メモリハブに接続されるいくつかのメモリデバイスを含むメモリハブは、個々のプロセッサに接続されるいくつかのリンクインターフェイス、個々のメモリデバイスに接続されるいくつかのメモリインターフェイス、これらを接続するクロスバースイッチを含む。各メモリインターフェイスは、メモリコントローラ、書き込みバッファ、読み出しキャッシュ、およびデータマイニングモジュールを含み、データマイニングモジュールは、検索データメモリを含み、検索データメモリは、検索データの少なくとも１つの項目を受信および記憶するために上記リンクインターフェイスに接続される。コンパレータは、上記メモリデバイスからの読み出しデータおよび上記検索データの両方を受信する。このコンパレータは、次いで、この読み出しデータを検索データの個々の項目と比較し、そして一致するときにヒット指示を提供する。
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プロセッサベースの電子システムは、第１のランクおよび第２のランクに配置された複数のメモリモジュールを含む。第１のランク内のメモリモジュールは複数のプロセッサのうち任意のプロセッサによって直接アクセスされ、第２のランク内のメモリモジュールは、第１のランク内のメモリモジュールを介してプロセッサによってアクセスされる。プロセッサと第２のランク内のメモリモジュールとの間の帯域幅は、第１のランク内のメモリモジュールの数を変えることによって変動される。各メモリモジュールは、メモリハブへ結合された複数のメモリデバイスを含む。メモリハブは、各メモリデバイスへ結合されたメモリ制御装置と、各プロセッサまたは各メモリモジュールへ結合されたリンクインタフェースと、メモリ制御装置のうち任意のメモリ制御装置とリンクインタフェースのうち任意のリンクインタフェースとを結合するクロスバースイッチとを含む。
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本発明はマスキング方法を包含する。１つの実施において、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むマスキング材料が、半導体基板上に形成されたフィーチャーを覆って形成される。マスキング材料は少なくとも約０．５原子パーセントのホウ素を含む。マスキング材料は実質的に異方的にエッチングされ、ここでそのエッチングはホウ素ドープアモルファスカーボンを含む異方的にエッチングされたサイドウォールスペーサをフィーチャーのサイドウォール上に形成するのに有効である。次に、スペーサに最も近い基板が、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むスペーサをマスクとして用いながら加工される。スペーサに最も近い基板を加工した後、ホウ素ドープアモルファスカーボンを含むスペーサが基板からエッチングされる。他の実施および面も考えられる。 （もっと読む）

本発明の開示は、例えば原子層堆積を使用して超小型電子半導体上に材料を堆積させることによって、微細形状ワークピースを処理するための装置及び方法を説明する。これらの装置の幾つかは、ガス分配器を有する微細形状ワークピースホルダーを含む。１つの例示的な実施は、複数の微細形状ワークピースを保持するように適合されている微細形状ワークピースホルダーを提供する。このワークピースホルダーは、複数のワークピース支持体とガス分配器とを含む。ワークピース支持体は、離間した関係で複数の微細形状ワークピースを支持して各微細形状ワークピースの表面に隣接した処理スペースを定めるように適合されている。ガス分配器は、１つの注入口と複数の排出口とを含み、排出口の各々は、処理スペースの１つにプロセスガスの流れを向けるよう位置付けられる。 （もっと読む）

イメージセンサ検査方法及び装置を提供する。本発明の望ましい装置は、静的又は動的な画像を被検査イメージセンサ装置上に投射しうるデジタルライトプロジェクションシステムと、この被検査イメージセンサ装置の出力を解析するイメージセンサ信号検出手段とを具えるイメージセンサ検査装置を有する。デジタルライトプロジェクションシステムは、光源と、視準用光学系と、デジタルマイクロミラーデバイスと、集束用光学系とを具えている。本発明の他の望ましい方法及び装置は、複数のイメージセンサを同時に検査しうるデジタルライトプロジェクションシステムを採用したイメージセンサ検査装置を有する。本発明によれば、光源からの光をデジタルマイクロミラーデバイスにより校正するとともに所望の検査画像に変換する。次に、この検査画像をイメージセンサ上に集束させ、このイメージセンサの出力を検出器により読み取り、入力デジタル検査画像との相関関係をとる。
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集積化した金属珪化物トランジスタゲート電極を有するトランジスタを半導体アセンブリ内に形成する方法を提供する。トランジスタゲートは部分的に、金属を溝内に存在させた状態でエピタキシャルシリコンと反応させることにより製造する。前記溝内で前記金属珪化物上にトランジスタゲート分離キャップ層を形成する。任意ではあるが溝スペーサを設けて所定の製造処理の臨界的な寸法上の制約を低減させ、従って、形状寸法が臨界的な寸法よりも小さいトランジスタを形成しうるようにすることができる。
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互いに直列に接続した２つのキャパシタを有するピクセルであって、これらの各キャパシタのキャパシタンスは周辺のキャパシタのキャパシタンスに近似しているが、直列キャパシタの実効キャパシタンスは、周辺のキャパシタの各々のキャパシタンスよりも小さくしたピクセルを提供する。直列接続されたキャパシタは浮動拡散領域に結合されて飽和状態中に浮動拡散領域からの“過剰”電荷を受けるようになっている。
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システム記憶内においてＤＭＡ操作のためのＤＭＡエンジンを有する記憶モジュール用記憶ハブ。記憶ハブには、システム記憶の記憶装置のうちの少なくとも１つへのアクセスのための記憶要求を受け取るためのリンクインターフェイスが含まれ、さらには記憶装置への連結のための記憶装置インターフェイスであって、記憶装置のうちの少なくとも１つへのアクセスのため記憶装置へ記憶要求を連結させる記憶装置インターフェイスをも含む。リンクインターフェイスと記憶装置インターフェイスを代替として連結するスイッチは、記憶ハブに含まれる。加えて、ダイレクトメモリアクセス（ＤＭＡ）エンジンは、ＤＭＡ操作を行うための記憶装置のうちの少なくとも１つへのアクセスのための記憶要求を発生させるためにそのスイッチを介して記憶装置インターフェイスに連結されている。
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最適化されたカラーフィルタアレイが、一つまたはそれ以上のダマシン層の、内部、上、または下に形成される。カラーフィルタアレイは、その下にあるそれぞれのフォトダイオードに入射する光の特定の波長の強度を最大化するために、装置の層の組合せられた光学特性を最適化するように構成されるフィルタ領域を含んでいる。

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メモリセルの論理状態を表わす電流のような、入力電流をセンスまたは測定する装置および方法。センシング回路は、増幅器、コンデンサ、電流源回路、クロック制御された比較器、およびクロックカウンタを含む。電流源回路は、充電期間および放電期間中に、コンデンサへ電流を供給するように、またはコンデンサから電流を差し引くように、比較器の出力に応答して動作する。クロックカウンタにおけるカウント値は、コンデンサ電圧を基準電圧と周期的に比較することに由来し、従ってメモリセルの論理状態に関連している。充電中に供給される電流の大きさは、放電中に差し引かれる大きさより下であり、これによりより小さいカウンタの使用を可能にする。

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