジスタも検討され、高速動作が期待されているが、十分な電流オンオフ比が得られないという課題がある。
【解決手段】 本発明の有機薄膜トランジスタは、基板上に第１の電極（ソース又はドレイン）、第１の有機半導体層、第３の電極（ゲート）、第２の有機半導体層、第２の電極（ドレイン又はソース）の順に積層した構造を有する。第３の電極と第２の電極の平面パターン形状を、開口部を有する同一平面パターン形状とする。これらの構造とすることで、大きなオンオフ比を有する有機薄膜トランジスタが得られる。 （もっと読む）

【課題】 有機物を利用して薄膜トランジスタを製造しようとする場合、有機半導体薄膜のキャリア移動度が小さく、実用的な動作速度を有する有機薄膜トランジスタは得られなかった。この課題を解決するために縦型有機薄膜トランジスタが検討され、高速動作が期待されているが、十分な電流オンオフ比が得られないという課題がある。
【解決手段】 本発明の有機薄膜トランジスタは、第３の電極と第２の電極を有機半導体層の形成前に成膜し、同時にパターニングする。このように第３の電極の直上に同一の形状を有する第２の電極を配置する。その後第３の電極と第２の電極の一部もしくは全てを覆うように第１の電極上に有機半導体層を形成する。本発明によれば、良好な製造歩留まりで製造でき、かつ電流オンオフ比の大きな有機薄膜トランジスタが得られる。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造し、有害環境問題を解決し、性能を向上させることができるうえ、特定類型の電子機器に広く適用できるようにする、酸化チタニウムを活性層として有する薄膜トランジスタの製造方法およびその構造を提供すること。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタは、基板と、前記基板上に多結晶ないし非晶質の酸化チタニウムを用いて形成される活性層と、前記活性層上に形成される絶縁膜とを含む。また、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板を形成する段階と、前記基板上に多結晶ないし非晶質の酸化チタニウムを用いて活性層を形成する段階と、前記活性層上に絶縁膜を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に形成可能であり、かつ、負性微分抵抗を顕著に発現し得る共鳴トンネル素子及びその製造方法並びに記憶素子を実現する。
【解決手段】本発明の共鳴トンネル素子６は、エネルギー障壁を両端として、量子井戸とエネルギー障壁とが交互に連続するように形成されてなる多重障壁構造を有している。エネルギー障壁は熱酸化膜２であり、かつ量子井戸は金属ナノ粒子３である。負イオン注入によって、熱酸化膜２中に金属ナノ粒子３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉなどの基板を用いつつ高い耐圧が得られる窒化物半導体素子を提供する
【解決手段】 基板１に凹凸をつけることにより転位などの結晶欠陥８を発生させる箇所をその段差部分に限定し、それ以外の部分では良質なＧａＮ結晶を得ることができる。結晶欠陥が少ない領域に素子の高電圧が印加されるゲート電極７、ドレイン電極６を配置し、クラックが発生しやすい段差部分に電圧の印加されないソース電極５を配置する （もっと読む）

【課題】 形成する半導体素子の信頼性及び歩留まりを向上させるとともに、その形成工程を効率化する半導体層堆積用基板を得る。
【解決手段】 ベースとなるサファイア基板２上に、堆積する窒化ガリウム（ＧａＮ）の劈開面の方向に沿って複数の線状の突起３を形成しておき、窒化ガリウム（ＧａＮ）層５を堆積したときに、その層内に発生する応力を線状の突起３の上層にあたる部位に集中させることによって、この部位の窒化ガリウム（ＧａＮ）層５に積極的にクラック６を発生させる。また、サファイア基板２上に位置検出用マーク４を設け、露光装置による素子の形成位置の検出を容易にするとともに、その設ける位置を複数の線状の突起３のあいだとして、不規則なクラックの発生を抑えた安定な窒化ガリウム（ＧａＮ）層５の部位に対応させる。 （もっと読む）

【課題】ナノスケールを有する新規なカーボン構造物であるカーボンナノウォールの処理方法、カーボンナノウォール、カーボンナノウォールデバイスを提供する。
【解決手段】カーボンナノウォール（ＣＮＷ）に対して形状処理を行う。形状処理としてはプラズマエッチング等のドライエッチング処理を採用できる。カーボンナノウォールを構成するグラフェンシートの少なくも先端部の厚みを根元部の厚みよりも減少させることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、安定した双安定特性を持ち、遷移電圧が高く、かつ繰返し性能に優れたスイッチング素子を提供する。 電極間に印加される電圧に対して２種類の安定な抵抗値を持つスイッチング素子であって、基板上に第１電極層、有機双安定材料層、第２電極層の順に薄膜として形成されており、有機双安定材料層を構成する有機双安定材料がキノメタン系化合物又はモノキノメタン系化合物である。また、有機双安定材料層中に第２電極層を構成する金属が拡散している。第２電極層は蒸着により形成され、蒸着時の基板の温度が３０〜１５０℃であることが好ましい。 （もっと読む）

【解決手段】 金属／固体電解質／半導体構造を有する薄層化学トランジスターにおいて、固体電解質層及び半導体層を形成する物質が、有機溶剤に溶解可能な化合物であることを特徴とする薄層化学トランジスター。
【効果】 本発明によれば、溶剤プロセスのみから作製されるため、インクジェットをはじめとするプリント技術により、容易に作製することが可能であり、ＴＦＴ欠陥の確率を減少させて、製造コストの低減を図ることも可能となる。 （もっと読む）

【課題】 電界緩和を図り高耐圧化を実現することに加え、デバイスサイズの更なる減少化、正孔の引き抜きを容易にして、信頼性の高い優れた化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】 本発明の化合物半導体装置は、ＧａＡｓ等の第１の化合物半導体層上に、電子に対する障壁が伝導帯にあり、且つ正孔に対する障壁が価電子帯にない、即ちタイプＩＩ構造のバンド構造を有する属元素と６属元素の化合物からなるアモルファス層、例えばアモルファスＧａＳ層（ａ−ＧａＳ層）を有するものである。 （もっと読む）