これらの問題によりよく対応するために、１つ又は複数の特性が、工作物（２８）から測定される。前記測定情報は、ルックアップテーブルから好適な所定のレーザ加工レシピを選択するのに使用される。次に、レーザ加工レシピは、工作物（２８）を加工するのに使用される。 レーザ加工レシピのルックアップテーブルは、理論的な計算から、操作者による試行錯誤から、後処理検査を有する自動化された組織的なレシピ修正プロセスから、あるいは、これらまたは他の方法のある組合せから構築することができる。自動化されたプロセスは、操作者エラーを低減することもでき、工作物特性の簡便な追跡に備えて測定値を保存してよい。 （もっと読む）

異方性結晶、例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ_４、Ｎｄ：ＹＬＦ及びＮｄ：ＧｄＶＯ_４が多くのレーザ用途のための好適な利得物質になっている。異方性利得媒質では、補助的な補償なしでも、レーザモードが利得媒質を通過する際に劣化することはない。異方性利得媒質を組み込んだ光パワー増幅器は、複数のパスによるパワースケーリングを達成できると共に、各パスの間、レーザと励起光との間の良好なモード整合を維持することもできる。好ましい実施の形態では、シードレーザビーム（１００）が異方性利得媒質（１０２）を複数回通過し、各通過の間、ビーム変位角を実質的にゼロにすることができる。マルチパスシステムは、マイクロマシニング、ビア穴あけ及び高調波変換用途の要求を満たす高パワーＴＥＭ_００を実現する経済的で信頼できる方法を提供する。 （もっと読む）

システム及び方法は、レーザビームの単一パスを使用して、材料に複数の幅のトレンチを切削する。第１のレーザパルス系列は、第１のスポットサイズを使用して、第１の切削速度で、前記材料の加工表面を切削する。第１のトレンチ幅から第２のトレンチ幅への移行領域においては、漸次に前記第１の切削速度から第２の切削速度に変わる間に、第２のレーザパルス系列が、連続的にスポットサイズを変える。そして、第３のレーザパルス系列が、第２のスポットサイズを使用して、前記第２の切削速度で、前記加工表面の切削を続行する。本方法は、前記移行領域で、強化された深さ制御を提供する。システムは、レーザビーム経路において選択的に調節可能な光学素子を使用し、前記加工表面に対して焦点面の位置を調節することによって、スポットサイズを迅速に変更する。 （もっと読む）

【課題】 接地構造で既に発生した反動力を低減、又は、完全に除去するために磁石とボイスコイル・アセンブリのための湾曲部を備えるアクチュエータと動作方法を提供する。
【解決手段】 無反動ボイスコイルアクチュエータと方法であって、磁石とボイスコイルの両方に接続した湾曲部を備えることで、動作方向に磁石とボイスコイルの両方が独立して動くことができる。動作方向の磁石とボイスコイルの固有周波数が実質的に等しくなるように、剛性、又は、湾曲部の動きに対する抵抗が選択される。
（もっと読む）

レーザで被加工物を加工することは、第１のパルス繰り返し周波数でレーザパルスを発生させることを含む。前記第１のパルス繰り返し周波数は、前記加工物に対してビーム送達座標を位置合わせするために、ビーム位置決めシステムと１つ又は複数の協働するビーム位置補償要素とを調整するための基準タイミングを提供する。本方法はまた、前記第１のパルス繰り返し周波数より低い第２のパルス繰り返し周波数で、選択的に前記レーザパルスのサブセットを増幅することを含む。前記サブセットに含まれるレーザパルスの選択は、前記第１のパルス繰り返し周波数と前記ビーム位置決めシステムから受け取る位置データとに基づく。本方法は、前記加工物上の選択されたターゲットに前記増幅されたレーザパルスを向けるように、前記１つ又は複数の協働するビーム位置補償要素を使用して、前記ビーム送達座標を調整することを更に含む。 （もっと読む）

２つのパルスレーザ（１４)またはレーザのセットは、直交関係にある偏光状態を有するパルス（２０）のビームを伝播させる。ビームコンバイナー（２４）は直交するビームを結合して、共通のビーム経路（１６）に沿って伝播し光変調器（３０）と交差する結合ビームを形成する。その光変調器は、どちらか一方のビームの選択されたパルスの偏光状態を選択的に変更し、直交するビームから同様に偏光されたパルスを含む合成ビーム（１８）を提供する。合成偏光ビームは、いずれのレーザによって提供されるものよりも大きい合成平均パワーと合成繰り返し率を有する。光変調器は、選択的に、いずれか一方のレーザからのパルスの偏光状態を制御して、下流側の偏光子（３２）を通過させる又は阻止させることができる。さらなる変調器は、パルスのパルス整形を容易にしてよい。システムは、単一レーザまたはレーザ対とビームコンバイナー及び変調器とのセットの追加によって拡張することができる。 （もっと読む）

半導体ウエハまたは他の材料のような加工対象物をレーザで加工するステップは、所定の時間パルスプロファイルに関連付けられたターゲット分類に対応する加工ターゲットを選択するステップを有する。時間パルスプロファイルは、第１期間を定義する第１部分、第２期間を定義する第２部分を有する。方法は、時間パルスプロファイルにしたがってレーザパルスを整形するように構成されたレーザシステム入力パラメータに基づきレーザパルスを生成するステップ、生成され多レーザパルスを検出するステップ、生成されたレーザパルスを時間パルスプロファイルと比較するステップ、比較結果に基づきレーザシステム入力パラメータを調整するステップ、を有する。 （もっと読む）

半導体ウェハのダイシング方法であって、１ピコ秒乃至１０００ピコ秒のパルス幅で、スクライビング対象のマテリアルの熱緩和時間よりも短いパルス間隔に相当する繰り返し周波長のレーザーを用いて、ウェハの表面からマテリアルを除去するために、ダイスレーンに沿って少なくとも一層の誘導体層に対してスクライビングを行う方法。その後、このウェハは、金属層を通って、かつ少なくとも部分的に半導体ウェハの基板を通って、ダイシングされる。 （もっと読む）

【課題】物品を検査する方法及び装置を提供する。
【解決手段】物品を検査する方法及び装置では、物品（５０）を２つ以上の方向から、イメージセンサ（１０）に貼り付けたベイヤーフィルタ（１２）のスペクトル応答に一致するスペクトル応答を有する光源（５２，５６）で照明する。画像データは色ごとに分離され、そして派生画像が生成され、次に処理されて欠陥群を検出する。 （もっと読む）

【課題】 容量成分の漏れ電流を測定する装置を提供する。
【解決手段】 容量成分の漏れ電流を測定する装置の実施形態を教示する。一実施形態では、第１段の増幅器を含み、第１段の増幅器の反転入力および帰還経路の帰還抵抗で、直列接続された容量成分からの入力を受け取るように構成される。帰還抵抗の抵抗値は、漏れ電流の予測値および対応する電圧出力に基づいてプログラム可能である。
（もっと読む）