小型の電子的構成要素を試験するための装置は、複数の離間した電子的構成要素を試験ステーションへ移動させるための試験板を含む。ローラは、試験板および電子的構成要素が移動している時には、１０グラムから２０グラムまでの間の第１の力を及ぼし、試験板が停止して、電子的構成要素が試験ステーション内に位置が合った時には、５０グラムの第２の力を及ぼして、試験板および電子的構成要素を押圧するように設計される。試験板および電子的構成要素に及ぼされる力は、流体作動式アクチュエータ、例えば空気圧アクチュエータまたはソレノイド等の、加力アクチュエータによって制御される。
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ホストに連結される複数の試験装置を同期化するための方法および機器。それぞれの装置のカウンタは、初期化され、それぞれのカウンタは、データストリームの開始を示す周期信号等によりインクリメントされる。典型的にはソース信号または測定信号のいずれかである、アクションは、各カウンタがプログラムカウンタ値に達する時、トリガされる。
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パッシベーション層及び／又は封止層（３０２，３０４）を効率良くアブレーション除去するようにウェハ（３００）をスクライブするとともに、パッシベーション層及び／又は封止層（３０２，３０４）におけるチッピング及びクラックを減らす、または無くすシステム及び方法が提供される。幅の短いレーザパルスを使用して高いピークパワーを実現し、そしてアブレーション閾値を小さくする。一の実施形態では、スクライビングはｑスイッチＣＯ_２レーザによって行なわれる。 （もっと読む）

ターゲット試料の加工表面において、制御的安定性を有する２つのレーザ加工ビームを生成する方法及びシステムでは、相互にコヒーレントな第1及び第2レーザビーム（１３０，１４０）が個別の第1及び第2ビーム経路に沿って伝搬し、これらのレーザビームを合成して（１７０）光学特性調整を実行する。合成されたレーザビームを、個別のビーム経路に沿って伝搬し、かつそれぞれの第3及び第4主ビーム成分（１９２I）を含む第3及び第4レーザビーム（１９２，１９４）に分離し、そして第3及び第4レーザビームの内の一方のレーザビームは、他方のレーザビームの主ビーム成分（１９２ｍ）と相互に、かつ時間的にコヒーレントに同時に伝搬する漏れ成分を提供する。漏れ成分と、漏れ成分が同時に一緒に伝搬する方のビーム成分である他方の主ビーム成分との相互の時間的なコヒーレンスの影響を、音響光学変調器（１５０，１６０）による周波数シフトによって、または光路長差（４０４，５０４）を２つのビームに持ち込むことにより小さくする。 （もっと読む）

レーザシステムの実施形態では、パルス光ファイバレーザ光源（１２）の出力を使用するので有利であり、レーザ光源の出力のパルス時間プロファイルをプログラムすることにより或る範囲のパルス形状を用意することができる。パルスファイバレーザをピークパワー限界まで上げて、不所望の非線形現象の発現を防止する；従って、これらの装置のレーザ出力パワーは次に、ダイオード励起固体光パワーアンプ（ＤＰＳＳ−ＰＡ）１６において増幅される。ＤＰＳＳ−ＰＡ１６は、パルスマスター発振器高出力ファイバアンプ（１４）の所望の低ピークパワー出力をずっと大きいピークパワーレベルに増幅することができるので、利用可能なエネルギー／パルスを特定のパルス繰り返し周波数において効果的に大きくすることもできる。パルスマスター発振器高出力ファイバアンプ及びダイオード励起固体パワーアンプの組み合わせは、タンデム固体光アンプ（１０）と表記される。 （もっと読む）

様々な形状の複数の捕捉パッドを有する回路基板の少なくとも１つの層にブラインドビアをレーザ形成する方法は、回路基板の少なくとも１つの層に形成される少なくとも１つのブラインドビアに対して、穴開け位置に形成されるブラインドビアの形状値（例えば、面積および／または体積等）に対する穴開け位置から所定の距離内にある捕捉パッドの形状値（例えば、面積および／または体積等）を評価するステップを含んでもよい。この方法は、ブラインドビア形成後の所望の捕捉パッドの外見を得るために、評価に基づいて少なくとも１つのレーザ照射パラメータ（laser operating parameter）を設定するステップを含んでもよい。この方法は、回路基板の少なくとも１つの層にあるブラインドビア穴開け位置から所定の距離内にある領域として捕捉パッド領域を画像化するステップと、画像化された捕捉パッドの領域の少なくとも１つ外見値を定量化するステップと、定量化された外見値に基づいて画像化された捕捉パッドの領域の受容性を判断するステップと、を含んでもよい。
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穿孔前に基板を薄くするため、および／または、穿孔後にビアパターンを有する薄くされた基板を構造的に補強するための方法、ならびに、それによって得られる生産物。基板すなわちパネルが第１の厚さを有する。基板中にくぼみが形成され、くぼみは第１の厚さよりも小さい第２の厚さを有する。くぼみ中に少なくとも１つのビアが穿孔され、ビアは光透過性材料で充填される。
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光透過性材料によって充填ビアを形成する方法および得られる製品。方法は、パネル内でビアを穴開けすること、および、ビアを光透過性材料で充填することを含む。方法は、また、ハウジングの光透過性セクションを作るために使用されることができる。ビアの一方の面に向けられる光源は、ビアの第２面で表面を観察する観察者にとって可視であるように、光透過性材料を通して見られる。
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スクライブ工程によって生ずる個片の集積回路に対する又はその上への損傷又はデブリを減少又は排除する、半導体ウェーハ(410)をスクライブするためのシステム及び方法。半導体ウェーハ(410)はその裏面(430)からスクライブされる。一つの実施形態において、ウェーハ(410)の裏面(430)は、裏面研磨工程の後で且つ裏面研磨テープ(426)の除去前にスクライブされる。これにより、スクライブ工程で生成されたデブリがウェーハ(410)の上部表面(412)に付着することを防止する。ウェーハ(410)の裏面(430)に対するダイシングレーン又はストリート(424)の位置を決定するため、ウェーハ(410)の上(412)側が、研磨テープ(426)及びウェーハ(410)を透過するようになされた光(434)で照射される。光(434)はウェーハ(410)の裏面(430)から検知され、ストリートが裏面(430)に対してマップされる。次に、ウェーハ(410)の裏面(430)がソー(444)又はレーザーで切削される。 （もっと読む）

ウェハ（２００）を、標的材料のアブレーション閾値を小さくするような短いパルス幅のレーザパルスでスクライブするシステム及び方法が提供される。材料層（２０２，２０４，２０６）の積層体では、最小レーザアブレーション閾値はレーザパルス幅に基づいて、これらの層（２０２，２０４，２０６）の各層に関して決定される。複数の最小レーザアブレーション閾値の中から最大のレーザアブレーション閾値が選択され、そして（選択されたレーザアブレーション閾値）〜（選択されたレーザアブレーション閾値の約１０倍の値）の範囲のフルエンスを有する一つ以上のレーザパルスのビームが生成される。一の実施形態では、約０．１ピコ秒〜約１０００ピコ秒の範囲のレーザパルス幅が使用される。更に、または他の実施形態では、高いパルス繰り返し周波数を選択することによりスクライブ速度を速くする。一の実施形態では、パルス繰り返し周波数は約１００ｋＨｚ〜約１００ＭＨｚの範囲である。 （もっと読む）