【課題】窒化物ベースの半導体チャネル層上に窒化物ベースの半導体バリア層を形成すること、および窒化物ベースの半導体バリア層のゲート領域上に保護層を形成することによって、トランジスタが製作される。
【解決手段】パターニングされたオーム性接触金属領域が、バリア層上に形成され、第１および第２のオーム性接触を形成するためにアニールされる。アニールは、保護層をゲート領域上に載せたままで実施される。バリア層のゲート領域上に、ゲート接点も形成される。ゲート領域内に保護層を有するトランジスタも形成され、バリア層の成長させたままのシート抵抗と実質的に同じシート抵抗をもつバリア層を有するトランジスタも同様である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）を提供する。
【解決手段】このＭＥＳＦＥＴは、ソース（１３）とドレイン（１７）とゲート（２４）とを備えている。このゲート（２４）を、ソース（１３）とドレイン（１７）の間及びｎ導電型チャネル層（１８）上に設ける。ドレイン（１７）に向かって延びている端部を備えるｐ導電型領域（１４）をソースの下に設ける。このｐ導電型領域（１４）をｎ導電型チャネル領域（１８）から隔ててソース（１３）に電気的に結合させる。 （もっと読む）

【課題】ＲＦ電力増幅器の高効率動作
【解決手段】入力電力は分割され、不均等にキャリア増幅器および複数のピーク増幅器に供給されることによって、増加された電力負荷効率（ＰＡＥ）および直線性を実現できる。それぞれのピーク増幅器は、キャリア増幅器へ提供される入力信号レベルより高い入力信号レベルを提供される。ピーク増幅器は、均等電力分割を用いて達成されえるよりも、より効率的にＲＦ信号によって持ち上げられえ、よってスレッショルド近くにトランジスタのトランスコンダクタンス特性を補償し、同じ効率についてのバックオフ能力を増し、または同じバックオフ点における直線性を改善しえる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物系超格子と超格子上のＩＩＩ族窒化物系活性領域とを有する発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】活性領域は、少なくとも１つの量子井戸構造を有する。量子井戸構造は、第１のＩＩＩ族窒化物系バリア層と、第１のバリア層上のＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、第２のＩＩＩ族窒化物系バリア層とを含む。ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスと、少なくとも１つの量子井戸構造を含む活性領域を有するＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスの製造方法とが、提供されている。量子井戸構造は、ＩＩＩ族窒化物を含む井戸支持層と、井戸支持層上のＩＩＩ族窒化物を含む量子井戸層と、量子井戸層上のＩＩＩ族窒化物を含むキャップ層とを含む。またＩｎ_XＧａ_1-XＮとＩｎ_YＧａ_1-YＮとの交互層（ここで０≦Ｘ＜１および０≦Ｙ＜１、ならびにＸはＹに等しくない）の少なくとも２つの周期を有する窒化ガリウム系超格子を含む。 （もっと読む）

【課題】放熱スペースが短縮された、複数のユニットセルを有する高出力高周波半導体デバイスを提供する
【解決手段】ユニットセルは各々、制御電極２４と、第１及び第２の被制御電極２０，２２とを有する。熱スペーサ（すなわち、電気的に不活性な領域）４０が、これらのユニットセルのうち少なくとも１つを第１の活性部分及び第２の活性部分５０に分割し、第２の活性部分は、この熱スペーサにより第１の部分から離隔される。ユニットセルの制御電極ならびに第１及び第２の被制御電極は、第１の熱スペーサを横切っている。 （もっと読む）

