【課題】基板を支持する基板支持部材上の汚染物質を除去する枚葉式基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法を提供する。また、高温の薬液による基板支持部材の熱変形を最小化できる枚葉式基板処理装置及び基板処理装置の洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板支持部材２００に上向離隔された状態で支持された基板Ｗの下面に薬液を噴射して基板Ｗを処理し、基板支持部材２００の上面に洗浄液を噴射して基板支持部材２００上に残留する薬液を除去する。基板支持部材２００の熱変形は、一連の反復的な基板処理工程後、常温状態の洗浄液を用いて基板支持部材２００を洗浄することで最小化することができる。 （もっと読む）

【課題】 ノズルアセンブリー、これを有する処理液供給装置、及びこれを用いる処理液供給方法が開示される。
【解決手段】 ノズルアセンブリーはハウジング、前記ハウジング内部に収納され、異種の処理液が流れる複数の流路を形成する処理液供給ライン、及び処理液供給ラインと各々接続され、いずれかの１つの端部が基板に向かう際、他の端部は基板から離れるように前記ハウジングの一端部から延長される噴射ノズル含む。従って、ノズルアセンブリーは単純化された構造を有する一方、基板から離れた方向に配置された噴射ノズルの汚染が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 基板現像工程を行うための装置が開示される。
【解決手段】 基板を支持するための基板支持部の互いに向い合う両側には現像ノズルを洗浄するための第１洗浄タンクと第２洗浄タンクを配置することができる。前記現像ノズルは前記第１洗浄タンクから前記第２洗浄タンクに向う水平方向に移動することができ、前記基板の上部面上に現像液を供給することができる。前記現像液を供給した後、前記現像ノズルは、前記第２洗浄タンクに収容されることが可能であり、前記現像ノズルについている現像液は前記第２洗浄タンク内で洗浄液によって除去することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板の洗浄効率が向上した基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板洗浄装置は、基板がロードされるステージと、前記基板に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、前記基板に一端で接触して、音波を伝達しつつ前記基板を洗浄する振動子と、前記振動子の他端部に備わって前記音波を発生する圧電ユニットであって、互いに離隔された少なくとも二つ以上の圧電体を有する圧電ユニットと、を含み、好ましくは、前記音波は、前記圧電体から各々発生され、前記各発生された音波は前記基板に隣接する前記振動子の一端の表面で互いに補強干渉する（同位相で重畳する）、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】炭素ナノチューブ合成方法が開示される。
【解決手段】炭素ナノチューブを合成するための合成空間外部に基板の積載が可能なボートを準備する。その後、ボートに基板を積載させる。その後、基板が積載されたボートを合成区間に移送する。その後、合成空間に移送された基板を対象として炭素ナノチューブを合成する。ここで、ボートは基板を多数枚を積載することができるように多段構造を有する。従って、炭素ナノチューブを合成するための工程を効率的に進行させることができる。 （もっと読む）

【課題】炭素ナノチューブの合成方法及び装置を提供すること。
【解決手段】炭素ナノチューブの合成方法において、反応チャンバの内部を加熱し、前記加熱された反応チャンバの内部に触媒を供給する。触媒は、反応チャンバ内で第１方向に移動する。ソースガスは、第１方向と逆方向である第２方向に反応チャンバに供給される。ソースガスは、第１方向に移動する触媒を遅延させ、触媒と反応して炭素ナノチューブを合成する。触媒の流れに対するソースガスの流れが触媒の落下速度を遅延させるので、ソースガスと触媒とが十分に長い時間互いに反応することができる。 （もっと読む）

【課題】 プレート、これを有する基板温度調節装置及びこれを有する基板処理装置が開示される。
【解決手段】 基板の温度を調節するためのプレートにおいて、基板はボディーにより支持されることができる。前記ボディーの内部には第１チャンネルと第２チャンネルが配置されることができる。前記第１チャンネルは第１入口と第１出口を有して前記基板の温度を調節するための第１流体を通過させる。第２チャンネルは前記第１出口と隣接する第２入口と前記第１入口と隣接する第２出口を有して前記基板の温度を調節するための第２流体を通過させる。また、前記第１チャンネルと第２チャンネルは並行に配置される。従って、前記基板の温度が均一に調節されることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に対するコーティング工程、ベーク工程、現像工程などを行うための基板処理装置が開示される。
【解決手段】第１処理ブロックはコーティング工程及び現像工程を行い、第２処理ブロックは第１処理ブロックと向い合って配置されて熱処理を行う。第１処理ブロックは、上部、中央部、及び下部単位ブロックを含む。上部及び下部単位ブロックは、基板上に膜を形成するための少なくとも一つのコーティングユニットと基板上のフォトレジスト膜の現像のための少なくとも一つの現像ユニットをそれぞれ含む。中央単位ブロックは、上部及び下部単位ブロックの間に分離可能に配置され、コーティングユニットと現像ユニットのうち、少なくとも一つを含む。中央ブロックの構成は、工程レシピによって多様に変更することができ、これによって基板処理装置のスループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置が開示される。
【解決手段】半導体基板に対するコーティング工程、ベーク工程、現像工程等を行うための基板処理装置において、第１処理ブロックは、コーティング工程及び現像工程を行うために具備され、基板を熱処理するための第２処理ブロックは前記第１処理ブロックと向かい合って配置される。前記第１処理ブロックと第２処理ブロックとの間には基板を移送するためのメイン移送ブロックが配置され、前記第１及び第２処理ブロックの配置方向に対して垂直方向に前記メイン移送ブロックの一側には基板の温度を調節するための第３処理ブロックが配置される。前記第２処理ブロックと前記第３処理ブロックとの間で基板を移送するための補助移送ブロックは、前記第２処理ブロックと前記第３処理ブロックに隣接するように配置される。従って、前記メイン移送ブロックの過負荷が防止されることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送を効率的に行うことができる基板搬送装置及びこれに使用されるガイドユニットを提供する。
【解決手段】複数のシャフト１４０を平行に配置し、各シャフト１４０に回転一体に搬送ローラを設ける。基板Ｓの搬送時に基板Ｓが側方向に揺れることを防止するためにガイドユニット２００を設ける。ガイドユニット２００にシャフト１４０を挿入する貫通孔を有する内輪２４０、内輪２４０を挿入する貫通孔を有する外輪２２０及び内輪２４０と外輪２２０とが互いの回転を妨害しないように両者間にベアリング２６０を設ける。外輪２２０の外周面から側方向にリング形状にガイド２３０を突出させ、外輪２２０の外周面を基板Ｓの底面エッジと接触させて基板Ｓを支持し、側面を基板Ｓの側面と接触させて基板Ｓが側方向に移動することを防止する。内輪２４０をシャフト１４０とともに回転させ、外輪２２０を基板Ｓとの摩擦力によって回転させる。 （もっと読む）