【課題】貫通する開口を備える保護層を基板上に形成し、さらにこの開口の中にゲート電極を形成することによって、トランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極の第１の部分は、開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在し、ゲート電極の第２の部分は、保護層から間隔を空けて配置され、第１の部分を越えて横方向に延在する。関連したデバイスおよび作製方法も述べられる。 （もっと読む）

【課題】良好なエアギャップを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、基体上にライン・アンド・スペース構造を形成する工程と、前記ライン・アンド・スペース構造のラインの側壁および上面に絶縁膜材料で第１の膜を成膜する工程と、前記第１の膜を選択的に除去して前記ライン構造の頂面を露出させる工程と、前記ライン・アンド・スペース構造を跨ぐ第２の膜を塗布成膜法により成膜する工程と、前記第２の膜を熱処理により硬化させる工程と、を持つ。前記第１の膜の厚さは前記スペースの幅の１／２未満であり、前記第２の膜は、前記第１の膜に対する濡れ性が悪い材料で前記ライン・アンド・スペース構造を覆うことにより成膜される。 （もっと読む）

【課題】無機膜との密着性に優れ、銅配線のヒロックを抑制できる絶縁膜、該絶縁膜を備える半導体装置及び該絶縁膜を提供できる膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、１分子内に、アダマンタン型のかご型構造を含む部分構造と、重合反応に寄与する重合性反応基とを有する重合性化合物および／または当該重合性化合物が部分的に重合した重合体を含む膜形成用組成物を用いて形成された絶縁膜であって、該絶縁膜とＳｉＣＮ膜とを用いて測定される、ｍ−ＥＬＴ法による密着力が、０．１５ＭＰａ・ｍ^{（１／２）}以上０．３５ＭＰａ・ｍ^{（１／２）}以下であることを特徴とする。前記重合性反応基は、芳香環と、当該芳香環に直接結合するエチニル基またはビニル基とを有するものであり、前記重合性化合物において、前記芳香環由来の炭素の数は、当該重合性化合物全体の炭素の数に対して、１５％以上、３８％以下であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低誘電率層間絶縁膜と多層配線とを備える半導体装置において、低誘電率層間絶縁膜の表面が雰囲気に露出して吸湿するのを防止し、また、金属配線の界面及び低誘電率層間絶縁膜がコンタクトホール内に露出してオーバーエッチングされるのを防止することを目的とする。
【解決手段】水分の透過を防止しつつエッチングストッパとしても機能するエッチング防止膜１４を低誘電率層間絶縁膜３の表面に形成し、更に、水分の透過を防止しつつエッチングストッパとしても機能するエッチング防止膜６を形成して、吸湿防止効果を有するエッチング防止膜を二重にする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置等において、薄型で容量が大きく、かつ、少ないスルーホール発生率の誘電体膜を提供する。
【解決手段】第１の基体、第１の誘電体材料からなる第１の基体上の誘電体層であって、誘電体層が誘電体膜厚を有し、第１の基体との境界面から誘電体層の半対面まで通じるスルーホールに貫通される誘電体層、及び、スルーホールを少なくとも部分的に塞ぐ第２の誘電体材料からなる装置、並びに、そのような装置を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】ハイブリッド誘電体を有する拡張型バック・エンド・オブ・ライン（ＢＥＯＬ）相互接続構造を提供すること。
【解決手段】ビア・レベルでの層間誘電体（ＩＬＤ）は、ライン・レベルでのＩＬＤとは異なることが好ましい。好ましい実施形態では、ビア・レベルのＩＬＤを低ｋ ＳｉＣＯＨ材料で形成し、ライン・レベルのＩＬＤを低ｋポリマー熱硬化性材料で形成する。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性が高いゲート絶縁層を設けることにより信頼性の高い電界効果トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板上に少なくともゲート電極、ゲート絶縁層、酸化物を含む半導体層、ソース電極およびドレイン電極が設けられ、前記ゲート絶縁層は前記絶縁基板と接触する下部ゲート絶縁層と、該下部ゲート絶縁層の上に形成された一層以上の上部ゲート絶縁層を積層してなる薄膜トランジスタの製造方法であって、前記下部ゲート絶縁層がイオンビームスパッタ法により成膜されることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法としたものである。 （もっと読む）

