【課題】耐圧特性に優れた高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を提供する。
【解決手段】基板１２上に形成された複数の活性半導体層１６、１８を含むＨＥＭＴ１０。ソース電極２０、ドレイン電極２２、およびゲート２４は、複数の活性層１６、１８と電気的に接触して形成される。スペーサ層２６は、複数の活性層１６、１８の表面の少なくとも一部の上に形成され、ゲート２４を覆っている。フィールドプレート３０が、スペーサ層２６上に形成されて、ソース電極２２に電気的に接続され、このフィールドプレート３０はＨＥＭＴ１０内の最高動作電界を低減する。 （もっと読む）

【課題】優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ半導体ウェーハおよびそのようなウェーハの製造方法を実現する。
【解決手段】ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ²面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いて、そのＧａ側にてＣＭＰに付される。このような高品質Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハの製造方法はラッピング工程、機械研磨工程、およびその表面品質を更に高めるための熱アニールまたは化学エッチングによるウェーハの内部応力を低下させる工程を含んでよい。このＣＭＰ方法はＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 （もっと読む）

【課題】ＡＣ電力源から直接にＬＥＤ照明を駆動する。
【解決手段】ＬＥＤのＡＣ駆動回路において、電流制限キャパシタ２０６はＡＣ源２１０に接続され、第１の整流ダイオード２１６および第１の電力キャパシタ２１８を備える第１の回路部２１２は電流制限キャパシタと電源との間に接続され、第２の電力キャパシタ２２４に直列な第２の整流ダイオード２２２を備える第２の回路部２２０は第１の回路部に並列である。第１のＬＥＤ２００−２０４は、第１の回路部内にあり第１の電力キャパシタに並列であり、第２の回路部内の第２のＬＥＤ２２６−２３０は、第２の電力キャパシタに並列である。正の半サイクルの間、第１の整流ダイオードが第１の電力キャパシタを充電して第１のＬＥＤを駆動する。負の半サイクルの間、第２の整流ダイオードが第２の電力キャパシタを充電して第２のＬＥＤを駆動する。 （もっと読む）

【課題】高電力で高性能なデバイスによって生成される熱応力に耐えることができる金属相互接続システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス構造であって、炭化ケイ素およびＩＩＩ族窒化物からなる群から選択される広バンドギャップの半導体部分と、該半導体部分に対する相互接続構造であって、それぞれ２つの高導電性層と互い違いに、少なくとも２つの拡散バリア層を含む、相互接続構造とを備え、該拡散バリア層は、該高導電性層とは異なる熱膨張係数を有し、該高導電性層よりも低い熱膨張係数を有し、該それぞれの熱膨張係数の差異は、該高導電性層の膨張を抑えるために十分な大きさであるが、層間の接着強度を超える歪みを隣接層間に生じさせる差異よりも小さい、半導体デバイス構造。 （もっと読む）

【課題】製造された結晶にある欠陥総数を低減するために、種結晶を用いた昇華システムにおいて形成された結晶の１ｃらせん転位欠陥レベルが低く、より大きく、高品質の炭化珪素バルク単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、２Ｈ、および１５Ｒポリタイプからなる群から選択されるポリタイプであって、少なくとも７５ｍｍ（３インチ）の直径と、約２０００ｃｍ^−２未満の１ｃらせん転位密度とを有する高品質のＳｉＣ単結晶ウェハ。 （もっと読む）

【課題】電源電圧をＬＥＤの動作電圧と一致させるための集積回路を含むＬＥＤパッケージ、そのような集積回路を含むＬＥＤ、そのようなパッケージを含むシステム、および電源電圧と動作電圧とを一致させる方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤパッケージ４０は、ステップダウンコンバータ４２、外付け受動素子４８を含む電圧コンバータ４１、定電流源回路４４およびＬＥＤ４６を備え、出力電圧Ｖoを、入力電圧Ｖiのデューティサイクル（発振器５２のデューティサイクルによって制御される）とともに直線的に変化することを利用し、制御する。 （もっと読む）

【課題】薄切りしたＳｉＣウェハの歪み、反り、全厚さ変動（ＴＴＶ）を低減する。
【解決手段】直径が少なくとも約７５ミリメートル（３インチ）のＳｉＣブールを、ＳｉＣの種結晶使用昇華成長により成長させ、該ＳｉＣブールを薄切りにして少なくとも１つのウェハを得る。その後、内層面損傷がウェハの各側において同一となるように、ラッピング下方力を、前記ウェハを折り曲げる下方力未満の量に制限しつつ、ＳｉＣウェハをラッピングし、ＳｉＣウェハを研磨する。これにより、高品質のＳｉＣ単結晶ウェハ１６が得られる。該ウェハ１６上には複数の窒化物エピタキシャル層１８等が形成される。 （もっと読む）

【課題】電源電圧をＬＥＤの動作電圧と一致させるための集積回路を含むＬＥＤパッケージを提供する。
【解決手段】集積回路は、一般に電力コンバータ４０および定電流回路４４を含む。ＬＥＤパッケージは、一体化された素子または外付け素子のためのピン配列、変圧器および整流器、または整流回路などの他の能動素子または受動素子も含んでよい。外付け素子は、ＬＥＤ４６の電流レベルまたはＬＥＤが発した光の特性を調整するための制御システムを含むことができる。ＬＥＤに電源および電流制御素子を組み込むと、使用するデバイス固有素子の数がより少ない比較的小さなＬＥＤの製造を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】成長基板を設けるステップと、成長基板上にＩＩＩ族窒化物のエピタキシャル層を成長させるステップを有するバルク音響波デバイスの作製方法を提供する。
【解決手段】第１の電極１６をエピタキシャル層１４上に堆積させる。キャリア基板１８を設け、成長基板１２とエピタキシャル層１４と第１の金属電極１６の組合せをキャリア基板１８上にフリップチップ実装する。成長基板１２を除去し、第２の電極をエピタキシャル層１４上に堆積させて、エピタキシャル層１４が第１の金属電極１６と第２の金属電極の間には挟まれるようにする。バルク音響波デバイス１０は、第１の金属電極１６及び第２の金属電極と、第１の金属電極１６と第２の金属電極の間に挟まれたＩＩＩ族窒化物のエピタキシャル層１４とを備えている。キャリア基板１８を備え、第１の金属電極１６及び第２の金属電極ならびにエピタキシャル層１４がキャリア基板１８上に位置している。 （もっと読む）

【課題】デバイス利得、帯域幅、および動作周波数が増加するトランジスタを提供する。
【解決手段】第１のスペーサ層２８が、ゲート電極２４とドレイン電極２２との間、およびゲート電極２４とソース電極２０との間の活性領域の表面の少なくとも一部の上にある。ゲート電極２４は、ソース電極２０とドレイン電極２２に向かって延在する一般的にＴ字型の頂部３４を備える。フィールドプレート３２は、スペーサ層２８の上であって、ゲート頂部３４の少なくとも１つの区域のオーバーハングの下にある。第２のスペーサ層３０は、ゲート電極２４とドレイン電極２２との間、およびゲート電極２４とソース電極２０との間にある第１のスペーサ層２８の少なくとも一部の上と、フィールドプレート３２の少なくとも一部の上に形成される。少なくとも１つの導電性経路が、フィールドプレート３２をソース電極２０またはゲート電極２４に電気的に接続する。 （もっと読む）