複数の試験モジュールを備え、各試験モジュールが、電子部品を試験する複数の接点を有する電子試験機の組立及び較正のための装置及び方法を提供する。電子試験機が複数の試験モジュールを備え、その各々が、電子部品を試験する複数の接点対を有している。電子試験機の組立及び較正のための装置及び工程が、トラック毎に試験位置の間で移動可能な少なくとも１つの接点を有し、任意の１つの接点対の間に選択的に試験装置を電気的に挿入するプレートを備えている。制御プログラムは、プレートを介して少なくとも１つの試験機能を実行することができる。
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パターン形成されたシリコンウエハに加工しあるいは特徴を形成する方法および装置であって、パルス幅が１ｐｓから１０００ｐｓの間の第１のパルス状レーザビーム（４）を用いてウエハ上の表面層の一部を除去し、波長が２００ｎｍから１１００ｎｍの間の第２のパルス状レーザビーム（５）を用いて表面層の下にあるバルクシリコン（１）の一部をウエハから除去することを含む。再付着したシリコンはエッチングによってウエハから除去することができる。 （もっと読む）

集積回路において使用するためのレーザ活性化相変化デバイスは、第１のパターン化された金属線および第２のパターン化された金属線を接続するように構成され、かつ層間誘電体とオーバヒューズ誘電体との間に位置付けられる、カルコゲニドヒューズを備える。当該ヒューズは、基板上に製造される能動半導体素子を相互接続する。レーザ活性化相変化デバイスを活性化させるための方法は、ヒューズの特性に基づき、レーザのレーザ条件を選択するステップと、閾値遷移温度を満たすまで、直接光子吸収によって、レーザでヒューズの相変化をプログラムするステップと、を含む。
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低価格のカラー撮像器から単色応答を達成するための方法および装置を提示する。本方法および装置において、赤外（ＩＲ）光に対する帯域外の応答は、単色画像を生成するように開発されたソリッドステートセンサによるものである。単色画像は、該センサからＩＲ遮断フィルタを除去し、ＬＥＤからのＩＲ放射で撮像される光景を照明することにより生成される。該ＬＥＤから発される波長は、該センサにカラーモザイクフィルタが恒久的に取り付けられているにもかかわらず、該センサのＩＲ光に対する応答が比較的一様である領域に応答する波長に適合される。
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集積回路における導電性リンクを加工するシステムと方法は、異なるパルス幅を有する一連のレーザパルスを使用し、前記導電性リンクの下にある材料に実質的に損傷を与えることなく標的構造のそれぞれの異なる部分を除去する。一の実施形態においては、 超高速レーザパルスまたは一群の超高速レーザパルスは、標的エリアにおける上部パッシベーション層とリンク材の第１の部分を除去する。次に、ナノ秒レーザパルスが、リンク材の第２の部分を除去し、集積回路の２つのノード間の電気的接続を切断する。ナノ秒レーザパルスは、リンクの下にある材料に対する損傷を軽減するかまたは削除するように構成される。 （もっと読む）

改良型電子部品ハンドラーおよびそれに関連する改良型試験プレートについて説明する。試験プレート上に設けられたガイドを用いて、試験用孔と交差させることによって、部品装填フレームと孔との位置合わせ不良を排除し、部品の試験孔への容易な挿入が確実に行われる。
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電子試験機の複数の接点の位置合わせを判定するための方法が開示される。これらの接点は、複数の電気的読取値を取る電子部品にわたって掃引される。これらの電気的読取値は、位置合わせを判定するために所望の配向に対してグラフ化される。位置合わせは、調節機構を使用して、必要に応じて修正される。
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半導体ウェハ等のターゲット試料を加工するためのレーザベースのシステムを自動的に変更するシステム及び方法。一実施の形態においては、レーザベースのシステムは、加工モデルに関連するトリガを検出する。加工モデルは、一組のウェハに対応している。トリガに応じて、システムは、加工モデルに基づいて、１つ以上のシステムパラメータを自動的に調整する。そして、システムは、変更されたシステムパラメータを用いて、ウェハの組内の少なくとも１つのウェハ上又はウェハ内の構造を選択的に照射する。一実施の形態においては、トリガは、移動ステージに関連する熱状態の変化を含む。熱状態の変化に応じて、システムは、熱平衡閾値に達するまで、一連の動きで移動ステージを動作させる。例えば、一連の動きは、例えば、特定のウェハを加工するために用いられる動きをシミュレートしたものであってもよい。
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二重ビームレーザ出力は、好ましくは、単一のレーザビームから導出され、繊維強化樹脂からなるプリント回路板等のターゲット材料に穴あけされたビアの側壁の品質を改善する。２つの実施の形態では、それぞれ、２つのレーザ出力成分を用いて、被加工物（１２）のターゲット材料位置からターゲット材料（１８）の一部（１４）を除去し、ターゲット材料位置の基底にある金属層に接着されたターゲット材料の残り屑を、ある材料除去速度で速やかにクリーニングする。第１の実施の形態では、それぞれ第１及び第２の波長（λ_１、λ_２）によって特徴付けられる第１及び第２の成分を有する加工レーザ出力を、ターゲット材料位置において、ターゲット材料の一部に入射するよう方向付ける。第２の実施の形態では、それぞれ第１及び第２のパルス幅によって特徴付けられる第１及び第２の成分を有する加工レーザ出力を、ターゲット材料位置において、ターゲット材料の一部に入射するよう方向付ける。
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層間電気接触を形成可能とした多層電気回路において、品質かつスループットを維持しながら、選定可能なテーパ形状を有するブラインドビアを掘削するための方法及び装置に関する。この方法は、テーパ形状を決定するビア頂径とビア底径が、２つの別の式の関数であることを理解することによる。これら式を同時に解くことで、同一のパルスパラメータを有し時間的修正されないＱスイッチＣＯ_２レーザパルスを用いて選定したテーパ形状と質を維持しながら、スループットの最適化を可能とする解空間を生じる。実時間パルス調整は不要であるため、システムの複雑さやコストが減少し得る。 （もっと読む）