【課題】プラスチックなどの有機材料で構成された基板を用いた場合であっても、高い比誘電率を有し、閾値電圧または動作電圧を低減することができるゲート絶縁膜を備えた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による薄膜トランジスタ１０は、半導体材料で形成される活性層６；活性層に結合するソース電極４；活性層に結合し、活性層を通してソース電極と導通可能なドレイン電極５；活性層に結合し、複数の有機高分子材料層と複数の無機化合物層とが交互に積層されて構成されるゲート絶縁膜３；および、ゲート絶縁膜に接し、ゲート絶縁膜を介して活性層にチャネル領域を形成できるよう構成されるゲート電極２；を備える。 （もっと読む）

【課題】プラスチックなどの有機材料で構成された基板を用いた場合であっても、高い比誘電率を有し、閾値電圧または動作電圧を低減することができるゲート絶縁膜を備えた薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態による薄膜トランジスタ１０は、半導体材料で形成される活性層６；活性層６に結合するソース電極４；活性層６に結合し、活性層６を通してソース電極４と導通可能なドレイン電極５；活性層に結合し、有機高分子材料と無機化合物とが混合された層が複数層積層されて構成されるゲート絶縁膜３；並びに、ゲート絶縁膜３に接し、このゲート絶縁膜３を介して活性層６にチャネル領域を形成できるよう構成されるゲート電極２；を備える。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド膜を熱処理するときに、開口の断面形状が変形することを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】膜形成工程（ステップＳ１０）では、溶媒にポリイミド前駆体を溶解させたポリイミド溶液を基板上に塗布することにより、基板上にポリイミド膜を形成する。開口形成工程（ステップＳ２０）では、ポリイミド膜に開口を形成する。第１熱処理工程（ステップＳ５０）では、ポリイミド膜を、溶媒の（沸点−５０℃）以上沸点未満の温度に加熱して保持するか、又は溶媒の（沸点−５０℃）以上沸点未満の範囲において１．５℃／秒以下（好ましくは１．０℃／秒以下）で昇温させる。第２熱処理工程（ステップＳ６０）では、ポリイミド膜を、ポリイミド膜の硬化温度以上の温度まで加熱する。 （もっと読む）

【課題】0.5μm以上の厚膜で、基板の変形にも追従できる柔軟性を有し、電子デバイス等の微細部品を実装できる膜表面の極めて高い平坦性を有する有機修飾シリケート絶縁膜を形成できる表面平坦性絶縁膜形成用塗布溶液、及び、表面平坦性絶縁膜被覆基材を提供する。
【解決手段】金属アルコキシド、ポリジメチルシロキサン、有機溶媒を含む塗布溶液であって、該塗布溶液中に>CF₂におけるC-F結合が存在することを特徴とする表面平坦性絶縁膜形成用塗布溶液、及び、これを用いた表面平坦性絶縁膜被覆基材である。 （もっと読む）

【課題】基板表面上に半導体素子構造を形成した後に、基板を裏面側から研削した場合に生じる基板の反りを防止でき、容易にダイシング処理を行うことができ、高集積でパッケージングされる半導体素子として好適な厚みの薄い半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１表面上に形成された半導体素子構造と、前記半導体素子構造内に形成され、基板１を裏面側から研削することにより発生する前記基板１を反らせるストレスを補償する補償ストレス膜６とを備えている半導体素子とする。 （もっと読む）

