マイクロエレクトロニックデバイス構造およびプロセス装置から望ましくない物質を除去するために、たとえば超臨界二酸化炭素などの超臨界流体を用いる組成物および方法。フラックスおよびはんだプリフォーム表面膜を除去するための有用性を有する、このようなタイプの一組成物には、たとえば超臨界ＣＯ_２などの超臨界流体、およびたとえばキシレンなどの有機共溶媒が含まれる。半導体基板から金属、金属酸化物、金属含有エッチング後残渣およびＣＭＰ粒子を除去するための有用性を有する、このようなタイプの別の組成物には、超臨界流体および少なくとも１つのβ−ジケトンが含まれる。

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