本発明は、クロスポイントと１Ｔ‐１セルとの双方の設計に基づくある種の利点を導入するためのメモリ技術及びメモリアレイに関する新規な変更に関する。これらの設計のある特徴を組み合わせることにより、１Ｔ‐１セル設計における読出し時間の高速化及び信号対雑音比の増大と、クロスポイント設計における高記録密度化との双方が達成される。そのために、単一のアクセストランジスタ１６を用いて、“Ｚ”軸方向に配置された複数のメモリアレイ層で垂直方向に互いに上下に積み重ねうる多重メモリセルを読出すようにする。
（もっと読む）

流動性絶縁材料から残留炭素堆積物を除去する方法。流動性絶縁材料はケイ素、炭素および水素を含むもので、流動性酸化物材料またはスピンオン流動性酸化物材料である。残留炭素堆積物は、流動性絶縁材料をオゾンに曝露することによってその流動性絶縁材料から除去される。流動性絶縁材料は、半導体基板上に配置されたトレンチの中に絶縁層を形成するために使用される。 （もっと読む）

フォトパターン形成性塗布材料がこれまでに用いられなかった波長で半導体素子構造体の形成に用いられことを可能とするキャップ層。該フォトパターン形成性塗布材料を半導体基板へ層として塗布する。該キャップ層及びフォトレジスト層がそれぞれ該フォトパターン形成性層上に形成される。該キャップ層は放射線を吸収または反射し、そして該フォトパターン形成性層を該フォトレジスト層のパターン化に用いられた第1波長の放射線から保護する。該フォトパターン形成性塗布材料は第2波長の放射線に露光されると二酸化ケイ素系材料へ変換される。 （もっと読む）

可変抵抗メモリ・センス増幅器は，抵抗メモリ・セルが低抵抗状態にあるときにセンス増幅器の切り換えを助けるために，組み込みオフセットを有する。組み込みオフセットは，センス増幅器内のトランジスタのサイズ，しきい電圧，関連キャパシタンス，または関連抵抗を変えることによって実現することができる。
（もっと読む）

【構成】多重レンズを備えた撮像素子またはディスプレイ・システムであって，多重レンズは，撮像素子またはディスプレイ・アレイ内の１つまたは複数のピクセルの上に形成され，パターニングされ，成形される。多重レンズは，感光領域上に屈折される光，またはディスプレイ・ピクセルから発散される光の集束を改善する。 （もっと読む）