【課題】従来の電気化学素子とは逆極性でオンオフ動作を行うイオン移動型電気化学素子を提供する。この素子を従来型の電気化学素子とを組合せれば、低消費電力の相補型回路を構成できる。
【解決手段】イオン拡散材料として使用する酸化タンタルを挟んで一方にゲート電極を配置し、もう一方に絶縁物材料によって隔てられたソース電極とドレイン電極を配置する。このとき、ソース・ドレイン電極間の電気的接続を実現するゲート電圧（オン電圧）がオフ状態を実現するゲート電圧（オフ電圧）よりも低い電気化学素子が得られる。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性を維持し、ゲートリーク電流を低減できる電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電界効果トランジスタ１００は、III−Ｖ族窒化物半導体層構造と、半導体層構造上に離間して形成されたソース電極１０５及びドレイン電極１０６と、ソース電極１０５及びドレイン電極１０６の間に形成されたゲート電極１０８と、ソース電極１０５上及びドレイン電極１０６上に形成された電極保護膜１０７と、半導体層構造上に、ソース電極１０５、ドレイン電極１０６、ゲート電極１０８及び電極保護膜１０７の上面の少なくとも一部を覆うように形成され、半導体層構造を保護する第１のパッシベーション膜１０９を備え、第１のパッシベーション膜１０９は、所定の材料に対して化学的に活性であり、電極保護膜１０７は、所定の材料に対して化学的に不活性な金属である。 （もっと読む）

【課題】耐圧性に優れかつチャネル領域の不純物濃度やその厚さ等のばらつきの影響を受けにくいＪＦＥＴを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板９の一方面上にはアルミニウム膜７が形成されている。そのアルミニウム膜７に接するように、そのアルミニウム膜７の両側に、ＳｉＣ膜からなるチャネル領域４ａ、４ｂが設けられている。チャネル領域４ａ、４ｂ上にはソース領域５ａ、５ｂを介してソース電極１１ａ、１１ｂが形成されている。チャネル領域４ａ、４ｂのアルミニウム膜７側と反対側にｐ型ＳｉＣ膜２ａ、２ｂを介してゲート電極１３が形成されている。ＳｉＣ基板９の他方面上には、ドレイン領域６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】鉄砒素系超伝導体の高品質な超伝導薄膜を備えた超伝導体構造、その製造方法、及び電子素子を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成され、III-V族半導体から成るバッファ層と、前記バッファ層上に形成され、下記式（１）で表される組成を有する超伝導薄膜と、を含み、前記超伝導薄膜におけるＡｓ−Ａｓ間隔は、前記III-V族半導体におけるV族原子間距離の約１倍であることを特徴とする超伝導体構造。式（１）ＬｎＦｅＡｓＯ_1-pＦ_q（式（１）において、Ｌｎは１種以上のランタノイド元素であり、０＜ｐ＜１、０≦ｑ＜１） （もっと読む）

【課題】電荷輸送性に優れる両極性の有機半導体として利用可能な分岐型化合物の提供。
【解決手段】コア部と、該コア部に結合した少なくとも１つの側鎖部と、末端と、から構成される分岐型化合物であって、上記側鎖部の少なくとも１つは、下記一般式（１）で表される繰返し単位が１又は２以上繰り返しており（但し、コア部と結合する前記繰返し単位においては、Ｔがコア部に結合しており、２以上繰り返す前記繰返し単位においては、ＬがＴに結合している。）、Ｌは、共役形成単位が複数連結して構成され、上記共役形成単位として少なくとも一つのチエニレン単位を含み、Ｌの末端（Ｔと結合していない側のＬの末端）に存在する基は、少なくとも２つがアクセプター性の基である、分岐型化合物。


（式中、Ｌは置換基を有していてもよい２価の有機基を示し、Ｔは置換基を有していてもよい３価の有機基を示す。） （もっと読む）

【課題】タンパク質、核酸、炭水化物、脂質およびステロイド等の検体を検知する。
【解決手段】ナノワイヤを含む電子デバイスが、その製造方法および用途とともに記載される。ナノワイヤはナノチューブおよびナノワイヤでよい。ナノワイヤの表面は選択的に官能基化されている。ナノ検出器デバイスが記載される。タンパク質、核酸、炭水化物、脂質およびステロイド等の検体によりゲート制御される電界効果トランジスタのアレイより構成されたナノセンサである。 （もっと読む）

【課題】サイズを低減させた装置、及びその作成方法を提供する。
【解決手段】装置は、第一の結晶性物質層、第一の結晶性物質層の近傍に配置され、第一の界面で電子ガスを形成させる第二の結晶性物質層、及び第一の界面の部分に電場を付与する強誘電性ドメインを有する第一の強誘電性層を包含する。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする課題は、有機半導体をチャンネル層とするショットキーゲート型電界効果トランジスタにおいて、トランジスタの易動度を大きくするとともにトランジスタの電極材料の選択を容易にすることである。
【解決手段】有機低分子、有機高分子、金属錯体、フラーレン類及びカーボンナノチューブ類の群から選択される少なくとも１種の有機単結晶半導体６をチャンネル層とするショットキーゲート型電界効果トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】スピンＦＥＴ／スピンメモリの低消費電力と高信頼性を実現する。
【解決手段】本発明の例に関わるスピンＦＥＴは、磁化方向が固定される磁気固着層１２と、磁化方向が変化する磁気フリー層１３と、磁気固着層１２と磁気フリー層１３との間のチャネルと、チャネル上にゲート絶縁層１８を介して配置されるゲート電極１９と、磁気フリー層１３上に配置され、電場により磁化方向が変化する磁性層１５とを備える。 （もっと読む）