【課題】本発明者らは、ＥＢキュアによって膜の機械強度を大幅に向上させる効果が得られ、空孔形成剤を用いて微細な空孔を膜中に形成するにあたり、空孔崩壊が抑制され、低誘電率および高機械強度を示すポリフェニレン系有機絶縁膜が得られる絶縁膜形成用組成物、この絶縁膜形成用組成物より得られる絶縁膜、この絶縁膜を有する電子デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも１つのシクロペンタジエノン基を有する化合物と、少なくとも１つのアセチレン基を有する化合物とのディールスアルダー反応によって形成されるポリフェニレンを含有する絶縁膜形成用組成物であって、前記ポリフェニレンが第２級炭素原子を含有する置換基を有することを特徴とする絶縁膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】フッ素添加カーボン膜（ＣＦ膜）上にハードマスク用の薄膜であるＳｉＣＯ膜あるいはＳｉＣＮ膜を成膜するにあたり、その薄膜とフッ素添加カーボン膜との間で大きな密着性を得ること。
【解決手段】 ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。ＳｉＣＯ膜の成膜時に、酸素の活性種がＣＦ膜中の炭素と反応することが抑えられ、従ってＣＦ膜の脱ガス量が低減する。またＳｉＣＮ膜をハードマスクとして使用する場合も、同様に最初にトリメチルシランガスのプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】反射型表示装置の製造工程を大幅に簡略化する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの上方に配置された絶縁層及び画素電極を有し、画素電極は、薄膜トランジスタに電気的に接続され、表面に凹凸を有し、かつ、反射機能を有し、絶縁層は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素及び有機性樹脂から選ばれた材料を積層した構造を有し、絶縁層の少なくとも一層はカーボン系材料及び顔料の少なくともいずれか一を含む遮光膜である表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜におけるリーク電流が抑止され、高い絶縁膜容量が得られ、低ゲート電圧で動作可能な有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】
基板１１上に、ゲート電極１８、ゲート絶縁膜１７、有機半導体膜１６、ドレイン電極１４、及びソース電極１５を備える有機薄膜トランジスタである。ゲート絶縁膜１７は、低誘電体膜１７ａと高誘電体膜１７ｂの二層構造を有し、低誘電体膜１７ａは高誘電体膜１７ｂと有機半導体膜１６との間に介装されているとともに、低誘電体膜１７ａは非共有電子対を有する官能基を持たず且つ分子構造内にπ電子結合を持たない有機高分子化合物を含んでいる。 （もっと読む）

有機ケイ酸塩ガラス（ＯＳＧ）を絶縁体材料として用いて薄層トランジスタが製造される。有機ケイ酸塩ガラスは、シロキサンと酸素からプラズマ化学気相成長法によって被着されたＳｉＯ_２−シリコーンハイブリッド材料であってよい。これらのハイブリッド材料は、ゲート誘電体として、サビング層としておよび／またはバックチャネル不動態化層として利用されてよい。トランジスタは、従来のあらゆるＴＦＴ幾何形状で製造されてよい。
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低誘電率膜を基板上に堆積させる方法を提供する。１種または複数の有機ケイ素化合物とポロゲンを反応させること、次いで膜を後処理することにより膜に細孔を生成することを含むプロセスにより、低誘電率膜を堆積させる。１種または複数の有機ケイ素化合物としては、一般構造Ｓｉ−Ｃ_ｘ−Ｓｉまたは−Ｓｉ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｎ−Ｏ−Ｓｉ−を有する化合物が挙げられる。本明細書に記載される低誘電率膜としては、膜の後処理の前と後の両方にＳｉ−Ｃ_ｘ−Ｓｉ結合を含む膜が挙げられる。低誘電率膜は、良好な機械的特性および接着性、ならびに望ましい誘電率を有する。
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【課題】多孔質絶縁膜を含む半導体装置に関し、配線間容量が低く絶縁性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板上に形成された多孔質絶縁材料を含む絶縁膜４４，４８と、絶縁膜４４，４８の少なくとも表面側に形成された溝６０に埋め込まれ、銅を含む配線６４ｂと、絶縁膜４８上及び配線６４ｂ上に形成され、含窒素複素環化合物を含む絶縁材料のバリア絶縁膜６６とを有する。 （もっと読む）

【課題】 良好な特性を有する酸化物薄膜トランジスタ、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
酸化物半導体層９上面に積層するゲート絶縁層５を、有機絶縁体からなる下側の有機絶縁層５１と、無機絶縁体からなる上側の無機絶縁層５２とから構成した。また、無機絶縁層５２を、パーヒドロポリシラザン溶液を用いた塗布法により形成した。酸化物半導体層９の上面には、酸化物半導体層９にダメージを与えることなく形成可能な有機絶縁層５１のみが接触する構成としたため、酸化物半導体層９にダメージを与えることなく、ゲート絶縁層５を形成させることができる。また、塗布法を用いたことにより、大がかりな装置を用いることなく、簡単、且つ安価に、無機絶縁層５２を形成することができる。これにより、性能の良い酸化物薄膜トランジスタを、簡単、且つ安価に得ることができる。 （もっと読む）