【課題】接合障壁ショットキー（ＪＢＳ）構造内のビルトインＰｉＮダイオードの電流伝導を阻止する。
【解決手段】接合障壁ショットキー（ＪＢＳ）一体構造が提供される。ダイオードのドリフト領域内に配置された炭化シリコン接合障壁領域を含む炭化シリコンショットキーダイオード、およびこの炭化シリコンショットキーダイオードを製造する方法も提供される。この接合障壁領域は、ダイオードのドリフト領域内にあって第１のドーピング濃度を有する第１の炭化シリコン領域と、ドリフト領域内にあって、第１の炭化シリコン領域とショットキーダイオードのショットキーコンタクトとの間に配置された第２の炭化シリコン領域とを含む。第２の領域は、第１の炭化シリコン領域およびショットキーコンタクトと接触する。第２の炭化シリコン領域は、第１のドーピング濃度よりも低い第２のドーピング濃度を有する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物系超格子と超格子上のＩＩＩ族窒化物系活性領域とを有する発光ダイオードを提供すること。
【解決手段】活性領域は、少なくとも１つの量子井戸構造を有する。量子井戸構造は、第１のＩＩＩ族窒化物系バリア層と、第１のバリア層上のＩＩＩ族窒化物系量子井戸層と、第２のＩＩＩ族窒化物系バリア層とを含む。ＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスと、少なくとも１つの量子井戸構造を含む活性領域を有するＩＩＩ族窒化物系半導体デバイスの製造方法とが、提供されている。量子井戸構造は、ＩＩＩ族窒化物を含む井戸支持層と、井戸支持層上のＩＩＩ族窒化物を含む量子井戸層と、量子井戸層上のＩＩＩ族窒化物を含むキャップ層とを含む。またＩｎ_XＧａ_1-XＮとＩｎ_YＧａ_1-YＮとの交互層（ここで０≦Ｘ＜１および０≦Ｙ＜１、ならびにＸはＹに等しくない）の少なくとも２つの周期を有する窒化ガリウム系超格子を含む。 （もっと読む）

【課題】改善されたオーミックコンタクト構造およびｐ型窒化物材料にオーミックコンタクト構造を形成する。
【解決手段】ｎ型ＳｉＣ基板１０上に、活性領域１２として、ｎ−ＧａＮベースの層１４およびｐ−ＧａＮベースの層１６と、ｐ−ＧａＮ層１６に堆積されかつ電気的に結合されたｐ電極１８と、ｐ電極１８上にボンディングパッド２０が形成され、ｐ電極１８はオーミックコンタクトを形成し、約２５Å未満の平均厚さおよび約１０^−３Ωｃｍ^２未満の固有接触抵抗率を有する。 （もっと読む）

【課題】高出力ＬＥＤとともに使用するのに特に適合し、パッケージ構成部品のＣＴＥの差によるＬＥＤパッケージの欠陥を低減するように配置されたＬＥＤパッケージを提供すること。
【解決手段】発光素子に、スプレッダ領域、スプレッダ領域に位置決めされた固体光源、およびスプレッダ領域に位置決めされ光源を囲む封止材が含まれる。封止材は、様々な構成部品間の熱膨張係数の差により生じた力を最小化するように、スプレッダ領域の表面での温度変化に応じた膨張および収縮が可能である。光源の近傍に１つまたは複数の反射要素を位置決めして、発光素子の発光効率を向上させる。反射要素はスプレッダ領域に反射層および／または封止材の一部に反射層を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】基板の亀裂および炭化が生じる危険を低減し、かつ製作の速度を維持するための、ウェーハレベルの燐光体被覆方法および装置を提供する。
【解決手段】通常基板上に複数のＬＥＤを設けるステップを含む、発光ダイオード（ＬＥＤ）チップを製作する方法。ＬＥＤ上に脚柱を堆積させ、脚柱はそれぞれ、ＬＥＤのうちの１つに電気的に接触する。ＬＥＤを覆って被覆が形成され、この被覆は、脚柱の少なくとも一部を埋設する。次いで、被覆を平坦化して、前記被覆の少なくとも一部を前記ＬＥＤ上に残しながら、埋設された脚柱の少なくとも一部を露出させる。次いで、ワイアボンドなどによって、露出した脚柱に接触できるようにする。本発明は、キャリア基板上にフリップチップ接合されたＬＥＤを有するＬＥＤチップおよび他の半導体装置を製作するために使用される類似の方法を開示する。また、製作されたＬＥＤチップウェーハおよびＬＥＤチップも開示される。 （もっと読む）