【課題】より高い破壊電圧およびより低いオン抵抗を含み、高周波数において十分に機能
するパワースイッチングデバイスを提供する。
【解決手段】多重フィールドプレートトランジスタが、活性領域、ならびにソース、ドレ
イン、およびゲートを含む。第１のスペーサ層が、活性領域の上方でソースとゲートの間
にあり、第２のスペーサ層が、活性領域の上方でドレインとゲートの間にある。第１のス
ペーサ層上の第１のフィールドプレート、及び第２のスペーサ層上の第２のフィールドプ
レートが、ゲートに接続される。第３のスペーサ層が、第１のスペーサ層、第２のスペー
サ層、第１のフィールドプレート、ゲート、および第２のフィールドプレート上にあり、
第３のフィールドプレートが、第３のスペーサ層上にあり、ソースに接続される。 （もっと読む）

【課題】深いレベルのドーパントがほとんど存在しない半絶縁性のＳｉＣ基板上にＭＥＳＦＥＴを形成することにより、バックゲート効果が減少された、ＳｉＣのＭＥＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】半絶縁性の基板上１０に選択的にドープされたＰ型の炭化珪素の層１３、及びＮ型のエピタキシャル層１４を積層し、背面ゲート効果を減少させる。また２つの凹部を有するゲート構造体も備える。これにより、出力コンダクタンスを１／３に減少することができ、また電力のゲインを３ｄｂ増加することができる。クロム４２をショットキーゲート接点として利用することもでき、酸化物−窒化物−酸化物（ＯＮＯ）の保護層６０を利用して、ＭＥＳＦＥＴ内の表面効果を減少させる。また、ソース及びドレインのオーム接点をｎ型チャネル層上に直接形成して、これにより、ｎ⁺領域を製造する必要がなくなる。 （もっと読む）

【課題】埋込み部を形成する際のエッチングにより埋込みゲートが損傷をきたし、ゲート領域劣化が生じ得る。
【解決手段】ショットキーコンタクトなどのゲートコンタクトを形成する前にゲート埋込み部のアニーリングを行うことにより、ゲートリークが低減され、かつ／またはトランジスタなどの半導体デバイス内に高品質のゲートコンタクトを提供することができる。アニーリング中に封入層を使用することで、トランジスタのゲート埋込み部内の半導体への損傷がさらに低減される。アニーリングを、例えばデバイスのオーミックコンタクトのアニーリングによって提供することができる。 （もっと読む）

【課題】炭化シリコン基板上のＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層の提供。
【解決手段】半導体構造が開示され、この半導体構造は、少なくとも１００ｍｍの直径を有する炭化シリコンのウェハと、ウェハ上のＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造とを含んでおり、これは、多くの特性において、高い均一性を示す。これらは、ウェハ全面で３パーセント未満のシート抵抗率の標準偏差；ウェハ全面で１パーセント未満の電子移動度の標準偏差；ウェハ全面で約３．３パーセント以下のキャリア密度の標準偏差；およびウェハ全面で約２．５パーセントの導電性の標準偏差を含む。 （もっと読む）

【課題】単純で使用し易く、コーティング層の幾何形状および厚さがほぼ同一であるコーティングされた発光ダイオード（ＬＥＤ）の製造を可能にする。
【解決手段】発光ダイオード（ＬＥＤ）１２２は、２つの反対にドープされた層の間に活性領域を備えている複数の半導体層、前記半導体層の１つの表面から到達可能な正及び負のコンタクト、前記活性領域は前記コンタクトに印加される電気信号に応じて光を放射し、及び、前記半導体層の表面を覆うマトリックス材料の共形のコーティング（前記コンタクトの少なくとも一部分は前記マトリックス材料により覆われていない）、を備えている。 （もっと読む）

【課題】開いたピット中に延びる能動層を有する発光デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光デバイスは、複数の層を備える能動領域と、能動領域が配置されるピット開き領域とを含んでいる。ピット開き領域は、複数の層の能動領域がピット中に延びて入るのに十分な大きさまで複数のピットの開口の大きさを広げるように構成されている。能動領域は複数の量子井戸層を備えている。ピット開き領域は、超格子構造を備えている。ピットは、その対応する転位を取り囲むことがあり、複数の層はそれぞれの転位まで延びている。複数のピットのうちの少なくとも１つは、ピット開き層とピット開き層が形成された基板との間に配置された層で生じる。能動領域は、ＩＩＩ族窒化物をベースにした能動領域であってもよい。そのような発光デバイスの製造方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】変換材料を含むコーティングを備えたＬＥＤにおいて、コーティングの幾何形状および厚さを制御することにより、見る角度によらず一様な色温度を有し、同一または類似の発光特性を一貫して複製できるＬＥＤを提供する。
【解決手段】複数の半導体層と、前記半導体層と電気的接触し、前記半導体層から上方へ伸びている頂部のコンタクト１０４とを備えたＬＥＤ１０２に、前記半導体層を覆い、前記半導体層に合致している、硬化した結合剤及び変換材料を備えるコーティングを施し、コーティングされたＬＥＤ１２２とする。前記コンタクトは、前記コーティングを通って上方へ伸び、電気的接触のため前記コーティングの頂面に露出している。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素の好ましい電気特性にもかかわらず、その中においてより厚い電圧サポート領域を有する炭化ケイ素パワーデバイスの必要性が引き続き存在している。
【解決手段】高電圧炭化ケイ素パワーデバイスを形成する方法は、法外に高いコストのエピタキシャル成長された炭化ケイ素層の代わりに、高純度炭化ケイ素ウエハ材料から得られる高純度炭化ケイ素ドリフト層を利用している。本方法は、約１００μｍより厚い厚みを有するドリフト層を使用して１０ｋＶを超えるブロッキング電圧をサポートすることができる少数キャリアパワーデバイスと多数キャリアパワーデバイスの両方を形成することを含んでいる。これらのドリフト層は、その中に約２×１０^１５ｃｍ^−３未満である正味ｎ型ドーパント濃度を有するブール成長炭化ケイ素ドリフト層として形成される。このｎ型ドーパント濃度は、中性子変換ドーピング（ＮＴＤ）技法を使用して実現することができる。 （もっと読む）

【課題】優れた色均一性と改良された空間的色混合度を示す発光デバイスを提供すること。
【解決手段】発光体を少なくとも部分的に取り囲む、異なるサイズの光散乱粒子を備え、デバイスの空間的色混合度と色均一性を改良する輻射発光デバイスを提供する。複数のサイズの光散乱粒子が、単一の、または複数チップの多色の発光体パッケージを少なくとも部分的に取り囲むための媒質中に分散されている。異なるサイズの光散乱粒子は、発光する輻射の中のそれぞれ対応する波長範囲と相互作用する。このようにして、複数の波長範囲または副範囲に渡って発光する輻射は効率よく散乱されて、出力ビームにおける空間的に不均一な色パターンを除去する（または意図的に作る)ことが出来る。 （もっと読む）

【課題】封止材が膨張、収縮することによる、層間剥離、ボイド（ｖｏｉｄ）、より大きな３軸応力および／または他の欠陥を防止する。
【解決手段】発光デバイス（ＬＥＤ）アセンブリは、電気絶縁基板１００ｄと、絶縁基板の表面１０５ｄ上の熱伝導層１１２ｄとを備えることができる。熱伝導層上には発光デバイス１１４ｄを、発光デバイスと電気絶縁基板との間に熱伝導層があるように配置することができる。さらに、この熱伝導層は、発光デバイスの縁から、少なくとも一方向に、発光デバイスの幅の半分を超える距離だけ延在することができる。 （もっと読む）